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正文內(nèi)容

低溫共燒陶瓷組件設(shè)計指引(已修改)

2025-08-14 23:49 本頁面
 

【正文】 . . . . .中國電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所技術(shù)文件低溫共燒多層陶瓷電路設(shè)計規(guī)范一、 介紹本設(shè)計規(guī)范是根據(jù)LTCC生瓷帶供應(yīng)商提供的設(shè)計規(guī)范制定的,適用于軍用及民用LTCC電路模塊、微波電路模塊的基本設(shè)計。此文件所包含的信息,接受者沒有四十三所的同意不得向第三者提供。這份文件定義了標(biāo)準(zhǔn)的或最大的工藝叁數(shù),在這份文件中的數(shù)據(jù)并不是 LTCC 的設(shè)計極限。為了提高電路的性能和降低成本以及工藝技術(shù)的提升會隨時對本文件進(jìn)行修改。如:●工藝技術(shù)的進(jìn)化;●新材料的發(fā)展;●客戶的新需要;●來自客戶經(jīng)驗的反饋;根據(jù)特定的需要, 經(jīng)技術(shù)人員認(rèn)可也可以超越該規(guī)范的限制。請經(jīng)常和連絡(luò)我們的技術(shù)部門,獲取更多的信息和建議。二、引用文件本設(shè)計規(guī)范引用的文件:《混合微電子電路設(shè)計指南》;厚膜電路平面設(shè)計規(guī)范。 三、 術(shù)語說明 后燒表面電阻 交錯通孔 頂層內(nèi)埋電阻 內(nèi)埋電容 內(nèi)埋孔 內(nèi)導(dǎo)帶 導(dǎo)熱孔 堆積孔通孔間距 通孔直徑 底層 四、 材料系統(tǒng)●目前生產(chǎn)線上使用的LTCC材料組要有DuPont 95HL2000。●用于高頻電路的低損耗微波LTCC介質(zhì)帶材料:Ferro –A6 、DP943。導(dǎo)體材料根據(jù)客戶需要采用金系統(tǒng)和混合系統(tǒng)(外層是可以焊接的Pd/Ag導(dǎo)體及可絲焊的金導(dǎo)體,內(nèi)層是Ag導(dǎo)體)。LTCC生瓷帶介質(zhì)材料特性見表1表生瓷帶介質(zhì)材料數(shù)據(jù)性質(zhì)DP951DP943Ferro –A6S/M厚度1)951 C2 50 um951PT 114 um951P2 165 um951PX 254um943C2 50 um943P5 127 um943PX 254um㎜、㎜燒結(jié)收縮率(X、Y)177。%177。%177。%燒結(jié)收縮率(Z)15177。%177。%25177。%介電常數(shù)(10MHz) (15G)(10MHz)介質(zhì)損耗%(10MHz)%%(10MHz)絕緣電阻>1012Ω(100VDC)1012Ω(100VDC)>1014Ω(100VDC)擊穿電壓>1000V/25um1000V/25um>1000V/25um熱導(dǎo)率3W/mk2W/mk熱脹系數(shù)6 ppm/K燒結(jié)密度㎝2㎝2㎝2抗折強(qiáng)度320MPa230 MPa130MPa表導(dǎo)體材料性能導(dǎo)體特性陶瓷材料系統(tǒng)Du Pont 951陶瓷材料系統(tǒng)Ferro A6 S/M導(dǎo)體類型內(nèi)層 Ag, Au外層Ag, Au, PdAg 內(nèi)層 Ag, Au外層Ag, Au, PdAg頂層導(dǎo)體膜厚(μm) 10 177。 310 177。 3內(nèi)層導(dǎo)體膜厚(μm)7 to 15 177。 27 to 15 177。 2電阻 mΩ / 頂層(10 μm)Au 4Ag 3AgPd 30Au 4Ag 3AgPd 30電阻 mΩ / 內(nèi)層Au 4Ag 3Au 4Ag 3頂層導(dǎo)體粗糙度 (Rq μm RMS) (后燒)Au: Ag: 五、 電路布線版圖布局目前我們二種布圖尺寸,見下圖。一種為140140mm(可用面積)。170mm瓷片尺寸 140mm 對位標(biāo)志 140 mm 切割線 可用面積 電路 圖
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