低溫共燒陶瓷組件設計指引-免費閱讀
【正文】 什么是奮斗？奮斗就是每天很難，可一年一年卻越來越容易。頂層電阻（各方阻）頂層包封頂層介質(zhì)底面各金屬化導體（Ag，PdAg，PtAu，PtPdAg，Au等）底層電阻（各方阻）底層包封底層介質(zhì) 需要的資料170170mm 2，3或2，4格式，Leading:格式：.ACAD .DWG UP TO VERSION 2000 ..DXF UP TO 2000.CAM350 UP TO .GERBERPROTEL99 OR PROTEL SE文件采用英制單位。 蓋板框 導體倒角根據(jù)蓋板 框而定 密封焊導體圖形十三、片式阻容元件及芯片焊（粘）接區(qū)的設計片式阻容元件及芯片焊（粘）接區(qū)的設計，參見《厚膜電路平面設計規(guī)范》（43所19960620發(fā)布DS5002）。m]180150b Pad Pitch [181。 通孔位置，典型位于中心 金屬外殼封裝 封裝形式參見厚膜混合集成電路封裝。（C）空腔底導帶到空腔壁距離最小應為200um（D）。m]15075c Line to Substrate Edge[181。200ppm＜%＜177。100ppm＜%＜177。1 %＜177。局部地方可使用塊狀地和電源，來提高電路的RF性能。熱通孔最小中心距為3φVia，㎜,最小熱通孔陣列到基板邊緣距離為4㎜。通孔尺寸推薦與生瓷帶厚度接近，推薦在各層中使用一種通孔尺寸，兩種通孔尺寸在不同層中也是容許的。六、基板尺寸及誤差基板尺寸最大可達125125mm2，基板尺寸誤差一般≦177。 310 177。導體材料根據(jù)客戶需要采用金系統(tǒng)和混合系統(tǒng)（外層是可以焊接的Pd/Ag導體及可絲焊的金導體，內(nèi)層是Ag導體）。此文件所包含的信息，接受者沒有四十三所的同意不得向第三者提供。二、引用文件本設計規(guī)范引用的文件：《混合微電子電路設計指南》；厚膜電路平面設計規(guī)范。%177。170mm瓷片尺寸 140mm 對位標志 140 mm 切割線 可用面積 電路 圖6Inch6Inch基片布圖尺寸 在電路布圖時，各層的電路版圖一定要設計上對位標記和對位孔，對位標記和對位孔的物理位置一定要重合，表層版圖要設計上電路的切割線，但不要邊框。%。但堆積通孔會導致表面通孔金屬的凸起，我們推薦采用交錯通孔以避免這種情況，最好是堆積通孔不要超過兩層。經(jīng)技術(shù)人員認可大面積電源和地也是可以的。1 %＜177。100ppm＜%＜177。20 %表內(nèi)埋電阻方阻溫度系數(shù)穩(wěn)定性精度100Ω＜177。表K=（）C（Pf）方形電極長度（inch）123451020304050另外一種技術(shù)是在生瓷帶上印刷介質(zhì)漿料可獲得大容量的電容。
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