【材料課件】第九章半導(dǎo)體光電子材料(已修改)
2025-01-13 09:59 本頁面
【正文】 第九章 半導(dǎo)體光電子材料n 電子器件和光電子器件應(yīng)用是半導(dǎo)體材料最重要的兩大應(yīng)用領(lǐng)域n 半導(dǎo)體材料 Si， GaAs和 GaN， InP等既是重要的電子材料，也是重要的光電子材料 半導(dǎo)體激光材料n 1962年， GaAs激光二極管的問世，作為半導(dǎo)體光電子學(xué)的開端。n 激光的激射波長取決于材料的帶隙，且只有具有直接帶隙的材料才能產(chǎn)生光輻射，它使注入的電子－空穴自己發(fā)生輻射復(fù)合以得到較高的電光轉(zhuǎn)化效率產(chǎn)生激光的條件n 1. 形成粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，使受激輻射占優(yōu)勢n 2. 具有共振腔以實(shí)現(xiàn)光量子放大n 3. 外界輸入能量至少要達(dá)到閾值，使激光管的增益至少等于損耗LD材料n GaAs基n InP基n GaN基n GaSb基 半導(dǎo)體顯示材料n 發(fā)光二極管（ LED）n 電致發(fā)光顯示 發(fā)光二極管 LEDn 發(fā)光二極管 LightEmitting Diode 是由數(shù)層很薄的摻雜半導(dǎo)體材料制成。n 當(dāng)通過正向電流時(shí)， n區(qū)電子獲得能量越過 PN結(jié)的禁帶與 p區(qū)的空穴復(fù)合以光的形式釋放出能量。LED應(yīng)用n 半導(dǎo)體白光照明n 車
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