《bonding制程簡(jiǎn)介》ppt課件-全文預(yù)覽
【正文】 製程主要異常50WDELCMAA to A+製程主要異常 Line defect216。ACF粒子破裂適中 ，成小精靈狀A(yù)CF粒子過碎，成不規(guī)則狀：壓力過大。 Gate: D≦ 1/2 Panel端子寬度 (w)216。 1000 pcs / ㎜ 2Adhesive (膠 )廠商 ： Hitachi Chemical型號(hào) ： AC4255U116寬度 177。? 使 ACF之導(dǎo)電粒子破裂變形 ， 構(gòu)成導(dǎo)通電路。ACF Attach NGn 反摺n 過短n 貼附位置錯(cuò)誤216。製程點(diǎn)檢 COG 壓痕22WDELCMAA to A+導(dǎo)電粒子 (壓著 )破裂狀況檢查下圖中單顆 IC之左及右位置，其 ACF導(dǎo)電粒子破裂之狀況粒子破裂狀態(tài)，需有 5 個(gè)以上呈現(xiàn)小精靈狀製程點(diǎn)檢 COG 導(dǎo)電粒子23WDELCMAA to A+製程主要異常216。10181。216。 PressureConductive ParticlesIC Bump AdhesivePanel Lead16WDELCMAA to A+ACF壓著程度216。CFTFTPolarizerPolarizer Table下刀部Chip ICACF熱壓頭Teflon sheet10WDELCMAA to A+製程相關(guān)材料A. 直接材料 ACF(異方性導(dǎo)電膠 ) Chip ICB. 間接材料Teflon sheet11WDELCMAA to A+COG IC 構(gòu)造input BumpInput Bump Output BumpDummy Bump Align markAlign mark12WDELCMAA to A+ACF材料規(guī)格型號(hào)規(guī)格 : AC8405Z23供應(yīng)商 : Hitachi Chemical重要尺寸 :導(dǎo)電粒子大小 : 3 μ m厚度 : 23 μ m寬度 : mm13WDELCMAA to A+ACF構(gòu)造ACF 厚度 177。Westinghouse Digital ElectronicLCMAbonding製程介紹製程介紹 amp。? 讓面板內(nèi)的 TFT能接收到 IC輸出的正確信號(hào)及資料。 ㎜8μｍ15μｍ14WDELCMAA to A+ACF構(gòu)造(中間塑膠部份當(dāng)成緩衝材可避免熱脹冷縮後造成 Peeling)金無法直接 Coating在塑膠上 (附著性不佳 )因此先鍍鎳再鍍金； 鍍金的原因是金有最佳的延展性以及活性很小不會(huì)與其他材料起化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)電性好僅次於銀與銅15WDELCMAA to A+ACF導(dǎo)電原理Heat amp。 ACF粒子未破裂，成小圓 點(diǎn)狀：壓力不足。使用 telfon sheet之目的：利用其表面光滑的特性 ,隔開 ACF與熱壓頭黏附 .避免由于熱壓頭高溫造成 Chip IC溫度急劇變化縮短產(chǎn)品壽命 .PANELTeflon SheetACFHeadBUMPBUMPICIC18WDELCMAA to A+製程相關(guān)點(diǎn)檢COG 偏移量 Production: MH0E5X方向 (Lx、 Rx) ≦ 177。m Production: MH0E5L05 以 PANEL的 □視窗中心為基準(zhǔn)，量測(cè) □視窗中心到 chip ic 對(duì)位 mark中心的距離方向表示如右 :LyLx+XYX+Y19
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