【正文】 單位在開(kāi)展SiC材料的研究工作。集成電路用砷化鎵材料的砷和鎵原料要求達(dá)7N，基本靠進(jìn)口解決。砷化鎵生產(chǎn)主要原材料為砷和鎵。 中國(guó)GaAs材料單晶以2～3英寸為主，4英寸處在產(chǎn)業(yè)化前期，研制水平達(dá)6英寸。；信息產(chǎn)業(yè)部46所生長(zhǎng)出中國(guó)第一根6英寸砷化鎵單晶，單晶重12kg，并已連續(xù)生長(zhǎng)出6根6英寸砷化鎵單晶；西安理工大在高壓?jiǎn)尉t上稱重單元技術(shù)研發(fā)方面取得了突破性的進(jìn)展。2004年國(guó)內(nèi)硅單晶產(chǎn)量達(dá)1000噸左右，銷售額突破11億元，%，預(yù)計(jì)2005年我國(guó)硅單晶產(chǎn)量可達(dá)1400噸左右。2004年國(guó)內(nèi)從事硅單晶材料研究生產(chǎn)的企業(yè)約有35家，從業(yè)人員約3700人，主要研究和生產(chǎn)單位有北京有研硅股、杭州海納半導(dǎo)體材料公司、寧波立立電子公司、洛陽(yáng)單晶硅廠、萬(wàn)向硅峰電子材料公司、上海晶華電子材料公司、峨眉半導(dǎo)體材料廠、河北寧晉半導(dǎo)體材料公司等。目前，國(guó)外8英寸IC生產(chǎn)線正向我國(guó)戰(zhàn)略性移動(dòng)，我國(guó)新建和在建的F8英寸IC生產(chǎn)線有近10條之多，對(duì)大直徑高質(zhì)量的硅晶片需求十分強(qiáng)勁，而國(guó)內(nèi)供給明顯不足，基本依賴進(jìn)口，中國(guó)硅晶片的技術(shù)差距和結(jié)構(gòu)不合理可見(jiàn)一斑。單晶硅產(chǎn)量為584t，拋光片產(chǎn)量5183萬(wàn)平方英寸，主要規(guī)格為3～6英寸，6英寸正片已供應(yīng)集成電路企業(yè)，8英寸主要用作陪片。隨著半導(dǎo)體分立元件和硅光電池用低檔和廉價(jià)硅材料需求的增加，中國(guó)單晶硅產(chǎn)量逐年增加。SiC具有較大的禁帶寬度，使得基于這種材料制成的器件和電路可以滿足在470K到970K條件下工作的需要，目前有些研究水平已經(jīng)達(dá)到970K的工作溫度，并正在研究更高的工作溫度的器件和集成電路。由于SiC器件的優(yōu)勢(shì)和實(shí)際需求，它已經(jīng)顯示出良好的應(yīng)用前景。美國(guó)政府與西屋西子公司合作，投資450萬(wàn)美元開(kāi)了3英寸純度均勻、低缺陷的SiC單晶和外延材料。九十年代初，美國(guó)國(guó)防部和能源部都把SiC集成電路列為重點(diǎn)項(xiàng)目，要求到2000年在武器系統(tǒng)中要廣泛使用SIC器件和集成電路，從此開(kāi)始了有關(guān)SiC材料和器件的系統(tǒng)研究，并取得了令人鼓舞的進(jìn)展。寬禁帶氮化鎵材料:國(guó)外對(duì)SiC的研究早在五十年代末和六十年代初就已開(kāi)始了。近年來(lái)，為滿足高速移動(dòng)通信的迫切需求，大直徑(6～8英寸)的SiGaAs發(fā)展很快，4英寸70厘米長(zhǎng)及6英寸35厘米長(zhǎng)和8英寸的半絕緣砷化鎵(SiGaAs)也在日本研制成功。國(guó)際上砷化鎵市場(chǎng)需求以4英寸單晶材料為主，而6英寸單晶材料產(chǎn)量和市場(chǎng)需求快速增加，已占據(jù)35%以上的市場(chǎng)份額。美國(guó)AXT公司是世界最大的VGF GaAs材料生產(chǎn)商。日本是最大的生產(chǎn)國(guó)和輸出國(guó)，占世界市場(chǎng)的70～80%；美國(guó)在1999年成功地建成了3條6英寸砷化鎵生產(chǎn)線，在砷化鎵生產(chǎn)技術(shù)上領(lǐng)先一步。其中以低位錯(cuò)密度的HB方法生長(zhǎng)的2～3英寸的導(dǎo)電砷化鎵襯底材料為主。用于大量生產(chǎn)砷化鎵晶體的方法是傳統(tǒng)的LEC法(液封直拉法)和HB法(水平舟生產(chǎn)法)。當(dāng)硅片的直徑從8英寸到12英寸時(shí)，成本約降低30％，因此，國(guó)際大公司都在發(fā)展12英寸硅片，將占總產(chǎn)量的20%左右。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展和競(jìng)爭(zhēng)，國(guó)際硅材料行業(yè)出現(xiàn)了壟斷性企業(yè)，日本、德國(guó)和美國(guó)的六大硅片公司的銷量占硅片總銷量的90%以上，其中信越、瓦克、SUMCO和MEMC四家的銷售額占世界硅片銷售額的70%以上，決定著國(guó)際硅材料的價(jià)格和高端技術(shù)產(chǎn)品市場(chǎng)，其中以日本的硅材料產(chǎn)業(yè)最大，占據(jù)了國(guó)際硅材料行業(yè)的半壁江山。區(qū)域熔單晶(FZSi)目前主要用于大功率半導(dǎo)體器件，比如整流二極管，硅可控整流器，大功率晶體管等。生長(zhǎng)單晶硅的工藝可分為區(qū)熔(FZ)和直拉(CZ)兩種?，F(xiàn)行多晶硅生產(chǎn)工藝主要有改良西門子法和硅烷熱分解法。 電子工業(yè)的發(fā)展歷史表明，沒(méi)有半導(dǎo)體硅材料的發(fā)展，就不可能有集成電路、電子工業(yè)和信息技術(shù)的發(fā)展。目前全世界每年消耗約18000～25000噸半導(dǎo)體級(jí)多晶硅，消耗6000～7000噸單晶硅，硅片銷售金額約60～80億美元。通過(guò)研究可以看出本項(xiàng)目依據(jù)條件較好，工藝技術(shù)成熟可靠，無(wú)論在技術(shù)上還是在經(jīng)濟(jì)效益上都是可行的。該項(xiàng)目從半導(dǎo)體材料科研開(kāi)發(fā)到生產(chǎn)，形成了一條開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、推廣、銷售為一體的產(chǎn)業(yè)化鏈條，不僅為社會(huì)提供勞動(dòng)就業(yè)機(jī)會(huì)，為國(guó)家和地方增加稅收，同時(shí)也帶動(dòng)了與之相關(guān)的機(jī)械制造、運(yùn)輸物流、城市基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)等行業(yè)的發(fā)展。資金來(lái)源為企業(yè)自籌資金。通過(guò)初步分析估算，本項(xiàng)目工程總投資構(gòu)成及資金來(lái)源為：項(xiàng)目總投資4800萬(wàn)元。基于以上現(xiàn)狀，某科技有限公司擬利用現(xiàn)有生產(chǎn)及技術(shù)優(yōu)勢(shì)開(kāi)發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體材料，以滿足市場(chǎng)的需求。世界半導(dǎo)體行業(yè)巨頭紛紛到國(guó)內(nèi)投資，整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展，這也要求材料業(yè)要跟上半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的步伐。中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展迅速，預(yù)計(jì)2010年，半導(dǎo)體材料的銷售額將達(dá)到530億美元。中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)自2003年以來(lái)已連續(xù)4年維持增長(zhǎng)，較2006年增長(zhǎng)約14%，其中晶圓制程材料增長(zhǎng) 17%，達(dá)到250億美元，封裝材料則增長(zhǎng)9%，達(dá)到170億美元。上述材料是目前主要應(yīng)用的半導(dǎo)體材料，三代半導(dǎo)體材料代表品種分別為硅、砷化鎵和氮化鎵。半導(dǎo)體材料有很多種，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。半導(dǎo)體于室溫時(shí)電導(dǎo)率約在 10ˉ10～10000/Ω半導(dǎo)體材料項(xiàng)目可行性研究報(bào)告半導(dǎo)體材料項(xiàng)目可行性研究報(bào)告目 錄第一章 總 論 1第一節(jié) 項(xiàng)目名稱及承辦單位 1第二節(jié) 可行性研究編制單位 1第三節(jié) 研究工作的依據(jù)與范圍 1第四節(jié) 簡(jiǎn)要結(jié)論 2第五節(jié) 主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 3第二章 項(xiàng)目提出的背景及建設(shè)的必要性 3第一節(jié) 項(xiàng)目提出的背景 3第二節(jié) 項(xiàng)目建設(shè)的必要性 13第三章 市場(chǎng)需求分析與生產(chǎn)規(guī)模 3第一節(jié) 市場(chǎng)需求分析 3第二節(jié) 生產(chǎn)規(guī)模及產(chǎn)品方案 15第四章 建設(shè)條件與廠址 16第一節(jié) 原材輔材料供應(yīng) 16第二節(jié) 廠址概況 16第三節(jié) 廠址方案 22第五章 工程技術(shù)方案 23第一節(jié) 項(xiàng)目組成 23第二節(jié) 生產(chǎn)技術(shù)方案 23第三節(jié) 總平面布置及運(yùn)輸 26第四節(jié) 土建工程 28第五節(jié) 公用工程及輔助工程 30第六章 企業(yè)組織及勞動(dòng)定員 34第一節(jié) 企業(yè)組織 34第二節(jié) 項(xiàng)目工作制度及定員 3第三節(jié) 職工來(lái)源與培訓(xùn) 36第七章 環(huán)境保護(hù)、勞動(dòng)安全與消防 38第一節(jié) 環(huán)境保護(hù) 38第二節(jié) 勞動(dòng)安全 41第三節(jié) 消防 45第八章 節(jié)能 47第一節(jié) 用能標(biāo)準(zhǔn)和節(jié)能規(guī)范 47第二節(jié) 能耗狀況和能耗指標(biāo)分析 47第三節(jié) 節(jié)能措施和節(jié)能效果分析 48第九章 項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度 51第一節(jié) 項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度 51第二節(jié) 項(xiàng)目進(jìn)度計(jì)劃 52第十章 項(xiàng)目招標(biāo)方案 53第十一章 投資估算及資金籌措 56第十二章 財(cái) 務(wù) 評(píng) 價(jià) 59第一節(jié) 評(píng)價(jià)原則和方法 59第二節(jié) 財(cái)務(wù)分析 59第十三章 社會(huì)影響分析 63第十四章 綜合評(píng)價(jià) 69 附表目錄附表建設(shè)投資估算表（附表1）流動(dòng)資金估算表（附表2）投資計(jì)劃與資金籌措表（附表3）總成本費(fèi)用估算表（附表4）固定資產(chǎn)折舊費(fèi)估算表（附表5）銷售收入和稅金估算表（附表6）利潤(rùn)及利潤(rùn)分配表（附表7）項(xiàng)目投資現(xiàn)金流量表（附表8）資金來(lái)源與運(yùn)用表（附表9）資產(chǎn)負(fù)債表（附表10）半導(dǎo)體材料項(xiàng)目可行性研究報(bào)告第一章 總 論第一節(jié) 項(xiàng)目名稱及承辦單位項(xiàng)目名稱：半導(dǎo)體材料項(xiàng)目項(xiàng)目建設(shè)性質(zhì)：承辦單位：某科技有限公司法人：聯(lián)系電話：項(xiàng)目擬建地點(diǎn)：某市高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)第二節(jié) 可行性研究編制單位單位名稱： 環(huán)境影響評(píng)價(jià)有限公司工程咨詢資格證書編號(hào)： 資格等級(jí)： 發(fā)證機(jī)關(guān)：國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)第三節(jié) 研究工作的依據(jù)與范圍一、研究工作的依據(jù)（一）雙方簽訂關(guān)于編制項(xiàng)目申請(qǐng)報(bào)告的委托書、合同書；（二）國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)2005年第40號(hào)令發(fā)布實(shí)行的《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2005年本)》；（三）《信息產(chǎn)業(yè)科技發(fā)展“十一五”規(guī)劃和2020年中長(zhǎng)期規(guī)劃綱要》等文件；（四）《節(jié)能中長(zhǎng)期專項(xiàng)規(guī)劃》；（五）《建設(shè)項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)方法與參數(shù)》（第三版）（六）《投資項(xiàng)目可行性研究指南》、《投資項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)咨詢?cè)u(píng)估指南》（七）項(xiàng)目承擔(dān)單位提供的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)；（八）國(guó)家有關(guān)法律、法規(guī)及產(chǎn)業(yè)政策；（九）現(xiàn)行有關(guān)技術(shù)規(guī)范、規(guī)定及標(biāo)準(zhǔn)；二、研究工作的范圍本可行性研究主要包括：（一）對(duì)項(xiàng)目提出的背景、必要性、市場(chǎng)前景、建設(shè)規(guī)模、建設(shè)條件與場(chǎng)地狀況的分析；（二）對(duì)項(xiàng)目總圖運(yùn)輸、生產(chǎn)工藝、土建、公用設(shè)施等技術(shù)方案的研究；（三）對(duì)項(xiàng)目所采取的消防、環(huán)境保護(hù)、勞動(dòng)安全衛(wèi)生及節(jié)能措施的評(píng)價(jià)；（四）對(duì)項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度及勞動(dòng)定員的確定；（五）對(duì)項(xiàng)目作出的投資費(fèi)用估算及財(cái)務(wù)綜合評(píng)價(jià)。 第四節(jié) 簡(jiǎn)要結(jié)論半導(dǎo)體材料是指電導(dǎo)率介于金屬和絕緣體之間的固體材料。cm 之間，純凈的半導(dǎo)體溫度升高時(shí)電導(dǎo)率按指數(shù)上升。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，一般將硅、鍺稱為第一代半導(dǎo)體材料；將砷化鎵、磷化錮、磷化鎵、砷化錮、砷化鋁及其合金等稱為第二代半導(dǎo)體材料；而將寬禁帶(Eg)的氮化鎵、碳化硅、硒化鋅和金剛石等稱為第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要基礎(chǔ)材料，支撐著通信、計(jì)算機(jī)、信息家電與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)等電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。而2007年全球整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)僅增長(zhǎng)3%，達(dá)到2556億美元。與晶圓制造材料類似，封裝材料預(yù)計(jì)在2009年和2010年將分別增長(zhǎng)9％和6％，2010年將達(dá)206億美元。可以說(shuō)，市場(chǎng)發(fā)展為半導(dǎo)體支撐材料業(yè)帶來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。該項(xiàng)目擬在某市高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，新建生產(chǎn)車間、倉(cāng)庫(kù)以及水電氣等公用基礎(chǔ)設(shè)施廠房8664 平方米，新上各種生產(chǎn)和檢測(cè)設(shè)備35臺(tái)（套），形成年產(chǎn)導(dǎo)電涂層材料、樹(shù)脂材料、。其中，建設(shè)投資4501萬(wàn)元，在建設(shè)投資中，建筑工程費(fèi)545萬(wàn)元，設(shè)備購(gòu)置及安裝費(fèi)3563萬(wàn)元，其它費(fèi)用113萬(wàn)元,基本預(yù)備費(fèi)280萬(wàn)元。本項(xiàng)目完成后，達(dá)產(chǎn)年企業(yè)新增銷售收入15000萬(wàn)元，新增利稅1514萬(wàn)元（其中利潤(rùn)總額792萬(wàn)元，銷售稅金及附加722萬(wàn)元）。該項(xiàng)目符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策和行業(yè)發(fā)展要求，產(chǎn)品市場(chǎng)廣闊，經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益顯著，抗風(fēng)險(xiǎn)能力強(qiáng)。第五節(jié) 主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)表序號(hào)項(xiàng) 目單 位指 標(biāo)備 注1生產(chǎn)規(guī)模年產(chǎn)半導(dǎo)體材料萬(wàn)噸2項(xiàng)目總投資萬(wàn)元4800其中：建設(shè)投資萬(wàn)元4501鋪底流動(dòng)資金萬(wàn)元2993流動(dòng)資金萬(wàn)元41524項(xiàng)目廠區(qū)占地面積平方米86645項(xiàng)目定員人200其中：技術(shù)管理人員人40工 人人1607全年生產(chǎn)天數(shù)天3008人員工作日天2509銷售收入萬(wàn)元/年1500010總成本萬(wàn)元/年13486正常年11利 稅萬(wàn)元/年1514正常年12利 潤(rùn)萬(wàn)元/年792正常年(稅后)13總投資收益率%14財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率%稅后15投資回收期年含建設(shè)期、稅后第二章 項(xiàng)目提出的背景及建設(shè)的必要性第一節(jié) 項(xiàng)目提出的背景一、半導(dǎo)體材料現(xiàn)狀（一）世界半導(dǎo)體材料現(xiàn)狀半導(dǎo)體硅材料：半導(dǎo)體硅材料自從60年代被廣泛應(yīng)用于各類電子元器件以來(lái)，其用量平均大約以每年12～16%的速度增長(zhǎng)。可以說(shuō)在未來(lái)30～50年內(nèi)，硅材料仍將是LSI工業(yè)最基礎(chǔ)和最重要的功能材料。 半導(dǎo)體硅材料分為多晶硅、單晶硅、硅外延片以及非晶硅、澆注多晶硅、淀積和濺射非晶硅等。主要產(chǎn)品有棒狀和粒狀兩種，主要是用作制備單晶硅以及太陽(yáng)能電池等。其中，直拉硅單晶(CZSi)廣泛應(yīng)用于集成電路和中小功率器件。單晶硅和多晶硅應(yīng)用最廣。在集成電路用硅片中，8英寸的硅片占主流，約40～50％，6英寸的硅片占30％。砷化鎵單晶材料：砷化鎵是微電子和光電子的基礎(chǔ)材料，為直接帶隙，具有電子飽和漂移速度高、耐高溫、抗輻照等特點(diǎn)，在超高速、超高頻、低功耗、低噪聲器件和電路，特別在光電子器件和光電集成方面占有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。 目前，世界砷化鎵單晶的總年產(chǎn)量已超過(guò)200噸(日本1999年的砷化鎵單晶的生產(chǎn)量為94噸)。國(guó)外開(kāi)發(fā)了兼具以上2種方法優(yōu)點(diǎn)的VGF法(垂直梯度凝固法)、VB法(垂直布里支曼法)和VCZ法(蒸氣壓控制直拉法)，成功制備出4～6英寸大直徑GaAs單晶。移動(dòng)電話用電子器件和光電器件市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的要求，使全球砷化鎵晶片市場(chǎng)以30%的年增長(zhǎng)率迅速形成數(shù)十億美元的大市場(chǎng)，預(yù)計(jì)未來(lái)20年砷化鎵市場(chǎng)都具有高增長(zhǎng)性。日本住友電工是世界最大的砷化鎵生產(chǎn)和銷售商，年產(chǎn)GaAs單晶30t。世界GaAs單晶主要生產(chǎn)商情況見(jiàn)表6。研制和小批量生產(chǎn)水平達(dá)到8英寸。磷化銦具有比砷化鎵更優(yōu)越的高頻性能，發(fā)展的速度更快，但研制直徑4英寸以上大直徑的磷化銦單晶的關(guān)鍵技術(shù)尚未完全突破，價(jià)格居高不下。到了八十年代中期，美國(guó)海軍研究局和國(guó)家宇航局與北卡羅來(lái)納州大學(xué)簽訂了開(kāi)發(fā)SiC材料和器件的合同，并促成了在1987年建立專門研究SiC半導(dǎo)體的Cree公司。即目前為止，直徑≥50mm具有良好性能的半絕緣和摻雜材料已經(jīng)商品化。另外，制造SiC器件的工藝如離子注入、氧化、歐姆接觸和肖特基接觸以及反應(yīng)離子刻蝕等工藝取得了重大進(jìn)展，所以促成了SiC器件和集成電路的快速發(fā)展。航空、航天、冶煉以及深井勘探等許多領(lǐng)域中的電子系統(tǒng)需要工作在高溫環(huán)境中，這要求器件和電路能夠適應(yīng)這種需要，而各類SiC器件都顯示良好的溫度性能。（二）我國(guó)半導(dǎo)體材料現(xiàn)狀中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)經(jīng)過(guò)四十多年發(fā)展已取得相當(dāng)大的進(jìn)展，先后研制和生產(chǎn)了4英寸、5英寸、