bga封裝工藝簡介1-wenkub
2023-02-14 08:49:29 本頁面
【正文】 TOP/Bottom VIEWSIDE VIEWTypical Assembly Process FlowFOL/前段EOL/中段Reflow/回流EOL/后段Final Test/測試FOL– Front of Line前段工藝BackGrinding磨片Wafer晶圓Wafer Mount晶圓安裝Wafer Saw晶圓切割Wafer Wash晶圓清洗Die Attach芯片粘接Epoxy Cure銀漿固化Wire Bond引線焊接Optical檢驗Optical檢驗EOLFOL– Front of Line Wafer【 Wafer】 晶圓……FOL– Back Grinding背面減薄Taping粘膜BackGrinding磨片DeTaping去膠帶216。將晶圓粘貼在藍膜（ Tape）上，使得即使被切割開后，不會散落；216。Chipping Die 崩 邊FOL– Die Attach 芯片粘接Write Epoxy Die Attach Epoxy CureEpoxy Storage：零下 50度存放；Epoxy Aging：使用之前回溫，除去氣泡；Epoxy Writing：點銀漿于 L/F的 Pad上， Pattern可選 ；FOL– Die Attach 芯片粘接芯片拾取過程： Ejector Pin從 wafer下方的 Mylar頂起芯片，使之便于 脫離藍膜； Collect/Pick up head從上方吸起芯片，完成從 Wafer 到 L/F的運輸過程； Collect以一定的力將芯片 Bond在點有銀漿的 L/F 的 Pad上，具體位置可控； Bond Head Resolution： ； ； ； Bond Head Speed： ；FOL– Die Attach 芯片粘接Epoxy Write：Coverage 75%。 Pad是芯片上電路的外接 點， Lead是 Lead Frame上的 連接點。金線采用的是 %的高純度金；216。 W/B工藝中最核心的一個 Bonding Tool，內部為空心，中間穿上金線，并分別在芯片的 Pad和 Lead Frame的 Lead上形成第一和第二焊點；EFO：打火桿。指金線在 Cap的作用下，在 Lead Frame上形成的焊接點，一般為月牙形（或者魚尾形）；W/B四要素：壓力（ Force）、超聲（ USG Power）、時間（ Time）、溫度（ Temperature）；FOL– Wire Bonding 引線焊接陶瓷的 Capillary內穿金線，并且在 EFO的作用下，高溫燒球；金線在 Cap施加的一定壓力和超聲的作用下，形成 Bond Ball；金線在 Cap施加的一定壓力作用下，形成Wedge；FOL– Wire Bonding 引線焊接EFO打火桿在磁嘴前燒球Cap下降到芯片的 Pad上，加 Force和 Power形成第一焊點Cap牽引金線上升Cap運動軌跡形成良好的 Wire LoopCap下降到 Lead Frame形成焊接Cap側向劃開，將金線切斷，形成魚尾Cap上提，完成一次動作F
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