氣體放電的基本物理過(guò)程(編輯修改稿)
2025-02-12 03:26 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 放電的電子崩階段 ? 非自持放電和自持放電的不同特點(diǎn) 電流隨外施電壓的提高而增大，因?yàn)閹щ娰|(zhì)點(diǎn)向電極運(yùn)動(dòng)的速度加快復(fù)合率減小 電流飽和，帶電質(zhì)點(diǎn)全部進(jìn)入電極，電流僅取決于外電離因素的強(qiáng)弱（良好的絕緣狀態(tài)） 電流開(kāi)始增大，由于電子碰撞電離引起的 電流急劇上升放電過(guò)程進(jìn)入了一個(gè)新的階段（擊穿） 外施電壓小于 U0時(shí)的放電是 非自持放電 。電壓到達(dá) U0后，電流劇增，間隙中電離過(guò)程只靠外施電壓已能維持，不再需要外電離因素。 自持放電起始電壓 非自持、自持放電， α、 β 、 γ 過(guò)程 ? 非自持放電：電壓小于 U0時(shí)，取消外電離因素，間隙電流消失。 ? 自持放電：電壓大于 U0時(shí)，取消外電離因素，間隙電流靠電場(chǎng)作用能自行維持。 ? 電子崩：場(chǎng)強(qiáng)高達(dá)某一定值后，氣體發(fā)生連續(xù)的碰撞電離，如雪崩 狀發(fā)展 過(guò)程 ，電流急劇增加。 U0為擊穿電壓。 ? 電子碰撞電離系數(shù) α：一個(gè)電子由陰極到陽(yáng)極行程中，每１cm路程與氣體質(zhì)點(diǎn)發(fā)生碰撞電離平均次數(shù)。即：?jiǎn)挝恍谐虄?nèi)因碰撞電離而產(chǎn)生的自由電子數(shù)。 ? 正離子碰撞電離 系數(shù) β ：可忽略。 ? 陰極表面 碰撞電離 系數(shù) γ ：?jiǎn)蝹€(gè)正離子撞擊陰極平均發(fā)射出的自由電子數(shù) 高電壓工程基礎(chǔ) ? 電子崩的形成（ BC段電流劇增原因） ddn n x??0 d0 ex xnn ???d dn xn ??0 e dnn ??00 ( e 1 )dn n n n ?? ? ? ? ?電子碰撞電離系數(shù) α： 代表一個(gè)電子沿電力線方向行經(jīng) 1cm時(shí)平均發(fā)生的碰撞電離次數(shù)。 0 e xnn ??γ 過(guò)程與自持放電條件 ? 一個(gè)電子從陰極到陽(yáng)極因電子崩形成正離子數(shù)為 ead1， 正離子撞擊陰極形成二次自由電子數(shù)為 γ(ead1) ，若它等于 1，意味著陰極產(chǎn)生原電子的一個(gè)后繼電子替身，使放電得以自持。 高電壓工程基礎(chǔ) 自持放電條件 ? pd 值較小的情況（湯遜） （ 1）湯遜自持放電判據(jù) ( e 1) 1d?? ?? e1d?? ? 1lnd???（ 2）氣體擊穿的巴申定律 b 1e l nB p d UA p d?? ?bln1lnBpdUA
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