【正文】 (branch prediction table，分支預(yù)測(cè)表 )處理器用于決定分支行動(dòng)方向的數(shù)值表。 FFT： （ fast Fourier transform，快速熱歐姆轉(zhuǎn)換）一種復(fù)雜的算法，可以測(cè)試 CPU的浮點(diǎn)能力。現(xiàn)今的大多數(shù) x86 指令都需要約 5 個(gè)時(shí)鐘周期，但這些周期之中有部分是與其它指令交迭在一起的（并行處理），因此 CPU制造商宣傳的潛伏期要比實(shí)際的時(shí)間長(zhǎng)。對(duì)于 X86 處理器來(lái) 說(shuō)，寄存器不足已經(jīng)成為了它的最大特點(diǎn)，因此 AMD 才想在下一代芯片 K8 之中，增加寄存器的數(shù)量。當(dāng)分支指令發(fā)出之后，傳統(tǒng)處理器在未收到正確的反饋信息之前，是不能做任何工作的，而具有預(yù)測(cè)執(zhí)行能力的新型處理器，可以估計(jì)即將執(zhí)行的指令，采用預(yù)先計(jì)算的方法來(lái)加快整個(gè) 處理過(guò)程。目前市場(chǎng)上常見(jiàn)的硬盤(pán)轉(zhuǎn)速一般有 5400rpm、 7200rpm、甚至 10000rpm。目前 采用UDMA/66 技術(shù)的硬盤(pán)的外部傳輸率已經(jīng)達(dá)到了 最大內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率（ Internal data transfer rate）： 指磁頭至硬盤(pán)緩存間的最大數(shù)據(jù)傳輸率，一般取決于硬盤(pán)的盤(pán)片轉(zhuǎn)速和盤(pán)片數(shù)據(jù)線密度（指同一磁道上的數(shù)據(jù)間隔度）。硬盤(pán)的讀數(shù)據(jù)的過(guò)程是將磁信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)后，通過(guò)緩存一次次地填充與清空，再填充，再清空，一步步按照 PCI 總線的周期送出，可見(jiàn)，緩存的作用是相當(dāng)重要的。接口技術(shù)可以極大地提高硬盤(pán)的最大外部傳輸率，最大的益處在于可以把數(shù)據(jù)從硬盤(pán)直接傳輸?shù)街鲀?nèi)存而不占用更多的 CPU 資源，提高系統(tǒng)性能。這些產(chǎn)品一般是大容量硬盤(pán)，平均 尋道時(shí)間短，適應(yīng)于高速、高數(shù)據(jù)量的應(yīng)用需求，將為中高端存儲(chǔ)應(yīng)用提供良好保證。在栓層中，磁場(chǎng)強(qiáng)度是固定的 ,并且磁場(chǎng)方向被相臨的交換層所保持。著陸區(qū)不用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，因些可避免磁頭在開(kāi)、關(guān)電源期間緊急降落時(shí)所造成數(shù)據(jù)的損失。目前硬盤(pán)的高速緩存一般為 512KB2MB，目前主流 ATA 硬盤(pán)的數(shù)據(jù)緩存為 2MB，而在 SCSI 硬盤(pán)中最高的數(shù)據(jù)緩存現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到了 16MB。 ST506/412 接口：這是希捷開(kāi)發(fā)的一種硬盤(pán)接口，首先使用這種接口的硬盤(pán)為希捷的ST－ 506 及 ST－ 412。 內(nèi)存模塊 (Memory Module)：提到內(nèi)存模塊是指一個(gè)印刷電路板表面上有鑲嵌數(shù)個(gè)記憶體芯片 chips，而這內(nèi)存芯片通常是 DRAM 芯片，但近來(lái)系統(tǒng)設(shè)計(jì)也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內(nèi)存模塊上內(nèi)存模塊是安裝在 PC 的主機(jī)板上的專用插槽 (Slot)上鑲嵌在 Module 上DRAM 芯片 (chips)的數(shù)量和個(gè)別芯片 (chips)的容量，是決定 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)的主要因素。 自我充電 (SelfRefresh)： DRAM 內(nèi)部具有獨(dú)立且內(nèi)建的充電電路于一定時(shí)間內(nèi)做自我充電， 通常用在筆記型計(jì)算機(jī)或可攜式計(jì)算機(jī)等的省電需求高的計(jì)算機(jī)。 SDRAM： Synchronous DRAM 是一種新的 DRAM 架構(gòu)的技術(shù)；它運(yùn)用晶片內(nèi)的 clock使輸入及輸出能同步進(jìn)行。 Sync SRAM：為同步 SRAM，它的工作時(shí)脈與系統(tǒng)是同步的。 四、光驅(qū)術(shù)語(yǔ)解釋 CLV 技術(shù)：（ ConstantLinearVelocity）恒定線速度讀取方式。一個(gè) IDE 接口只能接兩個(gè)外部設(shè)備。 CDG：（ CompactDiscGraphics） CDDA 基礎(chǔ)上加入圖形成為另一格式，但 未能推廣?？杉由舷鄳?yīng)的解說(shuō)詞和背景音樂(lè)或插曲，成為有聲電子圖片集。容量為 ，采用 CAV 技術(shù)來(lái)獲得較高的數(shù)據(jù)傳輸率 PD 光驅(qū)：（ PowerDisk2）是 Panasonic 公司將可寫(xiě)光驅(qū)和 CDROM 合二為一，有LF1000（外置式）和 LF1004（內(nèi)置式）兩種類型。它是在發(fā)送端通過(guò)調(diào)制將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，而在接收端通過(guò)解調(diào)再將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的一種裝置。 56 Kbps 的意思是每秒可以傳送的二進(jìn)制數(shù)量是 56， 000 個(gè)。平常所說(shuō)的調(diào)制解調(diào)器速率是指載波速率。低于 75dB 這個(gè)指標(biāo)，噪音在寂靜時(shí)有可能被發(fā)現(xiàn)。調(diào)制解調(diào)器需要載波信號(hào)進(jìn)行彼此的溝通，因此只有載波信號(hào)在兩臺(tái)調(diào)制解調(diào)器之間建立起來(lái)，調(diào)制解調(diào)器才稱為連通。 賀氏兼容：由于 Hayes 公司發(fā)明的 AT 指令得到了廣泛的應(yīng)用。 DTE：“ DataTerminalEquipment(數(shù)據(jù)終端設(shè)備 )”的首字母縮略詞。針對(duì)廣播級(jí)的圖像和立體聲信號(hào)的壓縮和解壓縮。是指全動(dòng)態(tài)、全屏播放的激光影視光盤(pán)。在 CD 光盤(pán)，模擬數(shù)據(jù)通過(guò)大型刻錄機(jī)在 CD 上面刻出許多連肉眼都看不見(jiàn)的小坑。 SCIC 接口：（ SmallComputerSysemInterface）是一種新型的外部接口，可驅(qū)動(dòng)多個(gè)外部設(shè)備；數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá) 40MB，以后將成為外部接口的標(biāo)準(zhǔn)，價(jià)格昂貴。一般說(shuō)來(lái)，業(yè)者會(huì)標(biāo)示成較快的速度將 ( 7 改成 6)或?qū)](méi)有廠牌的改為有廠牌的。 靜態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存 SRAM (Static Random Access Memory)： SRAM 是 Static Random Access Memory 的縮寫(xiě)，通常比一般的動(dòng)態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定。但是 RAM必須由穩(wěn)定流暢的電力來(lái)保持它本身的穩(wěn)定性，所以一旦把電源關(guān)閉則原先在 RAM 里頭的 資料將隨之消失。 緩沖器和無(wú)緩沖器（ Buffer . Unbuffer）：有緩沖器的 DIMM 是用來(lái)改善時(shí)序(timing)問(wèn)題的一種方法無(wú)緩沖器的 DIMM 雖然可被設(shè)計(jì)用于系統(tǒng)上，但它只能支援四條DIMM。其兩個(gè)插口分別可以連接一個(gè)主設(shè)備和一個(gè)從設(shè)置，從而可以支持四個(gè)設(shè)備，兩個(gè)插口也分為主插口和從插口。 噪音與防震技術(shù)：硬盤(pán)主軸高速旋轉(zhuǎn)時(shí)不可避免的產(chǎn)生噪音，并會(huì)因金屬磨擦而產(chǎn)生磨損和發(fā)熱問(wèn)題，“液態(tài)軸承馬達(dá)”就可以解決這一問(wèn)題。 外部數(shù)據(jù)傳輸率：通稱突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸 率（ burst data transfer rate）：指從硬盤(pán)緩沖區(qū)讀取數(shù)據(jù)的速率，常以數(shù)據(jù)接口速率代替，單位為 MB/S。 磁頭技術(shù)的進(jìn)步，再加上目前記錄材料技術(shù)和處理技術(shù)的發(fā)展，將使硬盤(pán)的存儲(chǔ)密度提升到每平方英寸 10GB 以上，這將意味著可以實(shí)現(xiàn) 40GB 或者更大的硬盤(pán)容量。在硬盤(pán)中，碟片的單碟容量和磁頭技術(shù)是相互制約、相互促進(jìn)的。目前，光纖通道支持每秒 200MB 的數(shù)據(jù)傳輸速率，可以在一個(gè)環(huán)路上容納多達(dá) 127 個(gè)驅(qū)動(dòng)器，局域電纜可在 25 米范圍內(nèi)運(yùn)行，遠(yuǎn)程電纜可在 10 公里范圍內(nèi)運(yùn)行。 PRML 技術(shù)可以降低硬盤(pán)讀取數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤率，因此可以進(jìn)一步提高磁盤(pán)數(shù)據(jù)密集度。 MR 技術(shù)可使硬盤(pán)容量提高 40%以上。 平均訪問(wèn)時(shí)間（ Average access time）： 指磁頭找到指定數(shù)據(jù)的平均時(shí)間，通常是平均尋道時(shí)間和平均潛伏時(shí)間之和。 二、硬盤(pán)術(shù)語(yǔ)解釋 硬盤(pán)的轉(zhuǎn)速 (Rotationl Speed)： 也就是硬盤(pán)電機(jī)主軸的轉(zhuǎn)速，轉(zhuǎn)速是決定硬盤(pán)內(nèi)部傳輸率的關(guān)鍵因素之一，它的快慢在很大程度上影響了硬盤(pán)的速度，同時(shí)轉(zhuǎn)速的快慢也是區(qū)分硬盤(pán)檔次的重要標(biāo)志之一。 SiO2F： (Fluorided Silicon Oxide，二氧氟化硅 )制造電子元件才需要用到的材料。 PQFP： (Plastic Quad Flat Package，塑料方塊平面封裝 )一種芯片封裝形式。 Instruction Issue： （指令發(fā)送）它是第一個(gè) CPU 管道，用于接收內(nèi)存送到的指令，并把它發(fā)到執(zhí)行單元。 EPIC： (explicitly parallel instruction code，并行指令代碼 )英特爾的 64 位芯片架構(gòu)，本身不能執(zhí)行 x86 指令，但能通過(guò)譯碼器來(lái)兼容舊有的 x86 指令，只是運(yùn)算速度比真正的 32位芯片有所下降。 ● 硬體術(shù)語(yǔ)大全 |常見(jiàn)硬體術(shù)語(yǔ)手冊(cè) 常見(jiàn)硬件術(shù)語(yǔ)不太全 一、 CPU 術(shù)語(yǔ)解釋 3DNow!： (3D no waiting)AMD 公司開(kāi)發(fā)的 SIMD 指令集，可以增強(qiáng)浮點(diǎn)和多媒體運(yùn)算的速度，它的指令數(shù)為 21 條。 FADD： （ Floationg Point Addition，浮點(diǎn)加） FCPGA(Flip Chip Pin Grid Array，反轉(zhuǎn)芯片針腳柵格陣列 )一種芯片封裝形式，例：奔騰 III 370。 IPC（ Instructions Per Clock Cycle，指令 /時(shí)鐘周期）表示在一個(gè)時(shí)鐘周期用可以完成的指令數(shù)目。 RAW： (Read after Write，寫(xiě)后讀 )這是 CPU 亂序執(zhí)行造成的錯(cuò)誤，即在必要條件未成立之前，已經(jīng)先寫(xiě)下結(jié)論，導(dǎo)致最終結(jié)果出錯(cuò)。 SOI： （ Silicon on insulator，絕緣體硅片） SONC(System on a chip,系 統(tǒng)集成芯片 )在一個(gè)處理器中集成多種功能，如： Cyrix MediaGX。硬盤(pán)的主軸馬達(dá)帶動(dòng)盤(pán)片高速旋轉(zhuǎn)，產(chǎn)生浮力使磁頭飄浮在盤(pán)片上方。平均訪問(wèn)時(shí)間最能夠代表硬盤(pán)找到某一數(shù)據(jù)所用的時(shí)間，越短的平均訪問(wèn)時(shí)間越好，一般在 11ms－ 18ms 之間。 GMR（ GiantMagoresistive）巨磁阻磁頭 GMR 磁頭與 MR 磁頭一樣，是利用特殊材料的電阻值隨磁場(chǎng)變化的原理來(lái)讀取盤(pán)片上的數(shù)據(jù)，但是 GMR磁頭使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu)，比 MR磁頭更為敏感，相同的磁場(chǎng)變化能引起更大的電阻值變化，從而可以實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度，現(xiàn)有的 MR 磁頭能夠達(dá)到的盤(pán)片密度為 3Gbit－ 5Gbit/in2（千兆位每平方英寸），而 GMR 磁頭可以達(dá)到 10Gbit－40Gbit/in2 以上。 單磁道時(shí)間（ Single track seek time）：指磁頭從一磁道轉(zhuǎn)移至另一磁道所用的時(shí)間。某些專門(mén)的存儲(chǔ)應(yīng)用領(lǐng)域，例如小型存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)（ SAN）以及數(shù)碼視像應(yīng)用，往往需要高達(dá)每秒 200MB 的數(shù)據(jù)傳輸速率和強(qiáng)勁的聯(lián)網(wǎng)能力，光纖通道技術(shù)的推出正適應(yīng)了這一需求。 AMR（ Anisotropic Mago Resistive， AMR）：一種磁頭技術(shù)， AMR 技術(shù)可以支持，在 1997 年 AMR 是當(dāng)時(shí)市場(chǎng)的主流技術(shù)。 間隔因子：硬盤(pán)磁道上相鄰的兩個(gè)邏輯扇區(qū)之間的物理扇區(qū)的 數(shù)量。目前主流硬盤(pán)普通采用的是 Ultra ATA/66，它的最大外部數(shù)據(jù)率即為 ， 20xx 年推出的 Ultra ATA/100，理論上最大外部數(shù)據(jù)率為 100MB/s，但由于內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率的制約往往達(dá)不到這么高。它使用的是黏膜液油軸承，以油膜代替滾珠，可有效地降低以上問(wèn)題。通?？蓪⒆羁斓挠脖P(pán)和 CDROM 放置在主插口上，而將次要一些的設(shè)備放在從插口上，這種放置方式對(duì)于 486 及早期的 Pentium 電腦是必要的，這樣可以使主插口連在快速的 PCI 總線上，而從插口連在較慢的 ISA 總線上。若將無(wú)緩沖器的 DIMM 用于速度為 100Mhz 的主機(jī)板上的話，將會(huì)有存取不良 的影響。 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)： DRAM 是 Dynamic Random Access Memory 的縮寫(xiě)，通常是計(jì)算機(jī)內(nèi)的主存儲(chǔ)器，它是而用電容來(lái)做儲(chǔ)存動(dòng)作，但因電容本身有漏電問(wèn)題，所以內(nèi)存內(nèi)的資料須持續(xù)地存取不然 資料會(huì)不見(jiàn)。所謂靜態(tài)的意義是指內(nèi)存資料可以常駐而不須隨時(shí)存取。要避免購(gòu)買(mǎi)到這方面的產(chǎn)品，最佳的方法就是向好聲譽(yù)的供貨商來(lái)購(gòu)買(mǎi)頂級(jí)芯片制造商產(chǎn)品。但占用 CPU 資源少，工作穩(wěn)定。 CDDA：（ CDAudio）用來(lái)儲(chǔ)存數(shù)位音效的光蝶片。 CDI：（ CompactDiscInteractive）年，是 Philips、 SONY 共同制定的綠皮書(shū)標(biāo)準(zhǔn)。 DVD：（ DigitalVersatileDisk）數(shù) 字多用光盤(pán)，以 MPEG2 為標(biāo)準(zhǔn)，擁有 的大容量，可儲(chǔ)存 133 分鐘的高分辨率全動(dòng)態(tài)影視節(jié)目，包括個(gè)杜比數(shù)字環(huán)繞聲音軌道，圖像和聲音質(zhì)量是 VCD 所不及的。 DTE 提供或接收數(shù)據(jù)。大多數(shù)其它生產(chǎn)調(diào)制解調(diào)器的公司都使用 Hayes 公司的 AT 命令來(lái)控制調(diào)制解調(diào)器，這類調(diào)制解調(diào)器都是賀氏兼容調(diào)制解調(diào)器。 終端速率：指調(diào)制解調(diào)器與計(jì)算機(jī)通信端口之間的連接速度。 AWE64 Gold 聲卡的信噪比是 80dB，較為合。 載波速率：調(diào)制解調(diào)器之間通過(guò)電話線路能夠達(dá)到的數(shù)據(jù)傳輸速度。調(diào)制解調(diào)器行業(yè)中，一般以 Kbps作為單位。 調(diào)制解調(diào)器 (Modem)： MOdulator/DEModulator(調(diào)制器 /解調(diào)器 )的縮寫(xiě)。由 HP、 SONY、 Phioips