電子技術及應用第1章(已修改)
2025-05-25 01:36 本頁面
【正文】 第一編 模擬部分 第一章 半導體器件的特性 第二章 放大器基礎 第三章 集成運算放大器 第四章 反饋放大器 第五章 ( 模擬 )信號運算電路 第六章 波形發(fā)生器 第七章 功率放大器 第一章 半導體器件的特性 半導體材料 、 由半導體構成的 PN 結、二極管結構特性、三極管結構特性及 場效應管結構特性。 本章主要內容： 返 回 前 進 1 .1 半導體（ Semiconductor）導電特性 根據(jù)導電性質把物質分為 導體、絕 緣體、半導體 三大類。 而半導體又分為 本征半導體、雜質 （摻雜）半導體 兩種。 1 .1 .1 本征半導體 純凈的、不含雜質的半導體。常用的半導體材 料有兩種：硅（ Si）、鍺（ Ge）。 硅 Si （鍺 Ge）的原子結構如下： 這種結構的原子利用共價鍵構成了 本征半導體 結構。 但在外界激勵下，產(chǎn)生 電子 —空穴對（本征激發(fā)） ， 呈現(xiàn)導體的性質。 這種穩(wěn)定的結構使得本征半導體常溫下不能導電，呈現(xiàn)絕緣體性質。 但在外界激勵下，產(chǎn)生 電子 —空穴對（本征激發(fā)） ， 呈現(xiàn)導體的性質。 這種穩(wěn)定的結構使得本征半導體常溫下不能導電，呈現(xiàn)絕緣體性質。 在外界激勵下，產(chǎn)生 電子 —空穴對（本征激發(fā)） 。 空穴也可移動（鄰近電子的依次填充）。 在外界激勵下，產(chǎn)生 電子 —空穴對（本征激發(fā)） 。 空穴也可移動（鄰近電子的依次填充）。 在外界激勵下，產(chǎn)生 電子 —空穴對（本征激發(fā)） 。 空穴也可移動（鄰近電子的依次填充）。 半導體內部存在兩種 載流子 （ 可導 電的自由電荷 ） ：電子 （ 負電荷 ） 、 空 穴 （ 正電荷 ） 。 在本征半導體中 ， 本征激發(fā) 產(chǎn)生了 電子 —空穴對 ， 同時存在電子 —空穴對 的 復合 。 電子濃度 = 空穴濃度 ni = pi 1 .1 .2 雜質半導體 在本征半導體中摻入少量的其他特定元素（稱為雜質）而形成的半導體。 根據(jù)摻入雜質的不同，雜質半導體又分為 N型半導體 和 P型半導體 。 常用的雜質材料有 5價元素磷 P和 3價元素硼 B。 N型半導體內部存在大量的電子和少量的空穴，電子屬于多數(shù)載流子（簡稱多子），空穴屬于少數(shù)載流子（簡稱少子）。 n ≥ p N型半導體主要靠電子導電。 一 . N型半導體（ 電子型半導體） 摻如非金屬雜質磷 P的半導體。 每摻入一個磷原子就相當于向半導體內部注入一個自由電子。 P型半導體內部存在大量的空穴和少量的電子，空穴屬于多數(shù)載流子（簡稱多子），電子屬于少數(shù)載流子（簡稱少子）。 p ≥ n P型半導體主要靠空穴導電。 二 . P型半導體（空穴型 半導體） 摻如非金屬雜質硼 B 的半導體。
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