電學(xué)半導(dǎo)體工藝復(fù)習(xí)精華(已修改)
2025-04-29 07:12 本頁面
【正文】 一． 名詞解釋：①． CZ直拉法：是用包括熔爐，拉晶機(jī)械裝置（籽晶夾具，旋轉(zhuǎn)機(jī)械裝置），環(huán)境控制裝置的拉晶機(jī)進(jìn)行結(jié)晶。多晶硅放入坩堝中，熔爐加熱到超過硅的熔點，將一個適當(dāng)晶向的籽晶放置在籽晶夾具中，懸于坩堝之上，將籽晶夾具插入熔融液中，雖然籽晶將會部分融化，但其未融化的籽晶頂部將會接觸熔融液的表面、將籽晶慢慢拉起，熔融液在固體液體的表面逐漸冷卻，從而產(chǎn)生很大的晶體即從熔融硅中生長單晶硅的基本技術(shù)稱為直拉法。 ②． 硅的區(qū)熔（floatzone）法：在單晶生長過程中持續(xù)不斷的向熔融液中添加高純度的多晶硅，使得熔融液初始的摻雜濃度維持不變的基本技術(shù)稱為硅的區(qū)熔（floatzone）法。③． 分凝系數(shù)：硅中的雜質(zhì)平衡密度與二氧化硅中的雜質(zhì)平衡密度的比值定義為分凝系數(shù)K。 ④． 有效分凝系數(shù)：固體界面附近的平衡摻雜濃度與遠(yuǎn)離界面處熔融液中摻雜濃度的比值。⑤． Bridgman法：用于晶體生長用的材料裝在圓柱型的坩堝中,緩慢地下降,并通過一個具有一定溫度梯度的加熱爐,爐溫控制在略高于材料的熔點附近。根據(jù)材料的性質(zhì)加熱器件可 以選用電阻爐或高頻爐。在通過加熱區(qū)域時,坩堝中的材料被熔融,當(dāng)坩堝持續(xù)下降時,坩堝底部的溫度先下降到熔點以下,并開始結(jié)晶,晶體隨坩堝下降而持續(xù)長大。⑥． 光學(xué)光刻：光刻就是將掩膜上的幾何圖形轉(zhuǎn)移到涂在半導(dǎo)體晶片表面的敏光薄層材料上的工藝過程。⑦． 替位式擴(kuò)散：在高溫下晶格原子在格點平衡位置附近震動，基質(zhì)原子有一定的幾率獲得足夠的能量脫離晶格格點而成為間隙原子因而產(chǎn)生一個空位，這樣鄰近的雜質(zhì)原子就可以移到該空位這種擴(kuò)散機(jī)制稱為替代式擴(kuò)散（空位擴(kuò)散）。 ⑧． 填隙式擴(kuò)散：如果間隙雜質(zhì)原子從一個位置運動到另一個位置而并不占據(jù)格點這種機(jī)制稱為填
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