氣體放電的基本物理過程-文庫(kù)吧資料
2025-01-22 03:26本頁(yè)面
【正文】 現(xiàn)放電分支細(xì)通道，非充滿放電空間。 高電壓工程基礎(chǔ) 自持放電條件 ? pd 值較小的情況（湯遜） （ 1）湯遜自持放電判據(jù) ( e 1) 1d?? ?? e1d?? ? 1lnd???（ 2）氣體擊穿的巴申定律 b 1e l nB p d UA p d?? ?bln1lnBpdUApd??????????????b ()U f pd?（ 3）氣體密度對(duì)擊穿的影響 b ()U F d??ss2 .9T ppp T T? ??湯遜自持放電理論 湯遜放電理論的適用范圍 ? 研究表明 ：湯遜理論能解釋低氣壓、 Pd較小時(shí)的放電現(xiàn)象；當(dāng) Pd過小或過大時(shí)，放電機(jī)理變化，不適用。 ? 陰極表面 碰撞電離 系數(shù) γ ：?jiǎn)蝹€(gè)正離子撞擊陰極平均發(fā)射出的自由電子數(shù) 高電壓工程基礎(chǔ) ? 電子崩的形成（ BC段電流劇增原因） ddn n x??0 d0 ex xnn ???d dn xn ??0 e dnn ??00 ( e 1 )dn n n n ?? ? ? ? ?電子碰撞電離系數(shù) α： 代表一個(gè)電子沿電力線方向行經(jīng) 1cm時(shí)平均發(fā)生的碰撞電離次數(shù)。即：?jiǎn)挝恍谐虄?nèi)因碰撞電離而產(chǎn)生的自由電子數(shù)。 U0為擊穿電壓。 ? 自持放電：電壓大于 U0時(shí)，取消外電離因素，間隙電流靠電場(chǎng)作用能自行維持。電壓到達(dá) U0后，電流劇增，間隙中電離過程只靠外施電壓已能維持，不再需要外電離因素。BC段急劇上升。 ? 外加電壓很小時(shí)，氣隙中的電流是由外界光電離因素造成。 ?帶電質(zhì)點(diǎn)復(fù)合過程的光輻射效應(yīng)，在一定條件下 也會(huì)成為二次電離的條件。 ?兩種過程在氣體放電過程中同時(shí)存在，條件不同，強(qiáng)弱程度不同。 帶電質(zhì)點(diǎn)的復(fù)合率與正、負(fù)電荷的濃度有關(guān)，濃度越大則復(fù)合率越高。 （ 2）帶電質(zhì)點(diǎn)的復(fù)合 帶異號(hào)電荷的質(zhì)點(diǎn)相遇，發(fā)生電荷的傳遞和中和而還原為中性質(zhì)點(diǎn)的過程，稱為復(fù)合。 高電壓工程基礎(chǔ) ? 帶電質(zhì)點(diǎn)的消失 （ 1）帶電質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散 帶電質(zhì)點(diǎn)從濃度較大的區(qū)域向濃度較小的區(qū)域的移動(dòng)，從而使?jié)舛茸兊镁鶆虻倪^程，稱為帶電質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散。 元素 電子親合
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