微納加工工藝流程(文件)
【正文】 in1min9min∕cm178。90sec30〞3000rpmSU8 302525℃不詳(不到20%)10〞500rpm2min5min1min3min19μw∕cm178。190sec30〞1500rpmSU8 305022℃20%10〞500rpm2min15min1min5min18μw∕cm178。90sec30〞3500rpmSU8 305023℃20%10〞500rpm2min15min1min5min∕cm178。基片在轉(zhuǎn)動盤的帶動下快速旋轉(zhuǎn)，一般先用較低速運轉(zhuǎn)數(shù)秒使膠散開，然后再以高速運轉(zhuǎn)使膠在離心力的作用下均勻的覆蓋在基片上，此過程稱旋涂（SpinCoating）。超凈間內(nèi)微塵的數(shù)量一般為千級()，局部為百級，可以很好的保證甩膠的質(zhì)量。光刻及顯影光膠涂布后，要進行前烘烤，使液態(tài)光膠固化，稱為前烘。經(jīng)過光刻，可將掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。如圖5所示： 圖5 光刻膠對掩模上圖形的轉(zhuǎn)移。根據(jù)不同的需要，顯影后有時要進行定影和后烘烤，以保證圖形的平整度和堅固性。PDMS由于具有獨特的彈性，良好的透光性，高介電性，化學惰性，無毒，容易加工，價格便宜而得到廣泛的應用。通過控制單體和交聯(lián)劑的比例可以調(diào)節(jié)PDMS的硬度。圖7為制作芯片PDMS部分的示意圖： 圖7 PDMS的鑄模過程。圖8 北大微流與納米技術(shù)中心空氣等離子體處理器。同時，等離子體轟擊表面還有助于表面的凈化。3． 取出冷卻后按不同區(qū)域用刀片切好?？偨Y(jié)：PDMS軟注膜以及芯片粘合：1． 配置A:B=10：1的PDMS約30克，攪拌均勻后等倒入模具盒子內(nèi)等氣泡消失。用氧離子轟擊玻璃和PDMS的表面，可以提高其表面活性，之后通過一定的壓力即可使二者永久鍵合。PDMS與PDMS之間的封合通常采用熱封合的辦法。將攪勻的液態(tài)PDMS倒在模具上，等到無氣泡時，放到80oC的恒溫箱內(nèi)30分鐘，PDMS完全固化后，將其從模具上剝離，即可得到有圖形的PDMS。PDMS對300nm以上的光有很好的光透性。二、 按甩膠，前烘，曝光，后烘，顯影，吹干步驟完成由掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。使用正光膠時，顯影得到的圖形與所用掩模的圖像相同；使用負光膠時，顯影得到的圖形與掩模上的圖形相反。之后進行紫外曝光，曝光機在曝光的區(qū)域內(nèi)光強的誤差一般會小于5%，這使得整個基片上的光刻膠可以均勻的進行曝光。一般曝光設備大多采用紫外光源如汞燈，且具有XY方向的對位功能，簡易式的可只需一個汞燈光源。解決的方法為在硅片上預先涂上一層物質(zhì)，使光膠的附著力增強。此外，光膠預烘烤的溫度和時間、光膠的施加量及環(huán)境溫度也有一定影響。先將基片（通常是硅片襯底）置于甩膠機的轉(zhuǎn)盤上，基片在真空的作用下被吸在盤上。130sec30〞2500rpmSU8 305024℃24%10〞500rpm2min15min1min5min∕cm178。65sec19μm30〞4000rpm光刻標定相關(guān)數(shù)據(jù)（SU8 3050）膠型環(huán)境溫度環(huán)境濕度涂膠轉(zhuǎn)數(shù)(兩步程序)前烘時間后
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