電子技術(shù)及應用第1章-全文預覽
【正文】 導體構(gòu)成 ， 分為 NPN型和 PNP型兩種 。 反偏電壓最高可達幾千伏 。 如 3mA。 內(nèi)電場阻礙多子擴散、利于少子漂移。 每摻入一個硼原子就相當于向半導體內(nèi)部注入一個空穴。 每摻入一個磷原子就相當于向半導體內(nèi)部注入一個自由電子。 常用的雜質(zhì)材料有 5價元素磷 P和 3價元素硼 B。 半導體內(nèi)部存在兩種 載流子 （ 可導 電的自由電荷 ） ：電子 （ 負電荷 ） 、 空 穴 （ 正電荷 ） 。 在外界激勵下，產(chǎn)生 電子 —空穴對（本征激發(fā)） 。 但在外界激勵下，產(chǎn)生 電子 —空穴對（本征激發(fā)） ， 呈現(xiàn)導體的性質(zhì)。常用的半導體材 料有兩種：硅（ Si）、鍺（ Ge）。第一編 模擬部分 第一章 半導體器件的特性 第二章 放大器基礎(chǔ) 第三章 集成運算放大器 第四章 反饋放大器 第五章 ( 模擬 )信號運算電路 第六章 波形發(fā)生器 第七章 功率放大器 第一章 半導體器件的特性 半導體材料 、 由半導體構(gòu)成的 PN 結(jié)、二極管結(jié)構(gòu)特性、三極管結(jié)構(gòu)特性及 場效應管結(jié)構(gòu)特性。 1 .1 .1 本征半導體 純凈的、不含雜質(zhì)的半導體。 這種穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)使得本征半導體常溫下不能導電，呈現(xiàn)絕緣體性質(zhì)。 空穴也可移動（鄰近電子的依次填充）。 空穴也可移動（鄰近電子的依次填充）。 根據(jù)摻入雜質(zhì)的不同，雜質(zhì)半導體又分為 N型半導體 和 P型半導體 。 一 . N型半導體（ 電子型半導體） 摻如非金屬雜質(zhì)磷 P的半導體。 二 . P型半導體（空穴型 半導體） 摻如非金屬雜質(zhì)硼 B 的半導體。 一 . PN結(jié)的形成 多子擴散（在 PN結(jié)合部形成內(nèi)電場 EI）。 二 . PN結(jié)性質(zhì) ——單向?qū)щ娦? 1. 正向?qū)? PN結(jié)外加正向電壓 （ 正向偏置 ） ——P接 +、 N接 ， 形成較大正向電流 （ 正向電阻較小 ） 。 二 . PN結(jié)性質(zhì) ——單向?qū)щ娦? 正偏電壓 U= （ Si管 ） （ Ge管 當電壓超過某個值 （ 約零點幾伏 ） ， 全部少子參與導電 ， 形成“ 反向飽和電流 IS”。 一 ． 二極管伏安特性 正向電流較大 （ 正向電阻較小 ） ， 反向電流較小 （ 反向電阻較大 ） 。 1 .4 三極管（ Transistor） 1 .4 .1 三極管結(jié)構(gòu)及符號 1 .4 三極管（ Transistor） 1 .4 .2 三極管的三種接法（三種組態(tài)） 三極管在放大電路中有三種接法：共發(fā)射極、共基極、共集電極。 1 .4 .5 共射 NPN三極管伏安特性曲線 二 . 輸出特性曲線 IC = f ( IB ， UCE ) 實際測試時如此進行： IC = f ( UCE )|IB 1 .4 .5 共射 NPN三極管伏安特性曲線 二 . 輸出特性曲線 IC = f ( IB ，
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