freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

傳感器課件--8霍爾傳感器(已修改)

2025-05-13 23:42 本頁(yè)面
 

【正文】 第八章 霍爾傳感器 本章主要學(xué)習(xí)霍爾傳感器 的工作原理、 霍爾集成電路 的特性 及其在檢測(cè)技術(shù)中的應(yīng)用,還涉及 交直流電流傳感器 以及安全柵 。 霍爾元件是一種 四端元件 第一節(jié) 霍爾元件的結(jié)構(gòu)及工作原理 半導(dǎo)體薄片置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為 B 的磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向垂直于薄片,當(dāng)有電流 I 流過(guò)薄片時(shí),在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上將產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì) EH,這種現(xiàn)象稱為 霍爾效應(yīng) 。 磁感應(yīng)強(qiáng)度 B為零時(shí)的情況 c d a b 磁感應(yīng)強(qiáng)度 B 較大時(shí)的情況 作用在半導(dǎo)體薄片上的磁場(chǎng)強(qiáng)度 B越強(qiáng) , 霍爾電勢(shì)也就越高 。 霍爾電勢(shì) EH可用下式表示: EH=KH IB 霍爾效應(yīng)演示 當(dāng)磁場(chǎng)垂直于薄片時(shí),電子受到洛侖茲力的作用, 向內(nèi)側(cè)( d側(cè))偏移,在半導(dǎo)體薄片 c、 d方向的端面之間建立起霍爾電勢(shì)。 c d a b 磁場(chǎng)不垂直于霍爾元件時(shí)的霍爾電動(dòng)勢(shì) 若磁感應(yīng)強(qiáng)度 B不垂直于霍爾元件 , 而是與其 法線成某一角度 ? 時(shí) , 實(shí)際上作用于霍爾元件上的 有效磁感應(yīng)強(qiáng)度 是其法線方向 ( 與薄片垂直的方向 ) 的分量 , 即 Bcos?, 這時(shí)的 霍爾電勢(shì)與法線的夾角的余弦成正比 : EH=KHIBcos? 磁場(chǎng)不垂直于霍爾元件時(shí)的霍爾電動(dòng)勢(shì) 演示 結(jié)論: 霍爾電勢(shì)與輸入電流 I、磁感應(yīng)強(qiáng)度 B成正比。當(dāng) B的方向改變時(shí),霍爾電勢(shì)的方向也隨之改變。如果所施加的磁場(chǎng)為交變磁場(chǎng),霍爾電勢(shì)為同頻率的交變電勢(shì) 。 a c d b 霍爾元件的主要外特性參數(shù) 最大 磁感應(yīng)強(qiáng)度 BM 上圖所示霍爾元件的線性范圍是 負(fù)的多少高斯至正的多少高斯 ?( 1T= 104Gs) 線性區(qū) 霍爾元件的主要外特性參數(shù)(續(xù)) 最大 激勵(lì)電流 IM : 由于霍爾電勢(shì)隨激勵(lì)電流增大而增大,故在應(yīng)用中總希望選用較大的激勵(lì)電流。但激勵(lì)電流增大,霍爾元件的 功耗增大 , 元件的溫度升高 ,從而 引起霍爾電勢(shì)的溫漂增大 ,因此每種型號(hào)的元件均規(guī)定了相應(yīng)的 最大激勵(lì)電流 ,它的數(shù)值從幾毫安至十幾毫安。 以下哪一個(gè) 激勵(lì)電流的數(shù)值較為妥當(dāng) ? 8μ A 8mA 80mA 第二節(jié) 霍爾集成電路 霍爾集
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
教學(xué)課件相關(guān)推薦
文庫(kù)吧 www.dybbs8.com
公安備案圖鄂ICP備17016276號(hào)-1