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色譜分析法概論 (2)(文件)

2025-06-07 02:50 上一頁面

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【正文】 高度 H =L/n 注意: 計(jì)算 n時(shí)使標(biāo)準(zhǔn)差(峰寬或半峰寬)和保留時(shí)間 單位一致 n的單位 75 有效理論塔板數(shù)和有效理論塔板高度 239。 塔板高度 渦流擴(kuò)散項(xiàng) 縱向擴(kuò)散項(xiàng) 傳質(zhì)阻抗項(xiàng) H = A + B/u + Cu 79 ? 渦流擴(kuò)散 (eddy diffusion) 也稱為多徑擴(kuò)散 速率理論 (一 )影響 H的動(dòng)力學(xué)因數(shù) 80 81 ?渦流擴(kuò)散 原因:柱填充不均勻 A=2?dp 速率理論 (一 )影響 H 的動(dòng)力學(xué)因數(shù) A:渦流擴(kuò)散系數(shù),其單位為 cm。 原因: 濃度差 83 ?縱向擴(kuò)散項(xiàng) B/u 影響因素: u , B=2?Dm B:縱向擴(kuò)散系數(shù),其單位為 cm2/s, ?:彎曲因子,反映固定相顆粒對(duì)分子擴(kuò)散 的阻礙。 結(jié)果 :( 非平衡狀態(tài) ),使有些分子較快向前移動(dòng),而另一些滯后,引起峰展寬。 速率理論 (一 )影響 H 的動(dòng)力學(xué)因數(shù) 84 ?傳質(zhì)阻抗 (mass transfer resistance) 速率理論 (一 )影響 H 的動(dòng)力學(xué)因數(shù) 傳質(zhì):溶解、擴(kuò)散、轉(zhuǎn)移的過程。 dp:填料 (固定相 ) 顆粒的平均直徑, dp小, A??;但 dp 太小, ?和柱阻 大。 沒有考慮各種動(dòng)力學(xué)因素對(duì)傳質(zhì)過程的 影響; 無法解釋柱效與流動(dòng)相流速的關(guān)系; 不能說明影響柱效有哪些主要因素。 σ是柱效的標(biāo)志。 C0一定時(shí), 峰高 h取決于 σ。 65 N 柱出口 0 0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 6 7 8 9 10 k=1的組分從 n=5色譜柱中的流出曲線圖 66 色譜流出曲線 當(dāng)塔板數(shù)很大時(shí),流出曲線趨于正態(tài)分布曲線。 兩組分開始分離, k小的組分 B在柱后 先出現(xiàn)濃度極大值 , 即先出柱。 如 N=3, 展開式為: (+)3=+++ 0 1 2 3號(hào) 在固定相和流動(dòng)相中的質(zhì)量分布由 k(K)決定 56 轉(zhuǎn)移 N次后 , 第 r號(hào)塔板中的質(zhì)量 Nmr: rrNrN mmrNrNm ms)!(!!??? --57 例:轉(zhuǎn)移 3次后 , 在第 2號(hào)塔板內(nèi)的溶 質(zhì)分?jǐn)?shù) 444066703330)23(23 2)23(23...!!!m??????58 組分 B(kB=)在 n=5的色譜柱內(nèi)及出口的分布 N r 0 1 2 3 4 柱出口 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 2 0 0 0 3 0 0 4 0 5 6 7 0 8 0 9 0 0 10 0 0 59 注意: 柱出口處的質(zhì)量分?jǐn)?shù)的計(jì)算。 53 (一)質(zhì)量分配和轉(zhuǎn)移 單一組分 B( kB=)的分配和轉(zhuǎn)移 ① 設(shè)色譜柱的塔板數(shù) n=5,即 r=0、 4(或 n1)號(hào)。 52 塔板理論假定: ?① 在色譜柱內(nèi)每一“塔板” H內(nèi),組分在兩相間瞬間達(dá)到分配平衡。 –動(dòng)力學(xué)理論 :研究各種動(dòng)力學(xué)因素對(duì)峰展寬的影響,速率理論( rate theory)。 46 空間排阻色譜法 ?保留體積與滲透系數(shù)的關(guān)系 )1(msPmR VVKVV ??sp0R VKVV ??Vm≈ V0 分子線團(tuán)尺寸(分子量)大的組分, 其滲透系數(shù)小,保留體積也小, 因而先被洗脫出柱 。在一定分子線團(tuán)尺寸范圍內(nèi), Kp與分子量相關(guān),即組分按分子量的大小分離。 ? 分為陽離子交換色譜法和陰離子交換色譜法。 ①飽和碳?xì)浠衔餅榉菢O性化合物,不被吸附。 ?o值越大,固定相對(duì)溶劑的吸附能力越強(qiáng),即洗脫能力越強(qiáng)。 ?經(jīng)典液相柱色譜和薄層色譜:一般硅膠 ?高效液相色譜:球型或無定型全多孔硅 膠和堆積硅珠。 ?吸附過程是試樣中組分的分子 (X)與流動(dòng)相分子 (Y)爭(zhēng)奪吸附劑表面活性中心的過程,即為競(jìng)爭(zhēng)吸附過程 。
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