【正文】 工藝技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)真審核導(dǎo)體、通孔、通孔覆蓋區(qū)等設(shè)計是否滿足本設(shè)計規(guī)范要求。硬焊導(dǎo)體應(yīng)比框架邊緣寬1mm。為表面安裝和過孔安裝應(yīng)用，從卡式引線制造商可獲得不同引線結(jié)構(gòu)。電容容差可以從瓷帶的厚度變化算得，下表給出電容大小和計算的電容值例子，沒有考慮邊緣效應(yīng)，它增加有效電容。20 %10K＜177。 RF 通孔頂視圖八、導(dǎo)體 F E C B A D G H 線寬、線間距項目標(biāo)準(zhǔn)高密度通孔覆蓋區(qū)直徑E(um)250100線孔距C(um)200100導(dǎo)體間距B(um)15075導(dǎo)體線寬A(um)15075線到基板邊緣距離D(um)300200焊接框區(qū)到基板邊緣距離(um)150100SMD焊區(qū)到通孔覆蓋區(qū)距離F(um)200100SMD焊區(qū)到導(dǎo)帶距離(um)200100SMD焊區(qū)到基板邊緣距離H(um)500300頂層導(dǎo)體線寬容差(μm)＜15μm內(nèi)導(dǎo)體線寬容差(um)＜15μm 地和電源 250um 300um 550um B 地和電源應(yīng)盡可能地采用刪格狀結(jié)構(gòu)，導(dǎo)體覆蓋面積應(yīng)小于50%，最佳是采用250um400um線寬，550um間距。 最小的基板厚度為500um，厚度誤差為≦177。%燒結(jié)收縮率（Z）15177。這份文件定義了標(biāo)準(zhǔn)的或最大的工藝叁數(shù)，在這份文件中的數(shù)據(jù)并不是 LTCC 的設(shè)計極限。 3內(nèi)層導(dǎo)體膜厚(μm)7 to 15 177。 通孔覆蓋區(qū)連接直徑小于250um通孔的導(dǎo)帶，應(yīng)有一個圓形或方形通孔覆蓋區(qū)，通常是：直徑比通孔直徑大50um，最優(yōu)100um。連接到刪格上的通孔，其覆蓋區(qū)可采用方行結(jié)構(gòu)，這樣可使電流同時流到幾個刪格線上。1 %＜177。m]200150d Via Hole Diameter[181。十一、絲焊區(qū)絲焊區(qū)采用印刷金漿，滿足鋁絲或金絲焊接。十四、設(shè)計傳遞 設(shè)計注意事項所有的設(shè)計必須使用同一種設(shè)計結(jié)構(gòu)。不奮斗就是每天都很容易，可一年一年越來越難。 L6 Via6 L7 Via7 L8 Via8 L8b L8ba 基板底面 L8bb 各層命名規(guī)則在各文件后應(yīng)說明用途：通孔（Via1，2，3…）內(nèi)層導(dǎo)帶（L2，3…）內(nèi)層不同金屬導(dǎo)帶（Lna，… PdAgbond Au）頂層各金屬化導(dǎo)體（Ag，PdAg，PtAu，PtPdAg，Au等）。m]200150埋置芯片倒扣焊芯片Item.StdAdva Pad Diameter [181。通孔直徑。30 %1K＜177。100ppm＜%＜177。 熱通孔熱通孔直徑我們推薦951AT為200um、951A2為250um、951AX為300um（為燒結(jié)前尺寸）。注：以上尺寸為燒結(jié)前尺寸。●用于高頻電路的低損耗微波LTCC介質(zhì)帶材料：Ferro –A6 、DP943。 三、 術(shù)語說明 后燒表面電阻 交錯通孔 頂層內(nèi)埋電阻 內(nèi)埋電容 內(nèi)埋