【正文】 建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表項(xiàng)目名稱： 68英寸硅拋光片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目 建設(shè)單位：　寧波立立電子股份有限公司　　(蓋章)編制日期： 2006年2月 18日浙江省環(huán)境保護(hù)局制42 / 45環(huán)評(píng)文件確認(rèn)書建設(shè)單位寧波立立電子股份有限公司項(xiàng)目名稱68英寸硅拋光片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目項(xiàng)目地址寧波保稅東區(qū)港東大道20號(hào)投資額35000萬(wàn)元法定代表人李立本聯(lián)系電話57486821903寧波市環(huán)保局：我公司委托寧波市環(huán)科院編制的“寧波立立電子股份有限公司68英寸硅拋光片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表”經(jīng)我公司審核，同意該環(huán)評(píng)文件所述內(nèi)容，并承諾做到如下環(huán)保措施： 廢氣治理：本項(xiàng)目主要為硅片化腐廢氣，通過(guò)集氣罩經(jīng)引風(fēng)機(jī)送入廢氣水洗塔處理后，可以達(dá)到《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB162971996)二級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn)。 廢水治理：本項(xiàng)目生產(chǎn)廢水可以接入生產(chǎn)廢水處理設(shè)施，經(jīng)調(diào)節(jié)中和、混凝沉淀、A/O生化處理后可以達(dá)到巖東污水處理廠進(jìn)網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)保稅區(qū)污水管網(wǎng)系統(tǒng)排入巖東污水處理，再經(jīng)巖東污水處理廠二級(jí)生化處理后排海。 噪聲治理：本項(xiàng)目噪聲主要為各類設(shè)備運(yùn)行噪聲，生產(chǎn)車間噪聲在70～85dB之間，對(duì)有振動(dòng)設(shè)備均應(yīng)設(shè)防震基礎(chǔ)或減震墊，確保廠界噪聲達(dá)到《工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標(biāo)準(zhǔn)》(GB1234890)Ⅲ類標(biāo)準(zhǔn)。 固廢治理：生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生固廢物通過(guò)分類收集，分質(zhì)處置的原則，對(duì)廢多晶硅錠進(jìn)行回收利用；廢水處理裝置排放污泥、生活垃圾由環(huán)衛(wèi)部門清運(yùn)。 其它：如改變生產(chǎn)內(nèi)容和規(guī)模，將重新進(jìn)行相應(yīng)的環(huán)境影響評(píng)價(jià)及審批。 寧波立立電子股份有限公司(蓋章)法定代表人(簽字)：　　　　　　2006年　　月　　日備注項(xiàng)目名稱： 68英寸硅拋光片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目環(huán)評(píng)類型：環(huán)境影響報(bào)告表評(píng)價(jià)單位： 寧波市環(huán)境保護(hù)科學(xué)研究設(shè)計(jì)院 (公章)項(xiàng)目名稱： 68英寸硅拋光片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目 環(huán)評(píng)類型： 環(huán)境影響報(bào)告表 項(xiàng)目編號(hào)： 20060117 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人： 蔡錫明 評(píng)價(jià)人員情況姓 名從事專業(yè)職稱上崗證號(hào)職責(zé)簽名蔡錫明環(huán)境工程高 工環(huán)評(píng)崗證字第A20040026號(hào)填表趙永才環(huán)境工程高 工環(huán)評(píng)崗證字第A20040018號(hào)審核建設(shè)項(xiàng)目基本情況項(xiàng)目名稱68英寸硅拋光片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目建設(shè)單位寧波立立電子股份有限公司法人代表李立本聯(lián)系人樂(lè)永幸通訊地址寧波保稅東區(qū)港東大道20號(hào)聯(lián)系電話86881150傳真86881152郵編315800建設(shè)地點(diǎn)寧波保稅東區(qū)港東大道20號(hào)立項(xiàng)審批部門寧波市發(fā)改委批準(zhǔn)文號(hào)甬發(fā)改備[2005]58號(hào)建設(shè)性質(zhì)新建 改擴(kuò)建√技改 行業(yè)類別及代碼C41占地面積㎡綠化面積8276㎡總投資35000(萬(wàn)元)其中：環(huán)保投資230萬(wàn)元環(huán)保投資占總投資比例%評(píng)價(jià)經(jīng)費(fèi) 萬(wàn)元預(yù)期投產(chǎn)日期2006年1月工程內(nèi)容及規(guī)模 項(xiàng)目背景寧波立立電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“立立電子”)系由浙江大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)科相關(guān)的技術(shù)和管理人員共同組建的股份制企業(yè)，于2000年6月21日在寧波保稅區(qū)注冊(cè)成立。五年來(lái)，通過(guò)貫徹“立信、立德、務(wù)實(shí)、創(chuàng)新”的理念，遵循著“追求純凈完美，滿足顧客期望”的宗旨，致力于重?fù)较盗泄鑶尉уV、硅拋光片、外延片及復(fù)合半導(dǎo)體材料的研制。公司在技術(shù)上以浙江大學(xué)硅材料科學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、浙江大學(xué)半導(dǎo)體材料研究所為依托。并擁有一批高素質(zhì)的技術(shù)骨干，在全部512名員工中，本科以上學(xué)歷有114人，其中高級(jí)職稱20人，博士5人，碩士40人。公司擁有十多項(xiàng)核心技術(shù)發(fā)明專利，獨(dú)創(chuàng)了酸腐蝕工藝、有蠟貼片工藝、多層外延片工藝。公司占地面積5萬(wàn)平方米，均按國(guó)際一流的生產(chǎn)要求設(shè)計(jì)。公司相繼通過(guò)了瑞士SGS公司的ISO9001：2000和QS9000：1998質(zhì)量體系認(rèn)證，目前正在推行TS16949/ISO14000的認(rèn)證工作。公司是國(guó)家“863”計(jì)劃成果產(chǎn)業(yè)化基地，國(guó)家級(jí)重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)，設(shè)有企業(yè)博士后流動(dòng)站。目前，立立電子已成為中國(guó)唯一擁有硅單晶錠、拋光片、外延片、芯片制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)。擁有三家控股子公司寧波立立半導(dǎo)體有限公司、杭州立昂電子有限公司和杭州立立科技實(shí)業(yè)有限公司。立立電子從成立之初的年銷售不過(guò)500萬(wàn)元、資產(chǎn)總額3000萬(wàn)元，經(jīng)過(guò)近五年來(lái)的發(fā)展成為注冊(cè)資本金達(dá)7108萬(wàn)元，，成為全國(guó)七家年產(chǎn)值超億元的硅材料生產(chǎn)企業(yè)之一。目前是國(guó)內(nèi)已建成的最大的46英寸重?fù)缴椤⒘?、銻、硼單晶錠，硅拋光片、外延片的生產(chǎn)基地，生產(chǎn)能力年產(chǎn)單晶錠120噸、拋光片300萬(wàn)片、外延片30萬(wàn)片。產(chǎn)品已提供給國(guó)內(nèi)外一批晶圓廠商，如上海先進(jìn)、上海新進(jìn)、上海貝嶺、杭州士蘭、無(wú)錫華晶、美國(guó)Fairchild、美國(guó)IR、美國(guó)TI、日本NEC。 并與國(guó)際著名的ST公司和美國(guó)ONSEMI公司建立了良好的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，市場(chǎng)可以得到保障。在戰(zhàn)略遠(yuǎn)景規(guī)劃上, 公司將通過(guò)多種籌資渠道募集資金等來(lái)解決發(fā)展問(wèn)題，擬在未來(lái)的三年中投入57億元人民幣技術(shù)改造資金，進(jìn)一步提高重?fù)絾尉Ч桢V產(chǎn)量和硅外延片生產(chǎn)規(guī)模,提高公司在集成電路行業(yè)內(nèi)的核心競(jìng)爭(zhēng)力，建立中國(guó)最大的具有國(guó)際影響力的年產(chǎn)300噸48英寸重?fù)絾尉Ч桢V和420萬(wàn)片48英寸重?fù)较盗泄钂伖馄?40萬(wàn)片48英寸重?fù)较盗泄柰庋悠?0萬(wàn)片6英寸功率芯片的生產(chǎn)基地，分別位列全球市場(chǎng)規(guī)模的前列， 使公司年銷售規(guī)模達(dá)到810億元，成為全球半導(dǎo)體材料行業(yè)排名前十位的知名供應(yīng)廠商。力爭(zhēng)在經(jīng)過(guò)的2030年的努力成長(zhǎng)為全球半導(dǎo)體材料一流的制造商。根據(jù)我國(guó)半導(dǎo)體集成電路市場(chǎng)和半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展需要，寧波立立電子股份有限公司在公司現(xiàn)有廠房和完善的檢測(cè)設(shè)備及處理系統(tǒng)的基礎(chǔ)上，擴(kuò)大 68英寸硅拋光片的生產(chǎn)，根據(jù)《中華人民共和國(guó)環(huán)境影響評(píng)價(jià)法》和《建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境保護(hù)管理?xiàng)l例》，為了切實(shí)做好環(huán)保工作，寧波立立電子股份有限公司委托寧波市環(huán)境保護(hù)科學(xué)研究設(shè)計(jì)院對(duì)該本項(xiàng)目進(jìn)行環(huán)境影響評(píng)價(jià)工作。 生產(chǎn)內(nèi)容及規(guī)模根據(jù)項(xiàng)目可行性報(bào)告，本項(xiàng)目主要進(jìn)行硅拋光片的生產(chǎn)，項(xiàng)目建成后公司將新增月產(chǎn)25萬(wàn)片68英寸硅拋光片；產(chǎn)品可用于生產(chǎn)MOS、雙極型集成電路及集成電路外延襯底片等。與本項(xiàng)目有關(guān)的原有污染情況及主要環(huán)境問(wèn)題本項(xiàng)目相關(guān)企業(yè)主要有寧波立立半導(dǎo)體有限公司和寧波立立電子股份有限公司，上述二企業(yè)所有公用工程設(shè)施為共用，根據(jù)硅外延片生產(chǎn)工藝，硅外延片的生產(chǎn)一般可分三步：第一步是單晶硅晶錠的生產(chǎn)，是利用單晶爐將半導(dǎo)體級(jí)多晶硅在最高溫度達(dá)1700℃的熱場(chǎng)中熔化，然后通過(guò)籽晶生長(zhǎng)在用戶所需的直徑和電學(xué)參數(shù)的單晶硅錠；第二步是將硅錠進(jìn)行切、磨、拋加工，轉(zhuǎn)化成拋光片；第三步在拋光片基礎(chǔ)上，在特定的氣相反應(yīng)爐內(nèi)在硅片的正表面生長(zhǎng)一層簿膜加工成外延片。其生產(chǎn)工藝流程分工如下：立立電子立立半導(dǎo)體多晶硅多晶硅檢驗(yàn)備料晶體生長(zhǎng)取樣、分析測(cè)試　晶錠分段滾園切片切片清洗檢驗(yàn)石英坩堝制作參考面檢驗(yàn)晶錠粘結(jié)磨片化腐背面處理倒角研磨硅片熱處理檢驗(yàn)硅片邊沿拋光貼片硅片表面拋光拋光片清洗檢驗(yàn)外延外延清洗檢驗(yàn)拋光液最終產(chǎn)品質(zhì)量檢驗(yàn)包裝檢驗(yàn)檢驗(yàn)檢驗(yàn)研磨砂立立電子立立半導(dǎo)體入庫(kù)根據(jù)生產(chǎn)分工情況，其二個(gè)企業(yè)目前主要包括已建工程、在建研發(fā)項(xiàng)目、公用工程概況及三廢排放情況如下：一、已建工程概況寧波立立半導(dǎo)體有限公司生產(chǎn)及污染情況(1)企業(yè)概況寧波立立半導(dǎo)體有限公司成立于1998年，主要從事單晶硅片的加工生產(chǎn)，由寧波立立電子股份有限公司全資控股。其年生產(chǎn)能力為單晶硅拋光片300萬(wàn)片，注冊(cè)資本5000萬(wàn)元，職工定員175人。(2)生產(chǎn)工藝其生產(chǎn)工藝及排污位置如下：成品晶錠切片切片檢驗(yàn)熱處理清洗倒角烘干革命檢驗(yàn)拋光腐化研磨切割廢水堿性廢水研磨廢水廢氣包裝拋光片產(chǎn)品外延外延清洗檢驗(yàn)檢驗(yàn)硅外延片產(chǎn)品廢氣廢水廢水(3)主要設(shè)備其主要生產(chǎn)設(shè)備如下：序號(hào)名稱數(shù)量單位序號(hào)名稱數(shù)量單位127英寸切片機(jī)31臺(tái)6硅片干燥機(jī)8臺(tái)216英寸切片機(jī)5臺(tái)7自動(dòng)硅片熱處理爐6臺(tái)3磨片機(jī)12臺(tái)8高純水設(shè)備30t/h1套4倒角機(jī)15臺(tái)高純水設(shè)備12t/h1套5硅片清洗機(jī)22臺(tái)9壓縮空氣系統(tǒng)20m3/h7套(4)主要原材料消耗主要原材料消耗量如下：序號(hào)名稱用量序號(hào)名稱用量1單晶硅100t/a6行星片500片/a227英寸內(nèi)園刀片100片/a7冷卻液40t/a316英寸內(nèi)園刀片2000片/a8研磨液10t/a4倒角砂輪120片/a9硅片包裝盒20000個(gè)/a5研磨砂100t/a根據(jù)現(xiàn)有企業(yè)實(shí)際情況，其生產(chǎn)用水45t/d，純水用量146t/d。(5)三廢排放情況①?gòu)U水：根據(jù)生產(chǎn)工藝調(diào)查，生產(chǎn)過(guò)程廢水產(chǎn)生情況為：切割廢水產(chǎn)生量6t/d，其廢水水質(zhì)：COD150mg/l，SS1000mg/l，；研磨廢水產(chǎn)生量153t/d，其廢水水質(zhì)：COD610mg/l，SS1000mg/l，；酸堿廢水產(chǎn)生量20t/d，其廢水水質(zhì)：COD250mg/l，SS100mg/l，～11；清洗廢水產(chǎn)生量10t/d，其廢水水質(zhì)：COD210mg/l，SS100mg/l，PH6～10；目前廠內(nèi)進(jìn)行清污分流，對(duì)生產(chǎn)廢水排入廢水處理站處理達(dá)標(biāo)后排放。②廢氣：廢氣主要為腐化工序產(chǎn)生的酸性廢氣，其主要成份為HF、HNO3，其廢氣排放量主要通過(guò)引風(fēng)機(jī)，采用水洗吸收塔吸收處理后通過(guò)排氣筒排放?，F(xiàn)有5套廢氣處理裝置。廢氣經(jīng)處理后正常運(yùn)行情況下可以達(dá)到GB162971996《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》。寧波立立電子股份公司生產(chǎn)及污染情況(1)企業(yè)概況寧波立立電子股份有限公司系股份制企業(yè)，主要股東是浙江大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)科的專家和技術(shù)骨干，公司成立于2000年6月，主要經(jīng)營(yíng)范圍為硅單晶錠、硅單晶拋光片及外延片的制造及銷售。注冊(cè)資本金7108萬(wàn)元，總占地面積90畝。建筑面積20937m2，職工定員165人，公司是目前國(guó)內(nèi)已建成最大的46英寸重?fù)缴椤⒘?、硼、銻單晶錠、46英寸硅外延片生產(chǎn)基地；生產(chǎn)廠房面積30000m2，其中凈化面積3300m2，廠房按國(guó)際一流的生產(chǎn)要求設(shè)計(jì)，一期工程于2000年10月正式投產(chǎn)，二期工程用于硅晶體生長(zhǎng)于2001年3月投入試生產(chǎn)，三期外延廠房于2003年12月竣工。(2)生產(chǎn)工藝①單晶硅晶錠生產(chǎn)工藝單晶硅晶錠生產(chǎn)工藝及排污