《圖設計規(guī)則》ppt課件-全文預覽
【正文】 集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Metal Nwell poly metal omicontact Nwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal P+ implant SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Metal P－ type Si Pwell SiO2 場氧 場氧 場氧 poly S/D N+ 接觸 metal metal metal 版圖層次定義 MASK metal Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 P+/N+ CON 金屬 通孔 ?P+/N+擴 散區(qū) ? 接觸孔 ?金屬層 (Metal) ? 通孔（ VIA） Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 通孔 VIA 層間介質(zhì)充當各層金屬以及第一層金屬與硅之間的 介質(zhì)材料。 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 本章重點內(nèi)容 CMOS工藝中每層版圖在工藝制造中 的 作用 CMOS工藝制造反相器的流程，以及 與之對應的版 圖 。通孔中常用導電 金屬（比如鎢）來填充，形成金屬層間的電學通路。 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 P+/N+擴散區(qū) P+和 N+的作用 1. NMOS和 PMOS的源 /漏區(qū) 2. 金屬 1和 N阱（ N+擴散區(qū)）或 P襯底（ P+擴散區(qū)）的 接觸 3. N+電阻或 P+電阻 4. 二極管 N區(qū)（ N+擴散區(qū)）或 P區(qū)（ P+擴散區(qū)） 5. 寄生 PNP管 N區(qū)（ N+擴散區(qū)）或 P區(qū)（ P+擴散區(qū)） 6. Guarding（保護環(huán)） Copyright by Mo Bing active 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 P+/N+擴散區(qū) Nwell poly 版圖層次定義 Pwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal P+ implant SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Pwell SiO2 P－ type Si MASK P+ 場氧 場氧 場氧 poly 版圖層次定義 光刻膠 P+/N+擴散區(qū) SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Pwell SiO2 P－ type Si MASK P+ 場氧 場氧 場氧 poly 版圖層次定義 光刻膠 P+/N+擴散區(qū) SiO2 Copyright by Mo Bing P+/N+擴散區(qū) P－ type Si 華僑 大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Pwell SiO2 場氧 場氧 場氧 版圖層次定義 光刻膠 poly P+ implant S/D Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 active P+/N+擴散區(qū) Nwell poly N+ impant 版圖層次定義 Nwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal SiO2 Copyright by Mo Bing P－ type Si 華僑 大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Pwell SiO2 場氧 場氧 場氧 poly 光 P+/N+擴散區(qū) MASK N+ 光刻膠 S/D SiO2 Copyright by Mo Bing P－ type Si 華僑 大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Pwell SiO2 場氧 場氧 場氧 poly 光 P+/N+擴散區(qū) MASK N+ 光刻膠 S/D SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 P+/N+擴散區(qū) P－ type Si Pwell SiO2 場氧 場氧 場氧 S/D poly 版圖層次定義 N+ implant 光刻膠 N+ 接觸 Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 Contact 接觸形成的工藝的目的是在所有的硅的有源區(qū)和 Poly形成金屬接觸，這層金屬接觸可以使硅和隨后淀積 的金屬導電材料更加緊密的結(jié)合。 ，禁止多晶跨過有源區(qū)，避免產(chǎn)生 寄生器件。 Poly 做互連線最大的問題是 Poly的方塊電阻數(shù)量級比較大， 大約 在 20歐姆 /；此外 Poly離襯底比較近，和襯底之 間的寄生電容比較大，因而通 過 Poly的延遲比通過金屬 的延遲大?，F(xiàn)代工藝中 一般不使用 LOCOS做隔離， 而是使用淺槽隔離（ STI）。從 某種意義上說有源區(qū)的掩膜板主要用于打開 離子注入的窗口。 極紫外線 不透光區(qū) 透光區(qū) 掩膜版 曝光區(qū) 襯底 NWell Copyright by Mo Bing 華僑大學廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 接著將硅片暴露在施主原子下，施主雜質(zhì)會被光刻 膠阻擋住，同時也能通過光刻膠上的開孔擴散到開孔區(qū) 域的硅片中。 ，電阻率較高， 可以用于制造 電阻，稱為阱電阻。 現(xiàn)代工藝出于犧牲 PMOS性能來優(yōu)化 NMOS 性能，所以大多數(shù)工藝都是 N阱工藝。 源 p + 源 n + 漏 n + 漏 p + 柵 柵 n阱
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