圖設(shè)計(jì)規(guī)則ppt課件(參考版)
2025-01-20 16:59本頁(yè)面
【正文】 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 本章重點(diǎn)內(nèi)容 CMOS工藝中每層版圖在工藝制造中 的 作用 CMOS工藝制造反相器的流程，以及 與之對(duì)應(yīng)的版 圖 。通孔中常用導(dǎo)電 金屬（比如鎢）來(lái)填充，形成金屬層間的電學(xué)通路。現(xiàn)代工藝中一般包含多層金屬： Copyright by Mo Bing active 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 Metal Nwell poly metal omicontact Nwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal P+ implant SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 Metal P－ type Si Pwell SiO2 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 poly S/D N+ 接觸 metal metal metal 版圖層次定義 MASK metal Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 P+/N+ CON 金屬 通孔 ?P+/N+擴(kuò) 散區(qū) ? 接觸孔 ?金屬層 (Metal) ? 通孔（ VIA） Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 通孔 VIA 層間介質(zhì)充當(dāng)各層金屬以及第一層金屬與硅之間的 介質(zhì)材料。 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 P+/N+擴(kuò)散區(qū) P+和 N+的作用 1. NMOS和 PMOS的源 /漏區(qū) 2. 金屬 1和 N阱（ N+擴(kuò)散區(qū)）或 P襯底（ P+擴(kuò)散區(qū)）的 接觸 3. N+電阻或 P+電阻 4. 二極管 N區(qū)（ N+擴(kuò)散區(qū)）或 P區(qū)（ P+擴(kuò)散區(qū)） 5. 寄生 PNP管 N區(qū)（ N+擴(kuò)散區(qū)）或 P區(qū)（ P+擴(kuò)散區(qū)） 6. Guarding（保護(hù)環(huán)） Copyright by Mo Bing active 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 P+/N+擴(kuò)散區(qū) Nwell poly 版圖層次定義 Pwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal P+ implant SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 Pwell SiO2 P－ type Si MASK P+ 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 poly 版圖層次定義 光刻膠 P+/N+擴(kuò)散區(qū) SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 Pwell SiO2 P－ type Si MASK P+ 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 poly 版圖層次定義 光刻膠 P+/N+擴(kuò)散區(qū) SiO2 Copyright by Mo Bing P+/N+擴(kuò)散區(qū) P－ type Si 華僑 大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 Pwell SiO2 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 版圖層次定義 光刻膠 poly P+ implant S/D Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 active P+/N+擴(kuò)散區(qū) Nwell poly N+ impant 版圖層次定義 Nwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal SiO2 Copyright by Mo Bing P－ type Si 華僑 大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 Pwell SiO2 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 poly 光 P+/N+擴(kuò)散區(qū) MASK N+ 光刻膠 S/D SiO2 Copyright by Mo Bing P－ type Si 華僑 大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 Pwell SiO2 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 poly 光 P+/N+擴(kuò)散區(qū) MASK N+ 光刻膠 S/D SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 P+/N+擴(kuò)散區(qū) P－ type Si Pwell SiO2 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 S/D poly 版圖層次定義 N+ implant 光刻膠 N+ 接觸 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Contact 接觸形成的工藝的目的是在所有的硅的有源區(qū)和 Poly形成金屬接觸，這層金屬接觸可以使硅和隨后淀積 的金屬導(dǎo)電材料更加緊密的結(jié)合。 而 P+和 N+擴(kuò)散區(qū)的作用在于實(shí)現(xiàn)離子的注入，從而 控制硅的摻雜類型。 ，禁止多晶跨過(guò)有源區(qū)，避免產(chǎn)生 寄生器件。 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Poly 晶體管中柵結(jié)構(gòu)的制作是流程中最關(guān)鍵的一步，因?yàn)? 它包含了最薄柵氧化層的熱生長(zhǎng)以及多晶硅柵的刻蝕，而 多晶硅柵的寬度通常都是整個(gè)硅片上最關(guān)鍵的線寬。 Poly 做互連線最大的問(wèn)題是 Poly的方塊電阻數(shù)量級(jí)比較大， 大約 在 20歐姆 /；此外 Poly離襯底比較近，和襯底之 間的寄生電容比較大，因而通 過(guò) Poly的延遲比通過(guò)金屬 的延遲大。 Poly２一起制造 PIP電容（多晶硅１ －絕緣層－ Poly２）?，F(xiàn)代工藝中 一般不使用 LOCOS做隔離， 而是使用淺槽隔離（ STI）。 有源區(qū) Nwell
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