承壓設(shè)備無(wú)損檢測(cè)新技術(shù)介紹-wenkub
2023-05-18 18:40:17 本頁(yè)面
【正文】 ?射線實(shí)時(shí)成像檢驗(yàn)系統(tǒng)的圖象特性 ?像素 ?分辨率 ?不清晰度 ?對(duì)比靈敏度 射線實(shí)時(shí)成像技術(shù)工藝要點(diǎn) （ 1）最佳放大倍數(shù)： Mo=1+(Us/df)3/2 （ 2）掃描速度和定位精度 （ 3）圖像處理 （ 4）系統(tǒng)性能校驗(yàn) ?圖像培強(qiáng)器實(shí)時(shí)成像的優(yōu)點(diǎn)和局限性 ? 檢測(cè)速度快，工作效率比射線照相高數(shù)十倍。例如由于工業(yè)射線膠片雙面涂膜，掃描造成圖像清晰度損失。 ? 所謂 “ 實(shí)時(shí) ” 的是指圖像的采集速度制式，圖像采集速度能夠達(dá)到 25幀／秒（ PAL制）或 30幀／秒（ NTSC制），即視為實(shí)時(shí)成像。 ? 有很多方法可以將模擬圖像轉(zhuǎn)換成數(shù)字圖像，如用掃描儀、或用數(shù)碼相機(jī)等。 Ｘ射線無(wú)損探傷作為一種常規(guī)的無(wú)損檢測(cè)方法在工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用已有近百年的歷史 ,Ｘ射線無(wú)損探傷通常以膠片照相為主要方法，在檢測(cè)速度和成本等方面已無(wú)法滿足目前生產(chǎn)快速發(fā)展和競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的需要。我國(guó)經(jīng)過(guò)十多年的發(fā)展，一種新興的 X射線無(wú)損檢測(cè)方法 X射線數(shù)字化實(shí)時(shí)成像檢測(cè)技術(shù)已日臻成熟并已成功應(yīng)用于我國(guó)的實(shí)踐。 ? 工業(yè)射線檢測(cè)數(shù)字圖像有很多方法： 底片數(shù)字化掃描技術(shù)； 圖像增強(qiáng)器實(shí)時(shí)成像技術(shù)； 計(jì)算機(jī) X射線照相技術(shù)（ CR）； 線陣列掃描技術(shù)（ LDA）； 非晶硅和非晶硒數(shù)字平板成像技術(shù)； CMOS數(shù)字平板成像技術(shù)； 層析照相技術(shù) 。關(guān)于圖像的采集制式，我國(guó)采用 PAL制式，歐美等國(guó)家多采用 NTSC制式。 二、圖像增強(qiáng)器實(shí)時(shí)成像技術(shù) CCD 1 3 1射線源； 2工件與機(jī)械驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)； 3圖象增強(qiáng)器； 4數(shù)字?jǐn)z像機(jī) 5圖象處理器； 6計(jì)算機(jī)； 7顯示器 2 4 5 7 6 圖像增強(qiáng)器 圖像增強(qiáng)器工作原理 射線穿透工件后圖像增強(qiáng)器的前端熒光板，經(jīng)光電轉(zhuǎn)換，光電子在真空度很高的封閉的空腔內(nèi)經(jīng)高壓電場(chǎng)聚焦，工件的摸擬圖像被攝像機(jī)所攝取，輸入計(jì)算機(jī)進(jìn)行摸擬量 /數(shù)字化轉(zhuǎn)換。 ? 不使用膠片，不需要處理膠片的化學(xué)藥品，運(yùn)行成本低，且不造成環(huán)境污染。圖像邊沿容易出現(xiàn)扭曲失真。整個(gè)系統(tǒng)由存儲(chǔ)磷光成像板（又稱 IP板）、相應(yīng)的讀出裝置（掃描器和讀出器）、計(jì)算機(jī)軟件（數(shù)字圖像處理和儲(chǔ)存管）、硬度（打印機(jī)和其他存儲(chǔ)介質(zhì)）等組成。 （ 3） IP板與膠片一樣，能夠分割和彎曲，能適用于復(fù)雜部位，成像板可重復(fù)使用幾千次，其壽命決定于機(jī)械磨損程度。 （ 5）雖然比膠片照相速度快一些，但是不能直接獲得圖像，必須將 IP板放入掃描讀取器中才能得到圖像。計(jì)算將多次掃描獲得的線形圖像進(jìn)行組合。數(shù)字平板的成像質(zhì)量比圖像增強(qiáng)器射線實(shí)時(shí)成像系統(tǒng)好很多，不僅成像區(qū)均勻，沒(méi)有邊緣幾何變形，而且空間分辨率和靈敏度更高一些。 ? 當(dāng)要求分辨率小于 200μm時(shí)應(yīng)使用非晶硒板，而當(dāng)允許分辨率大于 200μm時(shí)，可考慮使用非晶硅。 ? CMOS的制造技術(shù)和一般計(jì)算機(jī)芯片沒(méi)什么差別，主要是利用硅和鍺這兩種元素所做成的半導(dǎo)體，使其在 CMOS上共存著帶 N（帶 –電） 和 P（帶 +電）級(jí)的半導(dǎo)體，這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流即可被處理芯片紀(jì)錄和解讀成影像 。 ? CMOS探測(cè)器的填充系數(shù)高達(dá) 90%以上，高出非晶硅探測(cè)器約 60%。 ? 使用小型 CMOS系統(tǒng)，曝光時(shí)間為 ，把數(shù)據(jù)修正并把圖像傳輸?shù)接?jì)算機(jī)工作站上，并顯示出來(lái)再需 10秒種。 （ 1）特點(diǎn) ? 準(zhǔn)確率高。 （ 1）成像速度 數(shù)字化射線成像技術(shù)成像速度與成像精度有關(guān)，一般來(lái)說(shuō)成像速度越快，所獲得的圖像質(zhì)量就越低。這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布，標(biāo)志著我國(guó) X 射線實(shí)時(shí)成像無(wú)損檢測(cè)技術(shù)的研究和應(yīng)用已達(dá)到了一個(gè)新水平。 1Ｘ射線管焦點(diǎn) 2氣瓶 3被檢測(cè)焊縫 4圖像增強(qiáng)器 5光學(xué)鏡頭 6攝象機(jī) ? 當(dāng)時(shí)圖像采集器主要是采用圖像增強(qiáng)器技術(shù)，可以說(shuō)是 X射線實(shí)時(shí)成像檢測(cè)系統(tǒng)的第一代技術(shù)，在此技術(shù)的基礎(chǔ)上形成了 179251999標(biāo)準(zhǔn)。 線陣列探測(cè)器 X射線實(shí)時(shí)成像檢測(cè)技術(shù) ?線陣列探測(cè)器 X射線實(shí)時(shí)成像檢測(cè)技術(shù)是當(dāng)前比較流行的 X射線實(shí)時(shí)成像檢測(cè)技術(shù)，它采用線陣列探測(cè)器作為圖像采集器，可以說(shuō)是第二代 X射線實(shí)時(shí)成像檢測(cè)系統(tǒng)技術(shù)。 ? 提前發(fā)現(xiàn)缺陷是無(wú)損檢測(cè)技術(shù)的重要課題。 管板角接接頭焊縫的檢測(cè)方法 ? MT？ ? PT？ ? UT？ ? ET？ ? RT？ 管子 管板角焊縫射線照相成效 ? 該方法不僅能檢出氣孔外，還能檢出接頭中的裂紋、未熔合、未焊透、夾渣等各類缺陷。 二、管子 管板角焊縫射線照相技術(shù) 適用的檢測(cè)對(duì)象 ? 重要設(shè)備、關(guān)鍵設(shè)備、高價(jià)值設(shè)備； ? 劇毒介質(zhì)設(shè)備； ? 要求高可靠性，長(zhǎng)周期運(yùn)行的 設(shè)備； ? 投用后無(wú)法維護(hù)修理的設(shè)備； ? 管程和殼程高壓差設(shè)計(jì)條件； ? 高溫或溫度劇烈變化設(shè)計(jì)條件； ? 難以避免振動(dòng)的設(shè)計(jì)條件； ? 負(fù)荷經(jīng)常變化或循環(huán)負(fù)荷的設(shè)計(jì)條件； ? 泄漏可能引起系統(tǒng)嚴(yán)重腐蝕的設(shè)計(jì)條件； ? 泄漏會(huì)對(duì)工藝參數(shù)和產(chǎn)品質(zhì)量造成影響，因此微量泄漏也不允許的運(yùn)行條件； ? 1被檢測(cè)管子內(nèi)徑應(yīng)在 14～ 46mm范圍內(nèi)，采用特殊措施可檢測(cè)小徑管內(nèi)徑為11mm。 ? 焦點(diǎn)尺寸： 1mm、 。 五、管子 管板角接接接頭射線檢測(cè)表面準(zhǔn)備和檢測(cè)時(shí)機(jī) ?實(shí)施檢測(cè)前應(yīng)采用適當(dāng)?shù)墓に嚾コ齼?nèi)側(cè)（管內(nèi)壁及其附近）和外側(cè)上多余和不規(guī)則的焊縫金屬，以保證透照時(shí)補(bǔ)償塊能順利放入，同時(shí)保證底片上缺陷的影像不會(huì)被干擾或混淆。 焦點(diǎn) 膠片距離：
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