功率器件封裝工藝流程-wenkub
2023-03-23 02:46:06 本頁(yè)面
【正文】 二、降低器件的熱阻，即提高器件的散熱能力。 塑封機(jī) 14 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 塑封車(chē)間 塑封生產(chǎn)車(chē)間的景象 15 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 激光打標(biāo) 激光打印機(jī) 在管體打上標(biāo)記 塑封 切筋 打印 電鍍 測(cè)試 老化 16 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 電鍍切筋 電鍍： 純錫電鍍，符合無(wú)鉛化要求 切筋：器件分散 連筋 切筋示意圖 塑封 切筋 打印 電鍍 測(cè)試 老化 17 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 切筋 切筋員工在操作 18 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 老化 嚴(yán)格的篩選條件，溫度 140～ 150℃ 。 7 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 粘片車(chē)間 粘片員工在認(rèn)真操作 8 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 粘片車(chē)間 全新的 TO220粘片機(jī) 9 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 壓焊 壓焊：用金絲或鋁絲將芯片上的電極跟外引線（框架管腳）連接起來(lái)。 4 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 日本 DISKO劃片機(jī) 功率器件后封裝工藝流程－劃片車(chē)間 5 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 粘片 （將單顆芯片粘結(jié)到引線框架上） 實(shí)物圖 劃片 粘片 壓焊 塑封 打印 6 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 我公司粘片的特點(diǎn) 自動(dòng)粘片機(jī)，芯片和引線框架的粘結(jié)牢固，一致性好。 優(yōu)質(zhì)的框架及焊接材料使用，獲得良好的熱學(xué)和電學(xué)特性。 金絲－金絲球焊 鋁絲－超聲波焊 金絲 或鋁絲 壓焊示意圖 劃片 粘片 壓焊 塑封 打印 10 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 壓焊的特點(diǎn) 自動(dòng)壓焊機(jī)，一致性好，焊點(diǎn)、弧度、高度最佳，可靠性高。 使用有 N2保護(hù)的烘箱，防止管子在高溫下氧化。 三、提高器件的電流性能，降低飽和壓降 。 RT2接觸熱阻－與封裝工藝有關(guān)。 高效的測(cè)試手段進(jìn)行篩選 。 與芯片、框架兩者之間的浸潤(rùn)性良好，溶化后無(wú)顆粒狀。 專職檢驗(yàn)員每隔 1小時(shí)巡查一次。 32 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 熱阻測(cè)試篩選設(shè)備的優(yōu)點(diǎn) △ Vbe測(cè)試儀的性能參數(shù)及優(yōu)點(diǎn)： 測(cè)試精度： 脈沖時(shí)間精確度： 1us 最高電壓： 200V 最大電流： 20A 優(yōu)點(diǎn)： ，且精度高可達(dá)到 ，重復(fù)性好。 34 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 我公司產(chǎn)品的熱阻特點(diǎn) 通過(guò)測(cè)量△ Vbe，再經(jīng)過(guò)公式 Rth＝ △ Vbe /KP 我公司典型產(chǎn)品值： 品種 封裝形式 熱阻值 MJE13001 TO92 ℃ /W MJE13003BR TO126 ℃ /W MJE13005 TO220 ℃ /W 35 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 控制“虛焊”
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