【正文】 (branch prediction table，分支預(yù)測表 )處理器用于決定分支行動方向的數(shù)值表。 FFT： （ fast Fourier transform，快速熱歐姆轉(zhuǎn)換）一種復(fù)雜的算法，可以測試 CPU的浮點(diǎn)能力?，F(xiàn)今的大多數(shù) x86 指令都需要約 5 個時鐘周期，但這些周期之中有部分是與其它指令交迭在一起的（并行處理），因此 CPU制造商宣傳的潛伏期要比實際的時間長。對于 X86 處理器來 說，寄存器不足已經(jīng)成為了它的最大特點(diǎn)，因此 AMD 才想在下一代芯片 K8 之中，增加寄存器的數(shù)量。當(dāng)分支指令發(fā)出之后，傳統(tǒng)處理器在未收到正確的反饋信息之前，是不能做任何工作的，而具有預(yù)測執(zhí)行能力的新型處理器，可以估計即將執(zhí)行的指令，采用預(yù)先計算的方法來加快整個 處理過程。目前市場上常見的硬盤轉(zhuǎn)速一般有 5400rpm、 7200rpm、甚至 10000rpm。目前 采用UDMA/66 技術(shù)的硬盤的外部傳輸率已經(jīng)達(dá)到了 最大內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率（ Internal data transfer rate）： 指磁頭至硬盤緩存間的最大數(shù)據(jù)傳輸率，一般取決于硬盤的盤片轉(zhuǎn)速和盤片數(shù)據(jù)線密度（指同一磁道上的數(shù)據(jù)間隔度）。硬盤的讀數(shù)據(jù)的過程是將磁信號轉(zhuǎn)化為電信號后，通過緩存一次次地填充與清空，再填充，再清空，一步步按照 PCI 總線的周期送出，可見，緩存的作用是相當(dāng)重要的。接口技術(shù)可以極大地提高硬盤的最大外部傳輸率，最大的益處在于可以把數(shù)據(jù)從硬盤直接傳輸?shù)街鲀?nèi)存而不占用更多的 CPU 資源，提高系統(tǒng)性能。這些產(chǎn)品一般是大容量硬盤，平均 尋道時間短，適應(yīng)于高速、高數(shù)據(jù)量的應(yīng)用需求，將為中高端存儲應(yīng)用提供良好保證。在栓層中，磁場強(qiáng)度是固定的 ,并且磁場方向被相臨的交換層所保持。著陸區(qū)不用來存儲數(shù)據(jù)，因些可避免磁頭在開、關(guān)電源期間緊急降落時所造成數(shù)據(jù)的損失。目前硬盤的高速緩存一般為 512KB2MB，目前主流 ATA 硬盤的數(shù)據(jù)緩存為 2MB，而在 SCSI 硬盤中最高的數(shù)據(jù)緩存現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到了 16MB。 ST506/412 接口：這是希捷開發(fā)的一種硬盤接口，首先使用這種接口的硬盤為希捷的ST－ 506 及 ST－ 412。 內(nèi)存模塊 (Memory Module)：提到內(nèi)存模塊是指一個印刷電路板表面上有鑲嵌數(shù)個記憶體芯片 chips，而這內(nèi)存芯片通常是 DRAM 芯片，但近來系統(tǒng)設(shè)計也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內(nèi)存模塊上內(nèi)存模塊是安裝在 PC 的主機(jī)板上的專用插槽 (Slot)上鑲嵌在 Module 上DRAM 芯片 (chips)的數(shù)量和個別芯片 (chips)的容量，是決定 內(nèi)存模塊的設(shè)計的主要因素。 自我充電 (SelfRefresh)： DRAM 內(nèi)部具有獨(dú)立且內(nèi)建的充電電路于一定時間內(nèi)做自我充電， 通常用在筆記型計算機(jī)或可攜式計算機(jī)等的省電需求高的計算機(jī)。 SDRAM： Synchronous DRAM 是一種新的 DRAM 架構(gòu)的技術(shù)；它運(yùn)用晶片內(nèi)的 clock使輸入及輸出能同步進(jìn)行。 Sync SRAM：為同步 SRAM，它的工作時脈與系統(tǒng)是同步的。 四、光驅(qū)術(shù)語解釋 CLV 技術(shù)：（ ConstantLinearVelocity）恒定線速度讀取方式。一個 IDE 接口只能接兩個外部設(shè)備。 CDG：（ CompactDiscGraphics） CDDA 基礎(chǔ)上加入圖形成為另一格式，但 未能推廣?？杉由舷鄳?yīng)的解說詞和背景音樂或插曲，成為有聲電子圖片集。容量為 ，采用 CAV 技術(shù)來獲得較高的數(shù)據(jù)傳輸率 PD 光驅(qū)：（ PowerDisk2）是 Panasonic 公司將可寫光驅(qū)和 CDROM 合二為一，有LF1000（外置式）和 LF1004（內(nèi)置式）兩種類型。它是在發(fā)送端通過調(diào)制將數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號，而在接收端通過解調(diào)再將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的一種裝置。 56 Kbps 的意思是每秒可以傳送的二進(jìn)制數(shù)量是 56， 000 個。平常所說的調(diào)制解調(diào)器速率是指載波速率。低于 75dB 這個指標(biāo)，噪音在寂靜時有可能被發(fā)現(xiàn)。調(diào)制解調(diào)器需要載波信號進(jìn)行彼此的溝通，因此只有載波信號在兩臺調(diào)制解調(diào)器之間建立起來，調(diào)制解調(diào)器才稱為連通。 賀氏兼容：由于 Hayes 公司發(fā)明的 AT 指令得到了廣泛的應(yīng)用。 DTE：“ DataTerminalEquipment(數(shù)據(jù)終端設(shè)備 )”的首字母縮略詞。針對廣播級的圖像和立體聲信號的壓縮和解壓縮。是指全動態(tài)、全屏播放的激光影視光盤。在 CD 光盤，模擬數(shù)據(jù)通過大型刻錄機(jī)在 CD 上面刻出許多連肉眼都看不見的小坑。 SCIC 接口：（ SmallComputerSysemInterface）是一種新型的外部接口，可驅(qū)動多個外部設(shè)備；數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá) 40MB，以后將成為外部接口的標(biāo)準(zhǔn)，價格昂貴。一般說來，業(yè)者會標(biāo)示成較快的速度將 ( 7 改成 6)或?qū)]有廠牌的改為有廠牌的。 靜態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存 SRAM (Static Random Access Memory)： SRAM 是 Static Random Access Memory 的縮寫，通常比一般的動態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定。但是 RAM必須由穩(wěn)定流暢的電力來保持它本身的穩(wěn)定性，所以一旦把電源關(guān)閉則原先在 RAM 里頭的 資料將隨之消失。 緩沖器和無緩沖器（ Buffer . Unbuffer）：有緩沖器的 DIMM 是用來改善時序(timing)問題的一種方法無緩沖器的 DIMM 雖然可被設(shè)計用于系統(tǒng)上，但它只能支援四條DIMM。其兩個插口分別可以連接一個主設(shè)備和一個從設(shè)置，從而可以支持四個設(shè)備，兩個插口也分為主插口和從插口。 噪音與防震技術(shù)：硬盤主軸高速旋轉(zhuǎn)時不可避免的產(chǎn)生噪音，并會因金屬磨擦而產(chǎn)生磨損和發(fā)熱問題，“液態(tài)軸承馬達(dá)”就可以解決這一問題。 外部數(shù)據(jù)傳輸率：通稱突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸 率（ burst data transfer rate）：指從硬盤緩沖區(qū)讀取數(shù)據(jù)的速率，常以數(shù)據(jù)接口速率代替，單位為 MB/S。 磁頭技術(shù)的進(jìn)步，再加上目前記錄材料技術(shù)和處理技術(shù)的發(fā)展，將使硬盤的存儲密度提升到每平方英寸 10GB 以上，這將意味著可以實現(xiàn) 40GB 或者更大的硬盤容量。在硬盤中，碟片的單碟容量和磁頭技術(shù)是相互制約、相互促進(jìn)的。目前，光纖通道支持每秒 200MB 的數(shù)據(jù)傳輸速率，可以在一個環(huán)路上容納多達(dá) 127 個驅(qū)動器，局域電纜可在 25 米范圍內(nèi)運(yùn)行，遠(yuǎn)程電纜可在 10 公里范圍內(nèi)運(yùn)行。 PRML 技術(shù)可以降低硬盤讀取數(shù)據(jù)的錯誤率，因此可以進(jìn)一步提高磁盤數(shù)據(jù)密集度。 MR 技術(shù)可使硬盤容量提高 40%以上。 平均訪問時間（ Average access time）： 指磁頭找到指定數(shù)據(jù)的平均時間，通常是平均尋道時間和平均潛伏時間之和。 二、硬盤術(shù)語解釋 硬盤的轉(zhuǎn)速 (Rotationl Speed)： 也就是硬盤電機(jī)主軸的轉(zhuǎn)速，轉(zhuǎn)速是決定硬盤內(nèi)部傳輸率的關(guān)鍵因素之一，它的快慢在很大程度上影響了硬盤的速度，同時轉(zhuǎn)速的快慢也是區(qū)分硬盤檔次的重要標(biāo)志之一。 SiO2F： (Fluorided Silicon Oxide，二氧氟化硅 )制造電子元件才需要用到的材料。 PQFP： (Plastic Quad Flat Package，塑料方塊平面封裝 )一種芯片封裝形式。 Instruction Issue： （指令發(fā)送）它是第一個 CPU 管道，用于接收內(nèi)存送到的指令，并把它發(fā)到執(zhí)行單元。 EPIC： (explicitly parallel instruction code，并行指令代碼 )英特爾的 64 位芯片架構(gòu)，本身不能執(zhí)行 x86 指令，但能通過譯碼器來兼容舊有的 x86 指令，只是運(yùn)算速度比真正的 32位芯片有所下降。 ● 硬體術(shù)語大全 |常見硬體術(shù)語手冊 常見硬件術(shù)語不太全 一、 CPU 術(shù)語解釋 3DNow!： (3D no waiting)AMD 公司開發(fā)的 SIMD 指令集，可以增強(qiáng)浮點(diǎn)和多媒體運(yùn)算的速度，它的指令數(shù)為 21 條。 FADD： （ Floationg Point Addition，浮點(diǎn)加） FCPGA(Flip Chip Pin Grid Array，反轉(zhuǎn)芯片針腳柵格陣列 )一種芯片封裝形式，例：奔騰 III 370。 IPC（ Instructions Per Clock Cycle，指令 /時鐘周期）表示在一個時鐘周期用可以完成的指令數(shù)目。 RAW： (Read after Write，寫后讀 )這是 CPU 亂序執(zhí)行造成的錯誤，即在必要條件未成立之前，已經(jīng)先寫下結(jié)論，導(dǎo)致最終結(jié)果出錯。 SOI： （ Silicon on insulator，絕緣體硅片） SONC(System on a chip,系 統(tǒng)集成芯片 )在一個處理器中集成多種功能，如： Cyrix MediaGX。硬盤的主軸馬達(dá)帶動盤片高速旋轉(zhuǎn)，產(chǎn)生浮力使磁頭飄浮在盤片上方。平均訪問時間最能夠代表硬盤找到某一數(shù)據(jù)所用的時間，越短的平均訪問時間越好，一般在 11ms－ 18ms 之間。 GMR（ GiantMagoresistive）巨磁阻磁頭 GMR 磁頭與 MR 磁頭一樣，是利用特殊材料的電阻值隨磁場變化的原理來讀取盤片上的數(shù)據(jù)，但是 GMR磁頭使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu)，比 MR磁頭更為敏感，相同的磁場變化能引起更大的電阻值變化，從而可以實現(xiàn)更高的存儲密度，現(xiàn)有的 MR 磁頭能夠達(dá)到的盤片密度為 3Gbit－ 5Gbit/in2（千兆位每平方英寸），而 GMR 磁頭可以達(dá)到 10Gbit－40Gbit/in2 以上。 單磁道時間（ Single track seek time）：指磁頭從一磁道轉(zhuǎn)移至另一磁道所用的時間。某些專門的存儲應(yīng)用領(lǐng)域，例如小型存儲區(qū)域網(wǎng)絡(luò)（ SAN）以及數(shù)碼視像應(yīng)用，往往需要高達(dá)每秒 200MB 的數(shù)據(jù)傳輸速率和強(qiáng)勁的聯(lián)網(wǎng)能力，光纖通道技術(shù)的推出正適應(yīng)了這一需求。 AMR（ Anisotropic Mago Resistive， AMR）：一種磁頭技術(shù)， AMR 技術(shù)可以支持，在 1997 年 AMR 是當(dāng)時市場的主流技術(shù)。 間隔因子：硬盤磁道上相鄰的兩個邏輯扇區(qū)之間的物理扇區(qū)的 數(shù)量。目前主流硬盤普通采用的是 Ultra ATA/66，它的最大外部數(shù)據(jù)率即為 ， 20xx 年推出的 Ultra ATA/100，理論上最大外部數(shù)據(jù)率為 100MB/s，但由于內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率的制約往往達(dá)不到這么高。它使用的是黏膜液油軸承，以油膜代替滾珠，可有效地降低以上問題。通?？蓪⒆羁斓挠脖P和 CDROM 放置在主插口上，而將次要一些的設(shè)備放在從插口上，這種放置方式對于 486 及早期的 Pentium 電腦是必要的，這樣可以使主插口連在快速的 PCI 總線上，而從插口連在較慢的 ISA 總線上。若將無緩沖器的 DIMM 用于速度為 100Mhz 的主機(jī)板上的話，將會有存取不良 的影響。 動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)： DRAM 是 Dynamic Random Access Memory 的縮寫，通常是計算機(jī)內(nèi)的主存儲器，它是而用電容來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，所以內(nèi)存內(nèi)的資料須持續(xù)地存取不然 資料會不見。所謂靜態(tài)的意義是指內(nèi)存資料可以常駐而不須隨時存取。要避免購買到這方面的產(chǎn)品，最佳的方法就是向好聲譽(yù)的供貨商來購買頂級芯片制造商產(chǎn)品。但占用 CPU 資源少，工作穩(wěn)定。 CDDA：（ CDAudio）用來儲存數(shù)位音效的光蝶片。 CDI：（ CompactDiscInteractive）年，是 Philips、 SONY 共同制定的綠皮書標(biāo)準(zhǔn)。 DVD：（ DigitalVersatileDisk）數(shù) 字多用光盤，以 MPEG2 為標(biāo)準(zhǔn)，擁有 的大容量，可儲存 133 分鐘的高分辨率全動態(tài)影視節(jié)目，包括個杜比數(shù)字環(huán)繞聲音軌道，圖像和聲音質(zhì)量是 VCD 所不及的。 DTE 提供或接收數(shù)據(jù)。大多數(shù)其它生產(chǎn)調(diào)制解調(diào)器的公司都使用 Hayes 公司的 AT 命令來控制調(diào)制解調(diào)器，這類調(diào)制解調(diào)器都是賀氏兼容調(diào)制解調(diào)器。 終端速率：指調(diào)制解調(diào)器與計算機(jī)通信端口之間的連接速度。 AWE64 Gold 聲卡的信噪比是 80dB，較為合。 載波速率：調(diào)制解調(diào)器之間通過電話線路能夠達(dá)到的數(shù)據(jù)傳輸速度。調(diào)制解調(diào)器行業(yè)中，一般以 Kbps作為單位。 調(diào)制解調(diào)器 (Modem)： MOdulator/DEModulator(調(diào)制器 /解調(diào)器 )的縮寫。由 HP、 SONY、 Phioips