傳感器課件--8霍爾傳感器-在線瀏覽
2025-06-18 23:42本頁面
【正文】 半導體薄片置于磁感應強度為 B 的磁場中，磁場方向垂直于薄片，當有電流 I 流過薄片時，在垂直于電流和磁場的方向上將產(chǎn)生電動勢 EH，這種現(xiàn)象稱為 霍爾效應 。 霍爾電勢 EH可用下式表示： EH=KH IB 霍爾效應演示 當磁場垂直于薄片時，電子受到洛侖茲力的作用， 向內(nèi)側(cè)（ d側(cè)）偏移，在半導體薄片 c、 d方向的端面之間建立起霍爾電勢。當 B的方向改變時，霍爾電勢的方向也隨之改變。 a c d b 霍爾元件的主要外特性參數(shù) 最大 磁感應強度 BM 上圖所示霍爾元件的線性范圍是 負的多少高斯至正的多少高斯 ？（ 1T＝ 104Gs） 線性區(qū) 霍爾元件的主要外特性參數(shù)（續(xù)） 最大 激勵電流 IM : 由于霍爾電勢隨激勵電流增大而增大，故在應用中總希望選用較大的激勵電流。 以下哪一個 激勵電流的數(shù)值較為妥當 ？ 8μ A 8mA 80mA 第二節(jié) 霍爾集成電路 霍爾集成電路可分為線性型和開關(guān)型兩大類。較典型的線性型霍爾器件如 UGN3501等。當磁場為零時，它的輸出電壓等于零；當感受的磁場為正向（磁鋼的 S極對準霍爾器件的正面）時， 輸出為正；磁場反向時，輸出為負。當外加磁場強度超過規(guī)定的工作點時， OC門由高阻態(tài)變?yōu)閷顟B(tài)，輸出變?yōu)榈碗娖?；當 外加磁場強度低于釋放點時， OC門重新變?yōu)楦咦钁B(tài)，輸出高電平 。 開關(guān)型霍爾集成電路的外形及內(nèi)部電路 OC門 施密特 觸發(fā)電路 雙端輸入、 單端輸出運放 霍爾 元件 . Vcc 開關(guān)型霍爾集成電路（ OC門輸出）的接線 請按以下電路，將下一頁中的有關(guān)元件連接起來 . 開關(guān)型霍爾集成電路 與繼電器的接線 ? 開關(guān)型霍爾集成電路的史密特輸出特性 回差越大，抗振動干擾能力就越強。 利用這個關(guān)系可以使 其中兩個量不變 ，將 第三個量作為變量 ，或者固定其中一個量，其余兩個量都作為變量。 霍爾傳感器主要用于測量能夠轉(zhuǎn)換為磁場變化的其他物理量。齒盤的轉(zhuǎn)動使磁路的 磁阻隨氣隙的改變 而周期性地變化，霍爾器件輸出的 微小脈沖信號經(jīng)隔直、放大、整形后可以確定被測物的轉(zhuǎn)速 。
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