【正文】 先后研制出我國第一根6英寸、8英寸和12英寸硅單晶，單晶硅在國內(nèi)市場占有率為40%。單晶硅出口比重大，出口額為4648萬美元，%，%。（二）我國半導(dǎo)體材料現(xiàn)狀中國半導(dǎo)體材料行業(yè)經(jīng)過四十多年發(fā)展已取得相當(dāng)大的進(jìn)展，先后研制和生產(chǎn)了4英寸、5英寸、6英寸、8英寸和12英寸硅片。另外，制造SiC器件的工藝如離子注入、氧化、歐姆接觸和肖特基接觸以及反應(yīng)離子刻蝕等工藝取得了重大進(jìn)展，所以促成了SiC器件和集成電路的快速發(fā)展。到了八十年代中期，美國海軍研究局和國家宇航局與北卡羅來納州大學(xué)簽訂了開發(fā)SiC材料和器件的合同，并促成了在1987年建立專門研究SiC半導(dǎo)體的Cree公司。研制和小批量生產(chǎn)水平達(dá)到8英寸。日本住友電工是世界最大的砷化鎵生產(chǎn)和銷售商，年產(chǎn)GaAs單晶30t。國外開發(fā)了兼具以上2種方法優(yōu)點(diǎn)的VGF法(垂直梯度凝固法)、VB法(垂直布里支曼法)和VCZ法(蒸氣壓控制直拉法)，成功制備出4～6英寸大直徑GaAs單晶。在集成電路用硅片中，8英寸的硅片占主流，約40～50％，6英寸的硅片占30％。其中，直拉硅單晶(CZSi)廣泛應(yīng)用于集成電路和中小功率器件。 半導(dǎo)體硅材料分為多晶硅、單晶硅、硅外延片以及非晶硅、澆注多晶硅、淀積和濺射非晶硅等。第五節(jié) 主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)表序號項(xiàng) 目單 位指 標(biāo)備 注1生產(chǎn)規(guī)模年產(chǎn)半導(dǎo)體材料萬噸2項(xiàng)目總投資萬元4800其中：建設(shè)投資萬元4501鋪底流動資金萬元2993流動資金萬元41524項(xiàng)目廠區(qū)占地面積平方米86645項(xiàng)目定員人200其中：技術(shù)管理人員人40工 人人1607全年生產(chǎn)天數(shù)天3008人員工作日天2509銷售收入萬元/年1500010總成本萬元/年13486正常年11利 稅萬元/年1514正常年12利 潤萬元/年792正常年(稅后)13總投資收益率%14財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率%稅后15投資回收期年含建設(shè)期、稅后第二章 項(xiàng)目提出的背景及建設(shè)的必要性第一節(jié) 項(xiàng)目提出的背景一、半導(dǎo)體材料現(xiàn)狀（一）世界半導(dǎo)體材料現(xiàn)狀半導(dǎo)體硅材料：半導(dǎo)體硅材料自從60年代被廣泛應(yīng)用于各類電子元器件以來，其用量平均大約以每年12～16%的速度增長。本項(xiàng)目完成后，達(dá)產(chǎn)年企業(yè)新增銷售收入15000萬元，新增利稅1514萬元（其中利潤總額792萬元，銷售稅金及附加722萬元）。該項(xiàng)目擬在某市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，新建生產(chǎn)車間、倉庫以及水電氣等公用基礎(chǔ)設(shè)施廠房8664 平方米，新上各種生產(chǎn)和檢測設(shè)備35臺（套），形成年產(chǎn)導(dǎo)電涂層材料、樹脂材料、。與晶圓制造材料類似，封裝材料預(yù)計(jì)在2009年和2010年將分別增長9％和6％，2010年將達(dá)206億美元。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要基礎(chǔ)材料，支撐著通信、計(jì)算機(jī)、信息家電與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)等電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。cm 之間，純凈的半導(dǎo)體溫度升高時電導(dǎo)率按指數(shù)上升。半導(dǎo)體材料項(xiàng)目可行性研究報告半導(dǎo)體材料項(xiàng)目可行性研究報告目 錄第一章 總 論 1第一節(jié) 項(xiàng)目名稱及承辦單位 1第二節(jié) 可行性研究編制單位 1第三節(jié) 研究工作的依據(jù)與范圍 1第四節(jié) 簡要結(jié)論 2第五節(jié) 主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 3第二章 項(xiàng)目提出的背景及建設(shè)的必要性 3第一節(jié) 項(xiàng)目提出的背景 3第二節(jié) 項(xiàng)目建設(shè)的必要性 13第三章 市場需求分析與生產(chǎn)規(guī)模 3第一節(jié) 市場需求分析 3第二節(jié) 生產(chǎn)規(guī)模及產(chǎn)品方案 15第四章 建設(shè)條件與廠址 16第一節(jié) 原材輔材料供應(yīng) 16第二節(jié) 廠址概況 16第三節(jié) 廠址方案 22第五章 工程技術(shù)方案 23第一節(jié) 項(xiàng)目組成 23第二節(jié) 生產(chǎn)技術(shù)方案 23第三節(jié) 總平面布置及運(yùn)輸 26第四節(jié) 土建工程 28第五節(jié) 公用工程及輔助工程 30第六章 企業(yè)組織及勞動定員 34第一節(jié) 企業(yè)組織 34第二節(jié) 項(xiàng)目工作制度及定員 3第三節(jié) 職工來源與培訓(xùn) 36第七章 環(huán)境保護(hù)、勞動安全與消防 38第一節(jié) 環(huán)境保護(hù) 38第二節(jié) 勞動安全 41第三節(jié) 消防 45第八章 節(jié)能 47第一節(jié) 用能標(biāo)準(zhǔn)和節(jié)能規(guī)范 47第二節(jié) 能耗狀況和能耗指標(biāo)分析 47第三節(jié) 節(jié)能措施和節(jié)能效果分析 48第九章 項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度 51第一節(jié) 項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度 51第二節(jié) 項(xiàng)目進(jìn)度計(jì)劃 52第十章 項(xiàng)目招標(biāo)方案 53第十一章 投資估算及資金籌措 56第十二章 財(cái) 務(wù) 評 價 59第一節(jié) 評價原則和方法 59第二節(jié) 財(cái)務(wù)分析 59第十三章 社會影響分析 63第十四章 綜合評價 69 附表目錄附表建設(shè)投資估算表（附表1）流動資金估算表（附表2）投資計(jì)劃與資金籌措表（附表3）總成本費(fèi)用估算表（附表4）固定資產(chǎn)折舊費(fèi)估算表（附表5）銷售收入和稅金估算表（附表6）利潤及利潤分配表（附表7）項(xiàng)目投資現(xiàn)金流量表（附表8）資金來源與運(yùn)用表（附表9）資產(chǎn)負(fù)債表（附表10）半導(dǎo)體材料項(xiàng)目可行性研究報告第一章 總 論第一節(jié) 項(xiàng)目名稱及承辦單位項(xiàng)目名稱：半導(dǎo)體材料項(xiàng)目項(xiàng)目建設(shè)性質(zhì)：承辦單位：某科技有限公司法人：聯(lián)系電話：項(xiàng)目擬建地點(diǎn)：某市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)第二節(jié) 可行性研究編制單位單位名稱： 環(huán)境影響評價有限公司工程咨詢資格證書編號： 資格等級： 發(fā)證機(jī)關(guān)：國家發(fā)展和改革委員會第三節(jié) 研究工作的依據(jù)與范圍一、研究工作的依據(jù)（一）雙方簽訂關(guān)于編制項(xiàng)目申請報告的委托書、合同書；（二）國家發(fā)展和改革委員會2005年第40號令發(fā)布實(shí)行的《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2005年本)》；（三）《信息產(chǎn)業(yè)科技發(fā)展“十一五”規(guī)劃和2020年中長期規(guī)劃綱要》等文件；（四）《節(jié)能中長期專項(xiàng)規(guī)劃》；（五）《建設(shè)項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)評價方法與參數(shù)》（第三版）（六）《投資項(xiàng)目可行性研究指南》、《投資項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)咨詢評估指南》（七）項(xiàng)目承擔(dān)單位提供的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)；（八）國家有關(guān)法律、法規(guī)及產(chǎn)業(yè)政策；（九）現(xiàn)行有關(guān)技術(shù)規(guī)范、規(guī)定及標(biāo)準(zhǔn)；二、研究工作的范圍本可行性研究主要包括：（一）對項(xiàng)目提出的背景、必要性、市場前景、建設(shè)規(guī)模、建設(shè)條件與場地狀況的分析；（二）對項(xiàng)目總圖運(yùn)輸、生產(chǎn)工藝、土建、公用設(shè)施等技術(shù)方案的研究；（三）對項(xiàng)目所采取的消防、環(huán)境保護(hù)、勞動安全衛(wèi)生及節(jié)能措施的評價；（四）對項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度及勞動定員的確定；（五）對項(xiàng)目作出的投資費(fèi)用估算及財(cái)務(wù)綜合評價。半導(dǎo)體材料有很多種，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。中國半導(dǎo)體材料市場自2003年以來已連續(xù)4年維持增長，較2006年增長約14%，其中晶圓制程材料增長 17%，達(dá)到250億美元，封裝材料則增長9%，達(dá)到170億美元。世界半導(dǎo)體行業(yè)巨頭紛紛到國內(nèi)投資，整個半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展，這也要求材料業(yè)要跟上半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的步伐。通過初步分析估算，本項(xiàng)目工程總投資構(gòu)成及資金來源為：項(xiàng)目總投資4800萬元。該項(xiàng)目從半導(dǎo)體材料科研開發(fā)到生產(chǎn)，形成了一條開發(fā)、生產(chǎn)、推廣、銷售為一體的產(chǎn)業(yè)化鏈條，不僅為社會提供勞動就業(yè)機(jī)會，為國家和地方增加稅收，同時也帶動了與之相關(guān)的機(jī)械制造、運(yùn)輸物流、城市基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)等行業(yè)的發(fā)展。目前全世界每年消耗約18000～25000噸半導(dǎo)體級多晶硅，消耗6000～7000噸單晶硅，硅片銷售金額約60～80億美元?，F(xiàn)行多晶硅生產(chǎn)工藝主要有改良西門子法和硅烷熱分解法。區(qū)域熔單晶(FZSi)目前主要用于大功率半導(dǎo)體器件，比如整流二極管，硅可控整流器，大功率晶體管等。當(dāng)硅片的直徑從8英寸到12英寸時，成本約降低30％，因此，國際大公司都在發(fā)展12英寸硅片，將占總產(chǎn)量的20%左右。其中以低位錯密度的HB方法生長的2～3英寸的導(dǎo)電砷化鎵襯底材料為主。美國AXT公司是世界最大的VGF GaAs材料生產(chǎn)商。近年來，為滿足高速移動通信的迫切需求，大直徑(6～8英寸)的SiGaAs發(fā)展很快，4英寸70厘米長及6英寸35厘米長和8英寸的半絕緣砷化鎵(SiGaAs)也在日本研制成功。九十年代初，美國國防部和能源部都把SiC集成電路列為重點(diǎn)項(xiàng)目，要求到2000年在武器系統(tǒng)中要廣泛使用SIC器件和集成電路，從此開始了有關(guān)SiC材料和器件的系統(tǒng)研究，并取得了令人鼓舞的進(jìn)展。由于SiC器件的優(yōu)勢和實(shí)際需求，它已經(jīng)顯示出良好的應(yīng)用前景。隨著半導(dǎo)體分立元件和硅光電池用低檔和廉價硅材料需求的增加，中國單晶硅產(chǎn)量逐年增加。目前，國外8英寸IC生產(chǎn)線正向我國戰(zhàn)略性移動，我國新建和在建的F8英寸IC生產(chǎn)線有近10條之多，對大直徑高質(zhì)量的硅晶片需求十分強(qiáng)勁，而國內(nèi)供給明顯不足，基本依賴進(jìn)口，中國硅晶片的技術(shù)差距和結(jié)構(gòu)不合理可見一斑。2004年國內(nèi)硅單晶產(chǎn)量達(dá)1000噸左右，銷售額突破11億元，%，預(yù)計(jì)2005年我國硅單晶產(chǎn)量可達(dá)1400噸左右。砷化鎵生產(chǎn)主要原材料為砷和鎵。國內(nèi)已經(jīng)有一些單位在開展SiC材料的研究工作。西安電子科技大學(xué)微電子研究所已經(jīng)外延生長了6HSiC，目前正在進(jìn)一步測試證明材料的晶格結(jié)構(gòu)情況。電子、光電子功能單晶將向著大尺寸、高均勻性、晶格高完整性以及元器件向薄膜化、多功能化、片式化、超高集成度和低能耗方向發(fā)展。 （二）在以Si、GaAs為代表的第一代、第二代半導(dǎo)體材料繼續(xù)發(fā)展的同時，加速發(fā)展第三代半導(dǎo)體材料——寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC、GaN、ZnSe、金剛石材料和用SiGe/Si、SOI等新型硅基材料大幅度提高原有硅集成電路的性能是未來半導(dǎo)體材料的重要發(fā)展方向。 因此，該項(xiàng)目的建設(shè)符合國家產(chǎn)業(yè)政策。四、當(dāng)?shù)卣拇罅χС謬鴦?wù)院在2000年頒布和實(shí)施了《鼓勵軟體產(chǎn)業(yè)和積體電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》，市委市政府大力支持新材料的發(fā)展,先后出臺了一系列的政策,在資金、物質(zhì)、人才等方面進(jìn)行扶持、引導(dǎo)和獎勵, 在土地、環(huán)境、手續(xù)等方面的大力支持，該項(xiàng)目適合某市綜合開發(fā)的需要，可作為某市的新興產(chǎn)業(yè)扶持項(xiàng)目，切實(shí)推進(jìn)某市相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，符合某市的投資導(dǎo)向，并能促進(jìn)全市出口創(chuàng)匯工作?！　?jù)信息產(chǎn)業(yè)部的預(yù)測，2005年中國電子信息產(chǎn)品市場的總規(guī)模將達(dá)2萬億元人民幣，這大約相對于全球市場總規(guī)模的13％。半導(dǎo)體材料在信息設(shè)備中的價值含量已達(dá)20％，并且還在繼續(xù)上升。與晶圓制造材料類似，封裝材料預(yù)計(jì)在2009年和2010年將分別增長9％和6％，2010年將達(dá)206億美元。 第四章 建設(shè)條件與廠址第一節(jié) 原材輔材料供應(yīng)性能指標(biāo)能滿足技術(shù)要求的，均立足國內(nèi)供應(yīng)，以節(jié)約資金、降低生產(chǎn)成本；本項(xiàng)目所需的各種原材料均為行業(yè)常用的材料，原輔材料的需求量在山東省內(nèi)均可以滿足供應(yīng)。地勢平坦，無顯著起伏。北依北京、天津，南鄰省會濟(jì)經(jīng)濟(jì)開發(fā)帶交匯區(qū)內(nèi)，兼具沿海與內(nèi)陸雙重優(yōu)勢。其次是砂質(zhì)粘土夾粉砂、細(xì)砂透鏡體。某市地處黃河中下游沖積平原，地勢平坦，地質(zhì)結(jié)構(gòu)優(yōu)良，地耐力達(dá)1830噸/平方米。常年主導(dǎo)風(fēng)向：SW風(fēng)春夏季：南風(fēng)、西南風(fēng)秋冬季：東北風(fēng)年平均風(fēng)速：年平均氣壓：年平均日照數(shù)： 年相對濕度：65%年平均降雨量：年最大降雨量： mm天最大降雨量： mm（三）工程地質(zhì)及水文某地質(zhì)構(gòu)造上屬華北地臺，滄東大斷裂北北東向，西盤上升，東盤下降。其顯著特征是銹染特別發(fā)育，含分散鈣、結(jié)構(gòu)較上復(fù)地層密實(shí)。地下水穩(wěn)定水位埋深。某市境內(nèi)主干河道26條，全長398公里，年均引用黃河水2億立方米，年可開采淺層地下水1047億立方米。②層：粉土層，～，地基承載力推薦值為105kPA。⑥層：粉土層，～，地基承載力推薦值為150kPA。三、交通運(yùn)輸條件某市開發(fā)區(qū)南離省會濟(jì)南50公里，北距首都北京450公里，東離沿海開放城市青島460公里。廠址距某火車站10公里，交通運(yùn)輸有可靠保障。目前，某先后同100多個大專院校和科研單位建立了穩(wěn)固的合作關(guān)系。擁有56個大中型商業(yè)網(wǎng)點(diǎn)和13個專業(yè)批發(fā)市場。 　　某市將把工業(yè)帶動、個體私營非公有制經(jīng)濟(jì)、農(nóng)業(yè)產(chǎn)業(yè)化、市場流通作為工作重點(diǎn)，力爭通過幾年的努力，使農(nóng)業(yè)形成產(chǎn)業(yè)化、規(guī)模化格局，走上高產(chǎn)、優(yōu)質(zhì)、高效的路子；使工業(yè)形成輕紡、化工、機(jī)電、醫(yī)藥、食品加工等支柱企業(yè)和拳頭產(chǎn)品，培植起以生物化工、機(jī)電一體化、新材料為主的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)；使第三產(chǎn)業(yè)更加繁榮，服務(wù)體系更加健全，成為區(qū)域性商貿(mào)中心；使城鄉(xiāng)基礎(chǔ)設(shè)施更加完善，社會文明程度顯著提高，人民物質(zhì)文化生活明顯改善，把某建成富強(qiáng)、文明、開放的現(xiàn)代化區(qū)域中心城市。該場地占地8664平方米，土地類型為工業(yè)用地，按照國家相關(guān)政策要求，項(xiàng)目建設(shè)符合當(dāng)?shù)赝恋厥褂靡?guī)劃要求。供水：來自廠區(qū)自備井，出水量約為120m3/d，水資源豐富，能保證生產(chǎn)生活用水供應(yīng)。消防某市消防局根據(jù)火災(zāi)危險性類別和重點(diǎn)單位、工商企業(yè)、人口密度、建筑狀況以及交通道路、水源等實(shí)際情況劃分消防區(qū)，以“消防結(jié)合、以防為主”的原則組織消防。新上各種生產(chǎn)和檢測設(shè)備35臺（套），進(jìn)行導(dǎo)電涂層材料、樹脂材料、防靜電樹脂材料等生產(chǎn)。相關(guān)產(chǎn)品已取得高新技術(shù)產(chǎn)品證書，擁有發(fā)明專利：。攪拌料桶研磨NEO溶劑 送印刷車間NEO顏料圖11 印刷涂飾劑生產(chǎn)工藝流程框圖（2）印刷工藝干燥干燥收卷印刷2印刷1