低溫共燒陶瓷組件設(shè)計指引-全文預(yù)覽
【正文】 200150d Via Hole Diameter[181。表K=（）C（Pf）方形電極長度（inch）123451020304050另外一種技術(shù)是在生瓷帶上印刷介質(zhì)漿料可獲得大容量的電容。30 %10K＜177。20 %表內(nèi)埋電阻方阻溫度系數(shù)穩(wěn)定性精度100Ω＜177。1 %＜177。100ppm＜%＜177。20 %1K＜177。1 %＜177。連接到刪格上的通孔，其覆蓋區(qū)可采用方行結(jié)構(gòu)，這樣可使電流同時流到幾個刪格線上。經(jīng)技術(shù)人員認可大面積電源和地也是可以的。 RF 通孔設(shè)計需要高頻線和受約束的阻抗線可能需要埋置同軸型屏閉,通過經(jīng)由受約束線兩邊平行放置穿越外面的通孔來實現(xiàn)。但堆積通孔會導(dǎo)致表面通孔金屬的凸起，我們推薦采用交錯通孔以避免這種情況，最好是堆積通孔不要超過兩層。 通孔覆蓋區(qū)連接直徑小于250um通孔的導(dǎo)帶，應(yīng)有一個圓形或方形通孔覆蓋區(qū)，通常是：直徑比通孔直徑大50um，最優(yōu)100um。%。%。170mm瓷片尺寸 140mm 對位標志 140 mm 切割線 可用面積 電路 圖6Inch6Inch基片布圖尺寸 在電路布圖時，各層的電路版圖一定要設(shè)計上對位標記和對位孔，對位標記和對位孔的物理位置一定要重合，表層版圖要設(shè)計上電路的切割線，但不要邊框。 3內(nèi)層導(dǎo)體膜厚(μm)7 to 15 177。%177。LTCC生瓷帶介質(zhì)材料特性見表1表生瓷帶介質(zhì)材料數(shù)據(jù)性質(zhì)DP951DP943Ferro –A6S/M厚度1)951 C2 50 um951PT 114 um951P2 165 um951PX 254um943C2 50 um943P5 127 um943PX 254um㎜、㎜燒結(jié)收縮率（X、Y）177。二、引用文件本設(shè)計規(guī)范引用的文件：《混合微電子電路設(shè)計指南》；厚膜電路平面設(shè)計規(guī)范。這份文件定義了標準的或最大的工藝叁數(shù)，在這份文件中的數(shù)據(jù)并不是 LTCC 的設(shè)計極限。此文件所包含的信息，接受者沒有四十三所的同意不得向第三者提供。請經(jīng)常和連絡(luò)我們的技術(shù)部門，獲取更多的信息和建議。導(dǎo)體材料根據(jù)客戶需要采用金系統(tǒng)和混合系統(tǒng)（外層是可以焊接的Pd/Ag導(dǎo)體及可絲焊的金導(dǎo)體，內(nèi)層是Ag導(dǎo)體）。%燒結(jié)收縮率（Z）15177。 310 177。一種為140140mm（可用面積）。六、基板尺寸及誤差基板尺寸最大可達125125mm2，基板尺寸誤差一般≦177。 最小的基板厚度為500um，厚度誤差為≦177。通孔尺寸推薦與生瓷帶厚度接近，推薦在各層中使用一種通孔尺寸，兩種通孔尺寸在不同層中也是容許的。 2．5φvia 2φvia 3φvia 堆積孔堆積通孔通過各層是可以接受的。熱通孔最小中心距為3φVia，㎜,最小熱通孔陣列到基板邊緣距離為4㎜。 RF 通孔頂視圖八、導(dǎo)體 F E C B A D G H 線寬、線間距項目標準高密度通孔覆蓋區(qū)直徑E(um)250100線孔距C(um)200100導(dǎo)體間距B(um)15075導(dǎo)體線寬A(um)15075線到基板邊緣距離D(um)300200焊接框區(qū)
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