電子技術(shù)及應(yīng)用第1章-預(yù)覽頁
【正文】 UCE ) 實際測試時如下進(jìn)行： IC = f ( UCE )|IB 發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏時，三極管工作在放大區(qū) (處于放大狀態(tài) )，有放大作用： IC =βI B + ICEO 兩結(jié)均反偏時，三極管工作在截至區(qū) (處于截止?fàn)顟B(tài) ) ，無放大作用。 二 . 反向飽和電流 —基極間反向飽和電流 ICBO —發(fā)射極間穿透電流 ICEO ICEO = (1+β ) ICBO β =α /(1－ α ) α =β /(1+β ) 1 .4 .6 三極管主要參數(shù) 一 . 電流放大系數(shù) β ≈I C/IB α ≈I C/IE β =α /(1－ α ) α =β /(1+β ) 二 . 反向飽和電流 ICBO ICEO ICEO = (1+β ) ICBO 三 . 極限參數(shù) 1. 集電極最大允許電流 ICM 2. 集電極最大允許功耗 PCM 3. 反向擊穿電壓 U(BR)CEO 、 U(BR)CBO 三極管的安全工作區(qū) 1 .5 場效應(yīng)管（ Field Effect Transistor ） 場效應(yīng)管是單極性管子，其輸入 PN結(jié)處于反偏或絕緣狀態(tài)，具有很高的輸入電阻（這一點與三極管相反），同時，還具有噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射性強(qiáng)、便于集成等優(yōu)點。場效應(yīng)管的柵極 G、源極 S和漏極 D與三級管的基極 b、發(fā)射極 e和集電極 c相對應(yīng)。而且 UGS可控制 ID。 1 .5 .1 結(jié)型場效應(yīng)管 三 . JFET特性曲線 ID =f( UGS )|UDS 1 .5 .1 結(jié)型場效應(yīng)管 三 . JFET特性曲線 變化 VGS,得到一族特性曲線。并且， VGS=0時，ID最大； VGS= VP 時， ID=0。二者之間關(guān)系為： ID=gmVGS （柵源間必須反偏） 1 .5 .2 絕緣柵型場效應(yīng)管 這種場效應(yīng)管的柵極處于絕緣狀態(tài)，輸入電阻更高。而所加?xùn)旁措妷嚎梢钥刂茖?dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流。 四 .耗盡型 N溝道 MOS管特性曲線 各類場效應(yīng)管偏置電壓極性 場效應(yīng)管類型 柵源電壓 UGS 漏源電壓 UDS N溝道 JFET + P溝道 JFET + N溝道增強(qiáng)型 MOS管 + + P溝道增強(qiáng)型 MOS管 N溝道耗盡型 MOS管 + 0 + N溝道耗盡型 MOS管 + 0 五 .場效應(yīng)管的主要參數(shù) （ 1）飽和漏極電流 IDSS （ 2）夾斷電壓 UP （ 3）開啟電壓 UT （ 1）低頻跨導(dǎo) gm 其中 gm=(△ ID/ △ ID )|UDS （ 2）極間電容 CGS CGD CDS （ 1） 漏源擊穿電壓 V（ BR） DS （ 2） 柵源擊穿電壓 V（ BR） GS （ 3） 最大漏極電流 IDM （ 4） 最大漏極耗散功率 PDM
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