電磁兼第三章電磁屏蔽技術(shù)(已修改)
2025-10-25 18:01 本頁(yè)面
【正文】 第三章 電磁屏蔽技術(shù) ? 屏蔽材料的選擇 ? 實(shí)際屏蔽體的設(shè)計(jì) ： ； :； ： 電磁屏蔽 屏蔽前的場(chǎng)強(qiáng) E1 屏蔽后的場(chǎng)強(qiáng) E2 對(duì)電磁波產(chǎn)生衰減的作用就是電磁屏蔽 ,電磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量 : SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB 實(shí)心材料屏蔽效能的計(jì)算 入射波 場(chǎng)強(qiáng) 距離 吸收損耗 A R1 R2 SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋ B ＝ R＋ A＋ B B ： ； :； ： 波阻抗的概念 波阻抗 電場(chǎng)為主 E ? 1/ r3 H ? 1 / r2 磁場(chǎng)為主 H ? 1/ r3 E ? 1/ r2 平面波 E ? 1/ r H ? 1/ r 377 ?/ 2? 到觀測(cè)點(diǎn)距離 r E/H ? 吸收損耗的計(jì)算 t 入射電磁波 E0 剩余電磁波 E1 E1 = E0et/? A ＝ 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ? ) dB ? A ＝ ( t / ? ) dB A = t ? f ?r?r dB 趨膚深度舉例 反射損耗 R ＝ 20 lg ZW 4 Zs 反射損耗與波阻抗有關(guān)，波阻抗越高，則反射損耗越大。 ZS = ?107? f ?r/?r 遠(yuǎn)場(chǎng)： 377? 近場(chǎng)：取決于源的阻抗 同一種材料的阻抗隨頻率
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