醫(yī)用x射線診斷設(shè)備質(zhì)量控制培訓(xùn)教材-全文預(yù)覽
【正文】 探測器劑量指示（ DDI） 信號(hào)傳遞特性（ STP） 響應(yīng)均勻性 測距誤差 殘影 偽影 極限空間分辨力 低對(duì)比度細(xì)節(jié)檢測 AEC靈敏度 AEC電離室之間一致性 AEC管電壓變化一致性 DR系統(tǒng)專用檢測項(xiàng)目與技術(shù)要求 DR系統(tǒng)專用檢測項(xiàng)目與技術(shù)要求（續(xù)表） 檢測前準(zhǔn)備 照射量設(shè)置值 （ μGy） kV mA s mAs 附加濾過 照射量測量值 1 70 1mm銅 5 70 1mm銅 10 70 1mm銅 20 70 1mm銅 30 70 1mm銅 暗噪聲 如 果有可能，取出濾線柵。 15% X射線攝影設(shè)備的幾何學(xué)特性 ? 包括： ? （ SID指示的偏離） ? ? （ DR檢測不做要求） 幾何學(xué)特性檢測工具 有用線束垂直度偏離（ SID指示的偏離） ? SID：焦點(diǎn)到影像接收器之間的距離 ? 把 SID檢測筒置于診視床上，使得光野中心、 SID檢測筒中心以及暗盒中心于一垂直線上鎖住全部地位鎖，暗盒托盤全部推進(jìn)去，光野四邊每邊距 SID檢測筒4cm。輸出量重復(fù)性： 177。 ? 不適用生產(chǎn)過程的質(zhì)量控制檢測。 狀態(tài)檢測： 在運(yùn)行中的設(shè)備，為評(píng)價(jià)其性能指標(biāo)是否符合要求而定期進(jìn)行的質(zhì)量控制檢測。 CCD探測器結(jié)構(gòu)及其成像原理 : (間接成像 ) ? CCD（ Charge Coupled Device）電荷耦合器是一種將光能轉(zhuǎn)換為電能的元件，隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，CCD已是一項(xiàng)成熟的技術(shù)，它是由數(shù)量眾多的光敏單元排列組成面陣，光敏單元可小至 50μm2以下，空間分辨率很高，幾何失真小，均勻性和一致性好。 ? 由于其經(jīng)歷了Ｘ射線－可見光－電荷圖像－數(shù)字圖像的成像過程，通常也被稱作間接轉(zhuǎn)換型平板探測器。 二、 非晶硅探測器結(jié)構(gòu)及其成像原理 ： (間接成像 ) ? 分 碘化銫（ CsI） +非晶硅和硫氧化釓 GOS+非晶硅 ? 結(jié)構(gòu)由碘化銫閃爍體層、非晶硅光電二極管陣列、行驅(qū)動(dòng)電路以及圖像信號(hào)讀取電路四部分。 二、成像原理 X射線的發(fā)現(xiàn) 1895年 11月，德國物理學(xué)家倫琴在維爾茨堡大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室里，拉上物理實(shí)驗(yàn)室厚厚的窗簾，屋子里一片漆黑，倫琴摸黑順利做完了實(shí)驗(yàn)。影像質(zhì)量保證工作小組成員中，影像設(shè)備維修人員或相關(guān)專業(yè)工程技術(shù)人員負(fù)責(zé)影像設(shè)備正常運(yùn)行，保證影像設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定，參數(shù)準(zhǔn)確，發(fā)生設(shè)備故障及時(shí)檢修。 質(zhì)量管理： 為使質(zhì)量保證計(jì)劃得以貫徹實(shí)施，使各種檢測能正常進(jìn)行，其結(jié)果得到評(píng)價(jià)，相關(guān)的校正行動(dòng)得以實(shí)施而采取的管理措施。醫(yī)用 X射線診斷設(shè)備質(zhì)量控制 ——數(shù)字化 X射線攝影（ DR）系統(tǒng) 20230613 一、相關(guān)法規(guī) 二、成像原理 三、質(zhì)量控制 一、相關(guān)法規(guī) 《 放射診療管理規(guī)定 》 第五條 醫(yī)療機(jī)構(gòu)應(yīng)當(dāng)采取有效措施，保證放射防護(hù)、安全與放射診療質(zhì)量符合有關(guān)規(guī)定、標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的要求。 質(zhì)量控制： 通過對(duì) x射線診斷設(shè)備的性能檢測和維護(hù)，對(duì) X射線影像形成過程的監(jiān)測和校正行動(dòng)，保證影像質(zhì)量的技術(shù)。 ? （二）放射科常規(guī) X線、 CT、 MR、 DSA統(tǒng)一管理，放射科主任負(fù)責(zé)影像質(zhì)量保證方案的全面實(shí)施，組織定期和不定期的核查。 ? （三）各種設(shè)備日常保養(yǎng)責(zé)任落實(shí)到人。 ? 成像原理： X線粒子射入加有高電壓的非晶硒感光層，其中原本定向移動(dòng)的電荷發(fā)生電導(dǎo)率的改變，伴隨著空穴電子對(duì)分布不均勻的形成，感光層內(nèi)就有了不均勻聚集的電荷通過薄膜晶體管陣列轉(zhuǎn)換為可測的電信號(hào)，再進(jìn)行 A/D轉(zhuǎn)換，成為可直接由計(jì)算機(jī)進(jìn)行處理的數(shù)字信號(hào) 非晶硒探測器 參數(shù) ? 探測器有效探測面積： 35X43cm ? 采集矩陣： 2560x3072 ? 像素大小： 139 139μm ? 采集像素 A/D轉(zhuǎn)換位數(shù)： 14bit ? 空間分辨率： 非晶硒探測器特性： 優(yōu)點(diǎn)： ? 直接光電轉(zhuǎn)換 ? 直接讀出 ? 量子檢測率（ DQE）較高 ? 曝光寬容度大 ? 后處理功能強(qiáng)大 缺點(diǎn)： FPD對(duì)環(huán)境溫度，濕度要求較高，需要較高的偏直電壓，刷新速度慢，仍不能滿足動(dòng)態(tài)攝影 ，所以不常用。 ? 它利用碘化銫（ CsI）的特性， 將入射后的 X線光子轉(zhuǎn)換成可見光，再由具有光電二極管作用的非晶硅陣列變?yōu)殡娦盘?hào)，通過外圍電路檢出及 A/D轉(zhuǎn)換 ，從而獲得數(shù)字化圖像。 缺點(diǎn)： 高劑量時(shí) DQE不如非晶硒型； 因有熒光轉(zhuǎn)換層故存在輕微散射效應(yīng)； 銳利度相對(duì)略低于非晶硒型。 目前國內(nèi) 主 要 CCDDR探測器技術(shù)參
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