國際與國內(nèi)ic產(chǎn)業(yè)分析(已修改)
2025-03-04 11:27 本頁面
【正文】 芯 片 產(chǎn) 業(yè) 報(bào) 告 沈陽光電信息產(chǎn)業(yè)園 孟慶偉 2023年 9月 一、芯片概述 （一）芯片的定義 我們通常所說的 “芯片 ”是指集成電路，它是微電子技術(shù)的主要產(chǎn)品。微電子技術(shù)涉及的行業(yè)很多 ,包括化工、光電技術(shù)、半導(dǎo)體材料、精密設(shè)備制造、軟件等 ,其中又以集成電路技術(shù)為核心 ,包括集成電路的設(shè)計(jì)、制造 . （二）芯片產(chǎn)業(yè)常用基本術(shù)語 晶圓 ,多指單晶硅圓片 ,由普通硅沙拉制提煉而成 ,是最常用的半導(dǎo)體材料 。 ２、前、后工序 :IC制造過程中 , 晶圓光刻的工藝 (即所謂流片 ),被稱為前工序 ,這是 IC制造的最要害技術(shù) 。晶圓流片后 ,其切割、封裝等工序被稱為后工序。 ３、光刻 :IC生產(chǎn)的主要工藝手段 ,指用光技術(shù)在晶圓上刻蝕電路 .是 IC工藝先進(jìn)水平的主要指標(biāo)。 ４、封裝 :指把硅片上的電路管腳 ,用導(dǎo)線接引到外部接頭處 ,以便與其它器件連接。 ５、存儲器 :專門用于保存數(shù)據(jù)信息的 IC。 ６、邏輯電路 :以二進(jìn)制為原理的數(shù)字電路 。 （三）芯片的分類 ： 按半導(dǎo)體材料分類 芯片的兩大材料為 Si 與 Ge，技術(shù)方向卻是把 Si和 Ge合成在一起組成 SiGe芯片，兩者的優(yōu)點(diǎn)體現(xiàn)于單一芯片上。 按集成電路工作原理分類 芯片上的集成電路可以是 CMOS，或者是 TTL 。兩者的差異在于工作原理。把 CMOS和 TTL技術(shù)合成單一芯片的技術(shù)是 BICMOS。最后，和 TTL工作原理相似的還有一種 ECL電路，不過這種芯片不很常見。 按芯片加工技術(shù)分類 進(jìn)入了 SubMicron “次微米 ”時(shí)代的半導(dǎo)體業(yè)突飛猛進(jìn)，越過了半微米，四分一微米等門檻，到達(dá)了 “深次微米 ”的意境。電路越來越小，密度越來越高，功能越趨完美，價(jià)錢越來越低。 按工作方式分類 芯片的工作方式兩種： Analog 和 Digital。處理聲，光，無線信號等物理現(xiàn)象的是 Analog 芯片。并以此進(jìn)行邏輯計(jì)算的是 Digital 芯片。 按功能分類 、 處理器。處理器又可從其應(yīng)用范圍細(xì)分為通用處器，嵌入處理器，數(shù)字信號處理器，數(shù)學(xué)輔助處理器。 、記憶芯片 (1)以讀寫分類，有 RAM和 ROM。 (2)以記憶更新性分類，有 DRAM和 SRAM兩種芯片。 (3)以電源依賴性分，有 volitile 和 nonvolitile 記憶芯片。 。特定功能。比如記憶管理芯片，以太網(wǎng)控制器， IO控制器，等等。 按設(shè)計(jì)方式分類 當(dāng)今的芯片設(shè)計(jì)有兩大陣營： FPGA 和 ASIC。 （四）芯片的生產(chǎn)過程 （ 1） 硅提純 生產(chǎn) CPU等芯片的材料是半導(dǎo)體，現(xiàn)階段主要的材料是硅Si，這是一種非金屬元素，從化學(xué)的角度來看，由于它處于元素周期表中金屬元素區(qū)與非金屬元素區(qū)的交界處，所以具有半導(dǎo)體的性質(zhì)，適合于制造各種微小的晶體管，是目前最適宜于制造現(xiàn)代大規(guī)模集成電路的材料之一。 （ 2） 切割晶圓 所謂的 “切割晶圓 ”也就是用機(jī)器從單晶硅棒上切割下一片事先確定規(guī)格的硅晶片 ， 并將其劃分成多個細(xì)小的區(qū)域 ，每個區(qū)域都將成為一個 CPU的內(nèi)核 (Die) （ 3）影印和蝕刻 （ 4）重復(fù)、分層 為加工新的一層電路，再次生長硅氧化物，然后沉積一層多
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