電學(xué)半導(dǎo)體工藝復(fù)習(xí)精華(已修改)
2025-04-29 07:12 本頁(yè)面
【正文】 一． 名詞解釋：①． CZ直拉法：是用包括熔爐，拉晶機(jī)械裝置（籽晶夾具，旋轉(zhuǎn)機(jī)械裝置），環(huán)境控制裝置的拉晶機(jī)進(jìn)行結(jié)晶。多晶硅放入坩堝中，熔爐加熱到超過(guò)硅的熔點(diǎn)，將一個(gè)適當(dāng)晶向的籽晶放置在籽晶夾具中，懸于坩堝之上，將籽晶夾具插入熔融液中，雖然籽晶將會(huì)部分融化，但其未融化的籽晶頂部將會(huì)接觸熔融液的表面、將籽晶慢慢拉起，熔融液在固體液體的表面逐漸冷卻，從而產(chǎn)生很大的晶體即從熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅的基本技術(shù)稱為直拉法。 ②． 硅的區(qū)熔（floatzone）法：在單晶生長(zhǎng)過(guò)程中持續(xù)不斷的向熔融液中添加高純度的多晶硅，使得熔融液初始的摻雜濃度維持不變的基本技術(shù)稱為硅的區(qū)熔（floatzone）法。③． 分凝系數(shù)：硅中的雜質(zhì)平衡密度與二氧化硅中的雜質(zhì)平衡密度的比值定義為分凝系數(shù)K。 ④． 有效分凝系數(shù)：固體界面附近的平衡摻雜濃度與遠(yuǎn)離界面處熔融液中摻雜濃度的比值。⑤． Bridgman法：用于晶體生長(zhǎng)用的材料裝在圓柱型的坩堝中,緩慢地下降,并通過(guò)一個(gè)具有一定溫度梯度的加熱爐,爐溫控制在略高于材料的熔點(diǎn)附近。根據(jù)材料的性質(zhì)加熱器件可 以選用電阻爐或高頻爐。在通過(guò)加熱區(qū)域時(shí),坩堝中的材料被熔融,當(dāng)坩堝持續(xù)下降時(shí),坩堝底部的溫度先下降到熔點(diǎn)以下,并開(kāi)始結(jié)晶,晶體隨坩堝下降而持續(xù)長(zhǎng)大。⑥． 光學(xué)光刻：光刻就是將掩膜上的幾何圖形轉(zhuǎn)移到涂在半導(dǎo)體晶片表面的敏光薄層材料上的工藝過(guò)程。⑦． 替位式擴(kuò)散：在高溫下晶格原子在格點(diǎn)平衡位置附近震動(dòng)，基質(zhì)原子有一定的幾率獲得足夠的能量脫離晶格格點(diǎn)而成為間隙原子因而產(chǎn)生一個(gè)空位，這樣鄰近的雜質(zhì)原子就可以移到該空位這種擴(kuò)散機(jī)制稱為替代式擴(kuò)散（空位擴(kuò)散）。 ⑧． 填隙式擴(kuò)散：如果間隙雜質(zhì)原子從一個(gè)位置運(yùn)動(dòng)到另一個(gè)位置而并不占據(jù)格點(diǎn)這種機(jī)制稱為填
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