【正文】 過程。 SiO2F： (Fluorided Silicon Oxide，二氧氟化硅 )制造電子元件才需要用到的材料。如果 僅是指令完成，但仍留在調(diào)度進(jìn)程中，亦不算是指令引退。但出廠以后，經(jīng)銷商把低檔的 CPU 超頻后，貼上新的標(biāo)簽，當(dāng)成高檔 CPU 賣的非法頻率定位則稱為 Remark。對(duì)于 X86 處理器來 說，寄存器不足已經(jīng)成為了它的最大特點(diǎn)，因此 AMD 才想在下一代芯片 K8 之中，增加寄存器的數(shù)量。 PQFP： (Plastic Quad Flat Package，塑料方塊平面封裝 )一種芯片封裝形式。 PostRISC： 一種新型的處理器架構(gòu)，它的內(nèi)核是 RISC，而外圍是 CISC，結(jié)合了兩種架構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，擁有預(yù)測(cè)執(zhí)行、處理器重命名等先進(jìn)特性，如： Athlon。 NI： （ Non－ Intel，非英特爾架構(gòu)） 除了英特爾之外，還有許多其它生產(chǎn)兼容 x86 體系的廠商，由于專利權(quán)的問題，它們的產(chǎn)品 和英特爾系不一樣，但仍然能運(yùn)行 x86 指令?，F(xiàn)今的大多數(shù) x86 指令都需要約 5 個(gè)時(shí)鐘周期，但這些周期之中有部分是與其它指令交迭在一起的（并行處理），因此 CPU制造商宣傳的潛伏期要比實(shí)際的時(shí)間長。 Instruction Issue： （指令發(fā)送）它是第一個(gè) CPU 管道，用于接收內(nèi)存送到的指令，并把它發(fā)到執(zhí)行單元。 IMM： （ Intel Mobile Module,英特爾移動(dòng)模塊）英特爾開發(fā)用于筆記本電腦的處理器模塊，集成了 CPU 和其它控制設(shè)備。 FMUL： (Floationg Point Multiplication，浮點(diǎn)乘） FPU： (Float Point Unit，浮點(diǎn)運(yùn)算單元 )FPU 是專用于浮點(diǎn)運(yùn)算的處理器，以前的 FPU是一種單獨(dú)芯片，在 486 之后，英特爾把 FPU 與集成在 CPU 之內(nèi)。 FFT： （ fast Fourier transform，快速熱歐姆轉(zhuǎn)換）一種復(fù)雜的算法，可以測(cè)試 CPU的浮點(diǎn)能力。 EPIC： (explicitly parallel instruction code，并行指令代碼 )英特爾的 64 位芯片架構(gòu)，本身不能執(zhí)行 x86 指令，但能通過譯碼器來兼容舊有的 x86 指令，只是運(yùn)算速度比真正的 32位芯片有所下降。 Data Forwarding： （數(shù)據(jù)前送） CPU 在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，把一個(gè)單元的輸出值內(nèi)容拷貝到另一個(gè)單元的輸入值中。 CISC： (Complex Instruction Set Computing，復(fù)雜指令集計(jì)算機(jī) )相對(duì)于 RISC 而言，它的指令位數(shù)較長，所以稱為復(fù)雜指令。 BHT： (branch prediction table，分支預(yù)測(cè)表 )處理器用于決定分支行動(dòng)方向的數(shù)值表。 ● 硬體術(shù)語大全 |常見硬體術(shù)語手冊(cè) 常見硬件術(shù)語不太全 一、 CPU 術(shù)語解釋 3DNow!： (3D no waiting)AMD 公司開發(fā)的 SIMD 指令集，可以增強(qiáng)浮點(diǎn)和多媒體運(yùn)算的速度，它的指令數(shù)為 21 條。 BPU： (Branch Processing Unit，分支處理單元 )CPU 中用來做分支處理的那一個(gè)區(qū)域。如： x86 指令長度為 87 位。 Decode： （指令解碼）由于 X86 指令的長度不一致，必須用一個(gè)單元進(jìn)行“翻譯”，真正的內(nèi)核按翻譯后要求來工作。 FADD： （ Floationg Point Addition，浮點(diǎn)加） FCPGA(Flip Chip Pin Grid Array，反轉(zhuǎn)芯片針腳柵格陣列 )一種芯片封裝形式，例：奔騰 III 370。 FID： (FID： Frequency identify，頻率鑒別號(hào)碼 )奔騰 III通過 ID 號(hào)來檢查 CPU 頻率的方法，能夠有效防止 Remark。 FSUB： (Floationg Point Subtraction，浮點(diǎn)減） HLPBGA： （表面黏著、高耐熱、輕薄型塑膠球狀矩陣封裝）一種芯片封裝形式。 Instructions Cache： （指令緩存）由于系統(tǒng)主內(nèi)存的速度較慢，當(dāng) CPU 讀取指令的時(shí)候，會(huì)導(dǎo)致 CPU 停下來等待內(nèi)存?zhèn)鬏數(shù)那闆r。 IPC（ Instructions Per Clock Cycle，指令 /時(shí)鐘周期）表示在一個(gè)時(shí)鐘周期用可以完成的指令數(shù)目。 LDT： (Lightning Data Transport，閃電數(shù)據(jù)傳輸總線 )K8 采用的新型數(shù)據(jù)總 線，外頻在 200MHz 以上。 OLGA： (Organic Land Grid Array，基板柵格陣列 )一種芯片封裝形式。 PSN： (Processor Serial numbers，處理器序列號(hào) )標(biāo)識(shí)處理器特性的一組號(hào)碼，包括主頻、生產(chǎn)日期、生產(chǎn)編號(hào)等。 RAW： (Read after Write，寫后讀 )這是 CPU 亂序執(zhí)行造成的錯(cuò)誤，即在必要條件未成立之前，已經(jīng)先寫下結(jié)論，導(dǎo)致最終結(jié)果出錯(cuò)。 Register Renaming： （寄存器重命名）把一個(gè)指令的輸出值重新定位到一個(gè)任意的內(nèi)部寄存器。因?yàn)樯a(chǎn)商有權(quán)力改變自己的產(chǎn)品，而經(jīng)銷商這樣做就是侵犯版權(quán)，不要以為只有軟件才有版權(quán)，硬件也有版權(quán)呢。 RISC： (Reduced Instruction Set Computing，精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī) )一種指令長度較短的計(jì)算機(jī)，其運(yùn)行速度比 CISC 要快。 SOI： （ Silicon on insulator，絕緣體硅片） SONC(System on a chip,系 統(tǒng)集成芯片 )在一個(gè)處理器中集成多種功能，如： Cyrix MediaGX。 SQRT： （ Square Root Calculations，平方根計(jì)算）一種復(fù)雜的運(yùn)算，可以考驗(yàn) CPU的浮點(diǎn)能力。 Throughput： （吞吐量）它包括兩種含義： 第一種：執(zhí)行一條指令所需的最少時(shí)鐘周期數(shù)，越少越好。 VALU： (Vector Arithmetic Logic Unit，向量算術(shù)邏輯單元 )在處理器中用于向量運(yùn)算的部分。硬盤的主軸馬達(dá)帶動(dòng)盤片高速旋轉(zhuǎn)，產(chǎn)生浮力使磁頭飄浮在盤片上方。理論上，轉(zhuǎn)速越快越好。然而，轉(zhuǎn)速的提高也帶來了磨損加劇、溫度升高、噪聲增大等一系列負(fù)面影響。 平均尋道時(shí)間（ Average seek time）：指硬盤在盤 面上移動(dòng)讀寫頭至指定磁道尋找相應(yīng)目標(biāo)數(shù)據(jù)所用的時(shí)間，它描述硬盤讀取數(shù)據(jù)的能力，單位為毫秒。平均訪問時(shí)間最能夠代表硬盤找到某一數(shù)據(jù)所用的時(shí)間，越短的平均訪問時(shí)間越好，一般在 11ms－ 18ms 之間。也叫持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸率（ sustained transfer rate）。這種技術(shù)可以對(duì)硬盤的磁頭單元、盤片電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、硬盤內(nèi)部電路以及盤片表面媒介材料等進(jìn)行監(jiān)測(cè)，當(dāng) 監(jiān)測(cè)并分析出硬盤可能出現(xiàn)問題時(shí)會(huì)及時(shí)向用戶報(bào)警以避免電腦數(shù)據(jù)受到損失。目前的 MR 技術(shù)已有幾代產(chǎn)品。 GMR（ GiantMagoresistive）巨磁阻磁頭 GMR 磁頭與 MR 磁頭一樣，是利用特殊材料的電阻值隨磁場(chǎng)變化的原理來讀取盤片上的數(shù)據(jù)，但是 GMR磁頭使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu)，比 MR磁頭更為敏感，相同的磁場(chǎng)變化能引起更大的電阻值變化，從而可以實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度，現(xiàn)有的 MR 磁頭能夠達(dá)到的盤片密度為 3Gbit－ 5Gbit/in2（千兆位每平方英寸），而 GMR 磁頭可以達(dá)到 10Gbit－40Gbit/in2 以上。在接口技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到一個(gè)相對(duì)成熟的階段的時(shí)候，緩存的大小與速度是直接關(guān)系到硬盤的傳輸速度的重要因素。寫通式在讀硬盤數(shù)據(jù)時(shí)，系統(tǒng)先檢查請(qǐng)求指令，看看所要的數(shù)據(jù)是否在緩存中，如果在的話就由緩存送出響應(yīng)的數(shù)據(jù)，這個(gè)過程稱為命中。一般硬盤的MTBF 至少在 30000 或 40000 部分響應(yīng)完全匹配技術(shù) PRML(Partial Response Maximum Likelihood)：能使盤片存儲(chǔ)更多的信息，同時(shí)可以有效地提高數(shù)據(jù)的讀取和數(shù)據(jù)傳輸率。 單磁道時(shí)間（ Single track seek time）：指磁頭從一磁道轉(zhuǎn)移至另一磁道所用的時(shí)間。 硬盤表面溫度： 指硬盤工作時(shí)產(chǎn)生的溫度使硬盤密封殼溫度上升情況。使用該技術(shù)的硬盤并配合相應(yīng)的芯片組，最大傳輸速度可以由 16MB/s 提高到 66MS/s。 Ultra160/mSCSI 被引入硬盤世界，對(duì)硬盤在高計(jì)算量應(yīng)用領(lǐng)域的性能擴(kuò)展極有裨益，處理關(guān)鍵任務(wù)的服務(wù)器、圖形工作站、冗余磁盤陣列（ RAID）等設(shè)備將因此得到性能提升。某些專門的存儲(chǔ)應(yīng)用領(lǐng)域，例如小型存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)（ SAN）以及數(shù)碼視像應(yīng)用，往往需要高達(dá)每秒 200MB 的數(shù)據(jù)傳輸速率和強(qiáng)勁的聯(lián)網(wǎng)能力，光纖通道技術(shù)的推出正適應(yīng)了這一需求。 IEEE1394： IEEE1394 又稱為 Firewire（火線）或 P1394，它是一種高速串行總線，現(xiàn)有的 IEEE1394 標(biāo)準(zhǔn)支持 100Mbps、 200Mbps 和 400Mbps 的傳輸速率，將來會(huì)達(dá)到800Mbps、 1600Mbps、 3200Mbps 甚至更高，如此高的速率使得它可以作為硬盤、 DVD、 CD－ ROM 等大容量存儲(chǔ)設(shè)備的接口。計(jì)算機(jī)的硬盤主要由碟片、磁頭、磁頭臂、磁頭臂服務(wù)定位系統(tǒng)和底層電路板、數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)以及接口等組成。 磁頭：硬盤的磁頭是用線圈纏繞在磁芯上制成的，最初的磁頭是讀寫合一的，通過電流變化去感應(yīng)信號(hào)的幅度。 AMR（ Anisotropic Mago Resistive， AMR）：一種磁頭技術(shù)， AMR 技術(shù)可以支持，在 1997 年 AMR 是當(dāng)時(shí)市場(chǎng)的主流技術(shù)。而且自由層的磁場(chǎng)強(qiáng)度和方向則是隨著轉(zhuǎn)到磁頭下面的磁盤表面的微小磁化區(qū)所改變的，這種磁場(chǎng)強(qiáng)度和方向的變化導(dǎo)致明顯的磁頭電阻變化，在一個(gè)固定的信號(hào)電壓下面，就可以拾取供硬盤電路處理的信號(hào)。當(dāng)磁記錄密度達(dá)到某一程度后，兩個(gè)信號(hào)之間相互干擾的現(xiàn)象就會(huì)非常嚴(yán)重。這個(gè)部分便稱為局部響應(yīng)。 間隔因子：硬盤磁道上相鄰的兩個(gè)邏輯扇區(qū)之間的物理扇區(qū)的 數(shù)量。目前，一般的硬盤在電源關(guān)閉時(shí)會(huì)自動(dòng)將磁頭停在著陸區(qū)，而老式的硬盤需執(zhí)行 PARK 命令才能將磁頭歸位。反應(yīng)時(shí)間是硬盤將利用多長的時(shí)間完成第一次的轉(zhuǎn)輪旋轉(zhuǎn)。平均潛伏期是越小越好，潛伏期小代表硬盤的讀取數(shù)據(jù)的等待時(shí)間短，這就等于具有更高的硬盤數(shù)據(jù)傳輸率。目前主流硬盤普通采用的是 Ultra ATA/66，它的最大外部數(shù)據(jù)率即為 ， 20xx 年推出的 Ultra ATA/100，理論上最大外部數(shù)據(jù)率為 100MB/s，但由于內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率的制約往往達(dá)不到這么高。對(duì)于大數(shù)據(jù)緩存的硬盤在存取零散文件時(shí)具有很大的優(yōu)勢(shì)。一般硬盤的 MTBF 至少在 30000 或 40000 小時(shí)。 MaxSafe：是邁拓在金鉆二代上應(yīng)用的技術(shù)，它的核心是將附加的 ECC 校驗(yàn)位保存在硬盤上，使讀寫過程都經(jīng)過校驗(yàn)以保證數(shù)據(jù)的完整性。它使用的是黏膜液油軸承，以油膜代替滾珠，可有效地降低以上問題。 ST－ 506 接口使用起來相當(dāng)簡(jiǎn)便， 它不需要任何特殊的電纜及接頭，但是它支持的傳輸速度很低，因此到了 1987 年左右這種接口就基本上被淘汰了，采用該接口的老硬盤容量多數(shù)都低于 200MB。但其成本較高，與后來產(chǎn)生的 IDE接口相比無優(yōu)勢(shì)可言，因此在九十年代后就被淘汰了。 ATA 在主板上有一個(gè)插口，支持一個(gè)主設(shè)備和一個(gè)從設(shè)備，每個(gè)設(shè)備的最大容量為504MB， ATA 最早支持的 PIO0 模式（ Programmed I/O0）只有 ，而 ATA1 一共規(guī)定了 3 種 PIO 模式和 4 種 DMA 模式（沒有得到實(shí)際應(yīng)用），要升級(jí)為 ATA2，需要安裝一個(gè)EIDE 適配卡。通?？蓪⒆羁斓挠脖P和 CDROM 放置在主插口上，而將次要一些的設(shè)備放在從插口上，這種放置方式對(duì)于 486 及早期的 Pentium 電腦是必要的，這樣可以使主插口連在快速的 PCI 總線上，而從插口連在較慢的 ISA 總線上。 SIMM (Single Inline Memory Module)：電路板上面焊有數(shù)目不等的記憶 IC，可分為以下 2 種型態(tài)： 72PIN： 72腳位的單面內(nèi)存模塊是用來支持 32 位的數(shù)據(jù)處理量。 SODIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module) （ 144PIN）： 這是一種改良型的 DIMM