功率器件封裝工藝流程-文庫(kù)吧
2025-02-22 02:46 本頁(yè)面
【正文】 —— 塑封車間 塑封生產(chǎn)車間的景象 15 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 激光打標(biāo) 激光打印機(jī) 在管體打上標(biāo)記 塑封 切筋 打印 電鍍 測(cè)試 老化 16 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 電鍍切筋 電鍍： 純錫電鍍，符合無(wú)鉛化要求 切筋：器件分散 連筋 切筋示意圖 塑封 切筋 打印 電鍍 測(cè)試 老化 17 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 切筋 切筋員工在操作 18 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 老化 嚴(yán)格的篩選條件，溫度 140～ 150℃ 。 使用有 N2保護(hù)的烘箱，防止管子在高溫下氧化。 塑封 切筋 打印 電鍍 測(cè)試 老化 19 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 成品管 測(cè)試分選 QC 抽檢 成品包裝 QA 檢驗(yàn) 入成品庫(kù) 客戶使用 返工 粉碎 不合格品 合格 不合格 合格 不合格 合格 返工 不合格 返工 抽檢 合格 切筋 電鍍 測(cè)試 老化 檢驗(yàn) 包裝 測(cè)試流程 20 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 測(cè)試設(shè)備 KT9614與 DTS1000 分選機(jī) 21 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 包裝 整潔的包裝車間 新型的包裝方式 — 編帶 我公司今年新引進(jìn)的編帶機(jī) 22 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 產(chǎn)品一致性和可靠性 產(chǎn)品的一致性 產(chǎn)品可靠性 23 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 產(chǎn)品參數(shù)一致性的保證 高精度的測(cè)試系統(tǒng) 最高測(cè)試電壓為 1000V，最大電流 20A，漏電流最高精度達(dá)到 pA級(jí)，電壓測(cè)試精度達(dá)到 2mV 可測(cè)試的半導(dǎo)體器件有雙極晶體管， MOS管，二極管等多種器件。 對(duì)于雙極晶體管，可測(cè)試 hFE、 Vcesat、 Vbesat、Rhfe、 Iceo、 Iebo、 Bveb、 Icbo、 Bvceo、 Vfbe、 Vfbc、Vfec、 Bton、 Bvces、 Bvcer、 Icer、 Icex、 Icbr、Icbs、 BVcbo、 Iceo等參數(shù) 24 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 提高產(chǎn)品可靠性 －封裝工藝的嚴(yán)格控制 一、降低熱阻 二、控制“虛焊” 三、增強(qiáng)塑封氣密性 25 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 降低器件發(fā)熱量的三個(gè)途徑 一、通過(guò)優(yōu)化電路，避免開關(guān)器件進(jìn)入放大區(qū)，減小器件上的功率消耗 。 二、降低器件的熱阻，即提高器件的散熱能力。 三、提高器件的電流性能，降低飽和壓降 。 在電路和芯片都已固定的情況下，避免器件發(fā)熱失效重要的途徑就是降低器件的 熱阻 。 26 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 一、熱阻的定義 熱阻 (Rth)是表征晶體管工作時(shí)所產(chǎn)生的熱量向外界散發(fā)的能力，單位為 ℃ /W，即是當(dāng)
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