【正文】 （晶片）的生產(chǎn)由砂即（二氧化硅）開始，經(jīng)由電弧爐的提煉還原成 為單位分割成一粒粒獨(dú)立的晶粒 三、 IC構(gòu)裝制程 ?IC構(gòu)裝製程（ Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路? 目的：是為了製造出所生產(chǎn)的電路的保護(hù)層，避免電路受到機(jī)械性刮傷或是高溫破壞。Dot），此程序即 Fab之制程後，晶圓上即形成一格格的小格 ，以微處理器（ Microprocessor）為例，其所需處理步驟可達(dá) 數(shù)百道 ，而其所需加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)且昂貴，動(dòng)輒數(shù)千萬一臺(tái)，其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與 含塵（ Particle）均需控制的無塵室（ CleanRoom），雖然詳細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)品種類與所使用的技術(shù)有關(guān)；不過其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過適 我們稱之為晶方或是晶粒（ Die），在一般情形下，同一片晶圓上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圓 稱之為晶圓針測(cè)制程（ Wafer半導(dǎo)體制造工藝分類PMOS型雙極型MOS型CMOS型NMOS型BiMOS飽和型 非飽和型TTL I2L ECL/CML半導(dǎo)體制造工藝分類? 一 雙極型 IC的基本制造工藝：? A 在元器件間要做電隔離區(qū)（ PN結(jié)隔離、全介質(zhì)隔離及 PN結(jié)介質(zhì)混合隔離） ECL（不摻金） （非飽和型） 、TTL/DTL （飽和型） 、 STTL （飽和型） B 在元器件間自然隔離 I2L（飽和型）半導(dǎo)體制造工藝分類? 二 MOSIC的基本制造工藝： 根據(jù) 柵工藝分類? A 鋁柵工藝? B 硅 柵工藝? 其他分類1 、（根據(jù)溝道） PMOS、 NMOS、 CMOS2 、（根據(jù)負(fù)載元件） E/R、 E/E、 E/D 半導(dǎo)體制造工藝分類? 三 BiCMOS工藝： A 以 CMOS工藝為基礎(chǔ) P阱 N阱 B 以雙極型工藝為基礎(chǔ)雙極型集成電路和 MOS集成電路優(yōu)缺點(diǎn)雙極型集成電路中等速度、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)、模擬精度高、功耗比較大CMOS集成電路低的靜態(tài)功耗、寬的電源電壓范圍、寬的輸出電壓幅度（無閾值損失），具有高速度、高密度潛力；可與TTL電路兼容。冶煉級(jí)的硅，再經(jīng)由鹽酸氯化，產(chǎn)生三氯化硅，經(jīng)蒸餾純化后，透過慢速分 一支 85公分長(zhǎng)，重 經(jīng)研磨、拋光、切片后，即成半導(dǎo)體之原料 雜質(zhì)固濃度大2。氧化TepiXjc+Xmc+TBLup+tepioxSiO2N+BLPSUBNepiN+BL第二次光刻 — P+隔離擴(kuò)散孔? 在襯底上形成孤立的外延層島 ,實(shí)現(xiàn)元件的隔離 .SiO2N+BLPSUBNepiN+BLNepiP+ P+P+涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 — 蝕刻 — 清洗— 去膜 清洗 —P+ 擴(kuò)散 (B)第三次光刻 — P型基區(qū)擴(kuò)散孔決定 NPN管的基區(qū)擴(kuò)散位置范圍SiO2N+BLPSUBNepiN+BLP+ P+P+P P去 SiO2— 氧化 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜— 蝕刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 — 基區(qū)擴(kuò)散 (B)第四次光刻 — N+發(fā)射區(qū)擴(kuò)散孔? 集電極和 N型電阻的接觸孔 ,以及外延層的反偏孔。去除 SiO2， 長(zhǎng)薄氧，長(zhǎng) Si3N4NSiPSi3N4CMOS集成電路工藝以 P阱硅柵 CMOS為例? 4。光 IIIN管場(chǎng)區(qū)光刻，刻出 N管場(chǎng)區(qū)注入孔； N管場(chǎng)區(qū)注入。光 Ⅴ 多晶硅光刻，形成多晶硅柵及多晶硅電阻多晶硅NSiPCMOS集成電路工藝以 P阱硅柵 CMOS為例? 9。光 Ⅶ N管場(chǎng)區(qū)光刻， N管場(chǎng)區(qū)注入，形成 NMOS的源、漏區(qū)及 N+保護(hù)環(huán)。光刻 Ⅷ 引線孔光刻。材料是「矽」， IC（Integrated Circuit）廠用的矽晶片即為矽晶體，因?yàn)檎奈菃我煌暾木w，故又稱為單晶體。光學(xué)顯影主要包含了感光膠涂布、烘烤、光罩對(duì)準(zhǔn)、 曝光和顯影等程序。現(xiàn)在主要應(yīng)用技術(shù) :等離子體刻蝕　常見濕法蝕 腐蝕液 被腐蝕物H3PO4(85%):HNO3(65%):CH3COOH(100%):H2O:NH4F(40%） =76： 3： 15： 5： AlNH4(40%):HF(40%)=7:1 SiO2,PSGH3PO4(85%) Si3N4HF(49%):HNO3(65%):CH3COOH(100%)=2:15:5 SiKOH(3%~50%)各向異向 SiNH4OH:H2O2(30%):H2O=1:1:5HF(49%):H2O=1:100Ti ,CoHF(49%):NH4F(40%)=1:10 TiSi2CVD化學(xué)氣相沉積是利用熱能、電漿放電或紫外光照射等化學(xué)反應(yīng)的方式，在反應(yīng)器內(nèi)將反應(yīng)物（通常為氣體）生成固態(tài)的生成物，并在晶片表面沉積形成穩(wěn)定固態(tài)薄膜（ film）的一種沉積技術(shù)。二氣化硅（通常直接稱為氧化層） 多晶硅 此技術(shù)一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材后，可將靶材原子一個(gè)個(gè)濺擊出來，并使被濺擊出來的材質(zhì)（通常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面。屬 氣 技 基本上，此摻質(zhì)濃度（劑量）系由離子束電流（離子束內(nèi)之總離子數(shù)）與掃瞄率（晶圓通過離子束之次數(shù)）來控制，而離子植入之深度則由離子束能量之大小來決定。機(jī) 技 控量測(cè)芯片內(nèi)次微米電路之微距，以確保制程之正確性。? 光罩是高精密度的石英平板，是用來制作晶圓上電子電路圖像，以利集成電路的制作。當(dāng)晶圓從一個(gè)制程往下個(gè)制程進(jìn)行時(shí)，圖案晶圓檢測(cè)系統(tǒng)可用來檢測(cè)出晶圓上是否有瑕疵包括有微塵粒子、斷線、短路、以及其它各式各樣的問題。再由一或多組偵測(cè)器接收自晶圓表面繞射出來的光線，并將該影像交由高功能軟件進(jìn)行底層圖案消除，以辨識(shí)并發(fā)現(xiàn)瑕疵。在半導(dǎo)體制程設(shè)備供貨商中，只有應(yīng)用材料公司能提供完整的銅制程全方位解決方案與技術(shù)，包括薄膜沉積、蝕刻、電化學(xué)電鍍及化學(xué)機(jī)械研磨等。saw）、黏晶（ diebond）、銲線（ wire測(cè)試制程（ Initial Test and Final Test）1 晶片切割（ Die Saw）? 晶片切割之目的為將前製程加工完成之晶圓上一顆顆之 欲進(jìn)行晶片切割，首先必須進(jìn)行 向外拉出腳架（ Pin），稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。 成形之目的則是將外引腳壓成各種預(yù)先設(shè)計(jì)好之形狀 其中項(xiàng)目包括諸如：外引腳之平整性、共面度、腳距、印字 8封　　 裝 硅器件失效機(jī)理? 1 氧化層失效：針孔、熱電子效應(yīng)? 2 層間分離： ALSi、 CuSi合金與襯底熱膨脹系數(shù)不匹配。芯片粘貼測(cè)試（ die attach）? 4。 離心測(cè)試（ constant acceleration）? 9。老化后測(cè)試（ postburnin electrical test）芯片封裝介紹 一、 DIP雙列直插式封裝? DIP(DualIn－ line Package) 絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路 (IC) 其引腳數(shù)一般不超過 100個(gè)。ThroughHole Axial Radial? DIP(雙列式插件 )– Use(用途 ): DualInlinePackage– Class letter (代號(hào) ): Depend– Value Code(單位符號(hào) ): Making on ponent– Tolerance(誤差 ): None– Orientation(方向性 ): Dot or notch– Polarity(極性 ): NoneThroughHole Axial Radial? SIP(單列式插件 )– Use(用途 ): SingleInlinePackage for resistor work or diode arrays– Class