醫(yī)用x射線診斷設(shè)備質(zhì)量控制培訓(xùn)教材-wenkub
2023-02-08 21:55:12 本頁(yè)面
【正文】 是由一定厚度、高度的高吸收X射線鉛材料片條和低吸收 X射線鋁材料片條所組成的。 一、放射科影像質(zhì)量保證組織和人員職責(zé)分工 ? 技師負(fù)責(zé) X線檢查、 CT、 MRI掃描過(guò)程的質(zhì)量控制。 醫(yī)療機(jī)構(gòu)質(zhì)量控制程序示例 為加強(qiáng)放射科影像質(zhì)量管理和質(zhì)量控制，保證放射科診斷質(zhì)量和醫(yī)療安全，落實(shí) “醫(yī)療質(zhì)量持續(xù)改進(jìn)計(jì)劃 ，參照浙江省醫(yī)院放射科影像質(zhì)量保證方案，制定本市放射科影像質(zhì)量保證方案。 第二十條 醫(yī)療機(jī)構(gòu)的放射診療設(shè)備和檢測(cè)儀表，應(yīng)當(dāng)符合下列要求： （一） 新安裝、維修或更換重要部件后的設(shè)備，應(yīng)當(dāng)經(jīng)省級(jí)以上衛(wèi)生行政部門(mén)資質(zhì)認(rèn)證的檢測(cè)機(jī)構(gòu)對(duì)其進(jìn)行 檢測(cè)（驗(yàn)收） ，合格后方可啟用； 《 放射診療管理規(guī)定 》 （二） 定期進(jìn)行 穩(wěn)定性檢測(cè) 、校正和維護(hù)保養(yǎng)，由省級(jí)以上衛(wèi)生行政部門(mén)資質(zhì)認(rèn)證的檢測(cè)機(jī)構(gòu)每年至少進(jìn)行一次 狀態(tài)檢測(cè) ； 第二十四條 醫(yī)療機(jī)構(gòu)應(yīng)當(dāng)制定與本單位從事的放射診療項(xiàng)目相適應(yīng)的質(zhì)量保證方案，遵守質(zhì)量保證監(jiān)測(cè)規(guī)范。 質(zhì)量保證： 為獲得穩(wěn)定的高質(zhì)量的 x射線影像，同時(shí)又使人員的受照劑量和所需費(fèi)用達(dá)到合理的最低水平所采取的有計(jì)劃的系統(tǒng)行動(dòng)。 醫(yī)療機(jī)構(gòu)質(zhì)量控制程序示例 ? 一、放射科影像質(zhì)量保證組織和人員職責(zé)分工 ? 二、放射科工作人員準(zhǔn)入要求 ? 三、影像質(zhì)量評(píng)價(jià) 制度 ? 四、影像質(zhì)量評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn) ? 五、診斷報(bào)告書(shū)寫(xiě)格式和質(zhì)量評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn) ? 六、影像檢查過(guò)程的質(zhì)量控制 ? 七、相關(guān)資料的記錄、保存 ? 八、醫(yī)療安全的保證 ? 九、影像檢查設(shè)備的質(zhì)量控制 一、放射科影像質(zhì)量保證組織和人員職責(zé)分工 ? （一）各級(jí)醫(yī)院放射科應(yīng)建立影像質(zhì)量保證工作小組，小組成員應(yīng)包括高年資影像診斷醫(yī)師、放射科技師、影像設(shè)備 維修 人員相關(guān)專(zhuān)業(yè)工程技術(shù)人員，一般由 57人組成。影像診斷醫(yī)師負(fù)責(zé)診斷操作的質(zhì)量控制和影像診斷 報(bào)告 質(zhì)量的控制。 作用： 濾線柵可以減少被照體產(chǎn)生的散射線 ,改善 X射線影像的對(duì)比度和清晰度，從而提高 X射線影像的質(zhì)量和醫(yī)療診斷效果 DR成像板 DR成像板的分類(lèi) ?直接 直接能量轉(zhuǎn)換 非晶硒 ?間接 間接能量轉(zhuǎn)換 非晶硅和 CCD 一、 非晶硒探測(cè)器結(jié)構(gòu)及其成像原理 :(直接成像 ) 直接成像 X線 非晶硒感光層 電信號(hào) 影像數(shù)字信息 非晶硒探測(cè)器 ? 直接數(shù)字化 X線成像的平板探測(cè)器，利用了非晶硒的光電導(dǎo)性，將 X線直接轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，形成全數(shù)字化影像。 非晶硅探測(cè)器 ? 非晶硅平板探測(cè)器，是一種以非晶硅光電二極管陣列為核心的X線影像探測(cè)器。 碘化銫 針柱直徑 6μm 主要非晶硅平板探測(cè)器參數(shù)說(shuō)明 探測(cè)器 法國(guó) Trixell Pixium 4600 美國(guó) GE Revolution 美國(guó) VARIAN PaxScan4343R DRZ Plus 日本佳能 CXDI40G 韓國(guó)三星 探測(cè)器類(lèi)型 針狀碘化銫 +非晶硅 4塊拼接 碘化銫 +非晶硅 整版 碘化銫 +非晶硅 整版 硫氧化釓 +非晶硅 整版 碘化銫 +非晶硅 整版 影像區(qū)面積 43cm43cm 41cm41cm 43cm43cm 43cm43cm 43cm43cm 像素矩陣 3K3K 2K2K 3K3K 26882688 3K3K 像素大小 143um 200um 139um 160um 143um 極限空間分辨率 DQE (100%MTF時(shí)） 65% 74% 70% 33% 65% A/D 轉(zhuǎn)換 14bit 14bit 14bit 14bit 14bit 灰階度 14bit 14bit 14bit 12bit 14bit 圖像預(yù)覽時(shí)間 ＜ 5s ＜ 5s ＜ 3s ＜ 3s ＜ 5s 圖像處理時(shí)間 ＜ 8s ＜ 8s ＜ 5s ＜ 20s ＜ 15s 工作環(huán)境要求 溫度 1830℃ 溫度 1040℃ 溫度 1040℃ 溫度 1040℃ 溫度 1040℃ 是否需要特殊輔助裝置 （如水冷設(shè)備） 不需要 需要 不需要 不需要 不需要 探測(cè)器校正周期 36個(gè)月 用戶自定義校正周期（建議每一年校正一次） 用戶自定義校正周期（建議每一年校正一次） 用戶自定義校正周期（建議每一年校正一次） 用戶自定義校正周期（建議每一年校正一次） 非晶硅平板探測(cè)器 優(yōu)缺點(diǎn) ? 優(yōu)點(diǎn)： ? 轉(zhuǎn)換效率高； ? 動(dòng)態(tài)范圍廣； ? 空間分辨率高； ? 在低分辨率區(qū) X線吸收率高（原因是其原子序數(shù)高于非晶硒）； ? 環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)。 CCD的特性
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