低溫共燒陶瓷組件設計指引(存儲版)
【正文】 B E F D A C空腔底層最小燒結厚度為380um，最優(yōu)為430um?？ㄊ揭€焊區(qū)印刷在基板的頂層和底面。m]350250C[181。焊接層導體應比附著層導體寬100um。 。 要保證本規(guī)范推薦與優(yōu)選的版圖尺寸數(shù)據(jù)與基板尺寸數(shù)據(jù)相匹配。拼一個春夏秋冬！贏一個無悔人生！早安！—————獻給所有努力的人.學習參考。 線路審核人員須核校平面布線與電路設計圖是否一致，確保電路連接關系正確。所有設計具有相同的原點，170170mm在中心。硬焊導體有兩種，第一種是為了附著，第二種是為了焊接。項目標準高級A[181。十、封裝形式 卡式引線。m]250100f Via Cover to Substrate Edge [181。30 % 表準400um 搭界表準250um 最小250um 端頭 寬度 最小250um 長度 探針PAD 最優(yōu)通孔位置 最小電阻尺寸（㎜）電阻圖形調阻刀口 埋置電容LTCC中可以采用不同的技術來制作電容,最常用的技術是利用陶瓷帶本身來制作電容, 其ε=～,。100ppm＜%＜177。1 %＜177。 電阻 電阻可制作下列方阻 表表面電阻方阻溫度系數(shù)穩(wěn)定性精度（調阻）精度（不調阻）20Ω＜177。射頻通孔也可以是堆積的，,見下圖。 通孔間距最小通孔節(jié)距（中心距），通孔直徑，兩層間交錯通孔錯位為2通孔直徑，最小通孔中心，距基板邊沿距離應為3通孔直徑。%。 2電阻 mΩ / 頂層(10 μm)Au 4Ag 3AgPd 30Au 4Ag 3AgPd 30電阻 mΩ / 內層Au 4Ag 3Au 4Ag 3頂層導體粗糙度 (Rq μm RMS) (后燒)Au: Ag: 五、 電路布線版圖布局目前我們二種布圖尺寸，見下圖。%177。如：●工藝技術的進化；●新材料的發(fā)展；●客戶的新需要；●來自客戶經(jīng)驗的反饋；根據(jù)特定的需要, 經(jīng)技術人員認可也可以超越該規(guī)范的限制。為了提高電路的性能和降低成本以及工藝技術的提升會隨時對本文件進行修改。%177。 27 to 15 177。燒結后基板電路圖形收縮誤差≦177。后燒結表面導體通孔覆蓋區(qū)直徑要≧400um。射頻通孔間距可以小到50um（在不同層上平行放置），只要它們是相互連同的。過孔到刪格線最小距離為300um（B）。100ppm＜%＜177。20 %1M＜177。200ppm＜%＜177。m]100e Via Hole Cover Diameter[181。㎜（F）。布圖結構應如下圖。m]100十二、密封焊 對于芯片元件的密封焊接，金屬框架可以用Au80/Sn20焊料焊接到基板上。所有的的對位標記和切割線寬150um。示范file: Design: mydesign Date: Designer: phone: Li
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