醫(yī)用x射線診斷設(shè)備質(zhì)量控制培訓(xùn)教材-文庫(kù)吧
2025-01-10 21:55 本頁(yè)面
【正文】 感光層內(nèi)就有了不均勻聚集的電荷通過(guò)薄膜晶體管陣列轉(zhuǎn)換為可測(cè)的電信號(hào)，再進(jìn)行 A/D轉(zhuǎn)換，成為可直接由計(jì)算機(jī)進(jìn)行處理的數(shù)字信號(hào) 非晶硒探測(cè)器 參數(shù) ? 探測(cè)器有效探測(cè)面積： 35X43cm ? 采集矩陣： 2560x3072 ? 像素大?。?139 139μm ? 采集像素 A/D轉(zhuǎn)換位數(shù)： 14bit ? 空間分辨率： 非晶硒探測(cè)器特性： 優(yōu)點(diǎn)： ? 直接光電轉(zhuǎn)換 ? 直接讀出 ? 量子檢測(cè)率（ DQE）較高 ? 曝光寬容度大 ? 后處理功能強(qiáng)大 缺點(diǎn)： FPD對(duì)環(huán)境溫度，濕度要求較高，需要較高的偏直電壓，刷新速度慢，仍不能滿足動(dòng)態(tài)攝影 ，所以不常用。 二、 非晶硅探測(cè)器結(jié)構(gòu)及其成像原理 ： (間接成像 ) ? 分 碘化銫（ CsI） +非晶硅和硫氧化釓 GOS+非晶硅 ? 結(jié)構(gòu)由碘化銫閃爍體層、非晶硅光電二極管陣列、行驅(qū)動(dòng)電路以及圖像信號(hào)讀取電路四部分。 ? 與非晶硒平板探測(cè)器的主要區(qū)別在于熒光材料層和探測(cè)元陣列層的不同，其信號(hào)讀出、放大、 A/D轉(zhuǎn)換和輸出等部分基本相同。 非晶硅探測(cè)器 ? 非晶硅平板探測(cè)器，是一種以非晶硅光電二極管陣列為核心的X線影像探測(cè)器。 ? 它利用碘化銫（ CsI）的特性， 將入射后的 X線光子轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光，再由具有光電二極管作用的非晶硅陣列變?yōu)殡娦盘?hào)，通過(guò)外圍電路檢出及 A/D轉(zhuǎn)換 ，從而獲得數(shù)字化圖像。 ? 由于其經(jīng)歷了Ｘ射線－可見(jiàn)光－電荷圖像－數(shù)字圖像的成像過(guò)程，通常也被稱(chēng)作間接轉(zhuǎn)換型平板探測(cè)器。 ? 非晶硅平板探測(cè)器具有成像速度快，良好的空間及密度分辨率，高信噪比，直接數(shù)字輸出等優(yōu)點(diǎn)。 碘化銫 針柱直徑 6μm 主要非晶硅平板探測(cè)器參數(shù)說(shuō)明 探測(cè)器 法國(guó) Trixell Pixium 4600 美國(guó) GE Revolution 美國(guó) VARIAN PaxScan4343R DRZ Plus 日本佳能 CXDI40G 韓國(guó)三星 探測(cè)器類(lèi)型 針狀碘化銫 +非晶硅 4塊拼接 碘化銫 +非晶硅 整版 碘化銫 +非晶硅 整版 硫氧化釓 +非晶硅 整版 碘化銫 +非晶硅 整版 影像區(qū)面積 43cm43cm 41cm41cm 43cm43cm 43cm43cm 43cm43cm 像素矩陣 3K3K 2K2K 3K3K 26882688 3K3K 像素大小 143um 200um 139um 160um 143um 極限空間分辨率 DQE (100%MTF時(shí)） 65% 74% 70% 33% 65% A/D 轉(zhuǎn)換 14bit 14bit 14bit 14bit 14bit 灰階度 14bit 14bit 14bit 12bit 14bit 圖像預(yù)覽時(shí)間 ＜ 5s ＜ 5s ＜ 3s ＜ 3s ＜ 5s 圖像處理時(shí)間 ＜ 8s ＜ 8s ＜ 5s ＜ 20s ＜ 15s 工作環(huán)境要求 溫度 1830℃ 溫度 1040℃ 溫度 1040℃ 溫度 1040℃ 溫度 1040℃ 是否需要特殊輔助裝置 （如水冷設(shè)備） 不需要 需要 不需要 不需要 不需要 探測(cè)器校正周期 36個(gè)月 用戶自定義校正周期（建議每一年校正一次） 用戶自定義校正周期（建議每一年校正一次） 用戶自定義校正周期（建議每一年校正一次） 用戶自定義校正周期（建議每一年校正一次） 非晶硅平板探測(cè)器 優(yōu)缺點(diǎn) ? 優(yōu)點(diǎn)： ? 轉(zhuǎn)換效率高； ? 動(dòng)態(tài)范圍廣； ? 空間分辨率高； ? 在低分辨率區(qū) X線吸收率高（原因是其原子序數(shù)高于非晶硒）； ? 環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)。 缺點(diǎn)： 高劑量時(shí) DQE不如非晶硒型； 因有熒光轉(zhuǎn)換層故存在輕微散射效應(yīng)； 銳利度相對(duì)略低于非晶硒型。 CCD探測(cè)器結(jié)構(gòu)及其成像原理 : (間接成像 ) ? CCD（ Charge Coupled Device）電荷耦合器是一種將光能轉(zhuǎn)換為電能的元件，隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，CCD已是一項(xiàng)成熟的技術(shù)，它是由數(shù)量眾多的光敏單元排列組成面陣，光敏單元可小至 50μm2以下，空間分辨率很高，幾何失真小，均勻性和一致性好。但CCD對(duì) X射線不敏感，所以需要先將 X射線激發(fā)熒光屏產(chǎn)生熒光，經(jīng)增強(qiáng)后成為 Video信息，經(jīng)反光鏡反射到 CCD鏡頭，被采集并轉(zhuǎn)換為電信息，再轉(zhuǎn)換為數(shù)字信息。 CCD的特性： ? ⑴光電靈敏度高 ? ⑵動(dòng)態(tài)范圍大 ? ⑶空間分辨率高 ? ⑷較小的失真 ? ⑸惰性極小 ? ⑹高性能，長(zhǎng)壽命 CCD有兩大特點(diǎn) ： ? 一是 CCD采用電荷耦合器件作為
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