zrcl4分子層在羥化硅表面消去氯原子反應(yīng)機理的理論分析研究畢業(yè)論文-wenkub
2023-07-08 08:36:49 本頁面
【正文】 the second and third chlorines loss,four possible pathways have been results show that a standard atmospheric pressure at 0 K: R3a is an exothermic reaction, and the R3b is an endothermic reaction, the reaction e nergies of R3a is lower than R3b,Compared to R1a and R2a,R1b and R2b are more ,R5b then R3a,R3b hydrolysis reaction products can be fo u nd R5b relative R5a have lower activation energy and the heat of reaction,therefore we think R5b are more favorable than R5a.Keywords: Density functional theory,ZrCl4, Thin film, Atomic layer deposition目錄 1 2 Gaussian軟件 2 Gaussian基本功能 2 Gaussian 03計算原理 3 3實驗部分 4 6 10結(jié)論 13參考文獻 14致謝 15在高介電常數(shù)材料的候選物中，ZrO2具有高的介電常數(shù)，廣泛的能帶間隙，高的熱穩(wěn)定性，是替代二氧化硅的一種很有前景的應(yīng)用材料[1]。河南科技學(xué)院新科學(xué)院2012屆本科畢業(yè)論文論文題目：ZrCl4分子層在羥化硅表面消去氯原子反應(yīng)機理的理論研究（第2，3個氯原子）學(xué)生姓名： 李 杰 所在院（系）： 化學(xué)工程系 所學(xué)專業(yè)： 化學(xué)工程與工藝 導(dǎo)師姓名： 姚樹文 完成時間： 2012年5月 ZrCl4分子層在羥化硅表面消去氯原子反應(yīng)機理的理論研究（第2,3個氯原子）摘要使用密度函數(shù)理論研究了ZrCl4分子在羥化硅表面ALD的薄層中釋放Cl原子的反應(yīng)機理，對于脫去四個氯原子中第2，3個氯原子，設(shè)計了四條反應(yīng)途徑。在現(xiàn)有的眾多的高介電常數(shù)組合材料的各種制備方法中，原子層沉積(ALD)在精確的厚度控制和在大的區(qū)域內(nèi)均勻形成方面顯示了其獨特的優(yōu)勢。因此，它是重要的探索高K氧化物ALD的成長的反應(yīng)機制。四氯化鋯被用作金屬前體時具有諸如氯污染和釋放腐蝕性的鹽酸產(chǎn)品等明顯的缺點。在400℃時，只有一個氯原子配體被釋放出來，剩余的三個氯原子在水的脈沖中被釋放出來。B、ZrCl4的第二個氯原子失去也可以在水及其產(chǎn)物的前體R1a和R1b之間,也就是說,R3a和R3b處完成反應(yīng)。量子化學(xué)方法的軟件包，如：MOPAC、Zindo、Gaussian，Dmol和Games、CASTEP等。Gaussian是應(yīng)用最廣泛的半經(jīng)驗計算和從頭計算量子化學(xué)軟件。 Gaussian基本功能(1) 簡單快速地構(gòu)造分子可以使用原子，環(huán)，基團和氨基酸；從其它程序獲取結(jié)構(gòu)；對PDB文件自動加氫；用鼠標檢查和修改結(jié)構(gòu)參數(shù)；放大和縮小功能；平滑地三維旋轉(zhuǎn)，即使是對大分子；四種顯示模式：線形，管型，球棍，以及連接球。 Gaussian 03計算原理分子力學(xué)方法為：很多情況下，對大分子體系的處理可以完全避免使用量子化學(xué)計算。電子結(jié)構(gòu)理論方法為：電子結(jié)構(gòu)可以通過求解定態(tài)薛定諤方程（也成為不含時薛定諤方程）得到。解得的本征值是分子結(jié)構(gòu)的函數(shù)。即可對任何一般的收縮Gaussian函數(shù)進行單電子和雙電子積分。密度泛函理論最初來源于對下面這個問題的考慮：在量子化學(xué)從頭算中,對于一個N電子體系,N電子波函數(shù)依賴于3N個空間變量及N個自旋變量共4N個變量,我們是否能
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