半導(dǎo)體制造工藝_05光刻(下)-wenkub
2023-03-19 12:03:15 本頁面
【正文】 刻原 理 (下 ) Mask design and resist process ? [nm] k1 436 365 248 193 NAkR ?1?Resist chemistry 436,365 nm: PhotoActiveComponent (PAC) 248,193 nm: PhotoAcidGenerator (PAG) Contrast 436,365 nm: ?=23, (Qf/Q0?) 248,193 nm: ?=510 (Qf/Q0?) 光刻膠對(duì)比度改進(jìn) 19 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) Lens fabrication ? [nm] NA 436 365 248 193 NAkR ?1?State of the Art: ?=193 nm, k1=, NA= ? R?60 nm = ? R?40 nm Numerical Aperture: NA=nsina Immersion Lithography 2 ??? NAOHa n H2O 增加數(shù)值孔徑 20 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 21 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 22 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) EUV 超紫外光曝光 23 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) Minimum feature size Production 2023 2023 2023 2023 2023 Technology Node 90 nm 65 nm 45 nm 32 nm 22 nm Half pitch [nm] 110 105 ~80 ~ 55 ~39 LG [nm] 60 42 ~30 ~21 ~16 ??193 nm ??193 nm immersion ?193 nm immersion with higher n? pitch LG P. Bai, et. al., IEDM2023 24 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) EUV（ Extreme ultra violet) 25 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 反射式掩模版 26 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 電子束圖形曝光 電子束圖形曝光主要版。 7 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) Stepper Scan System Canon FPA4000ES1: 248 nm, 8” wafer 80/hr, field view: 25 mm 33 mm, alignment: ?70 nm, NA: , OAI 透鏡成本下降、性能提升 視場(chǎng)大 尺寸控制更好 變形小 8 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 圖形轉(zhuǎn)移 —— 刻蝕 9 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 圖形轉(zhuǎn)移 —— 剝離（ liftoff） 10 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 去膠 溶劑去膠 （ strip） ： Piranha (H2SO4:H2O2)。 線條寬度改變
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