電子技術(shù)及應(yīng)用第1章(文件)
【正文】 N溝道 MOS管工作過程 1. UGS=0，無導(dǎo)電 溝道，不能導(dǎo)電 2. UGS逐漸增大，形成耗盡層 3. UGS≥ UT ，形成反型層（ N溝道） 4. 加上 UDS，導(dǎo)電溝道不均勻 5. UGS UDS = UT ，溝道預(yù)夾斷 6. UDS繼續(xù)增大 ,溝道夾斷 , 使 ID基本不變 三 .增強型 N溝道 MOS管特性曲線 轉(zhuǎn)移特性近似表示為 ID =IDO(UGS/UT – 1)2 （其中 IDO 為 UGS = 2UT 時的 ID 值） 四 . 耗盡型 N溝道 MOS管工作過程 不加柵源電壓時，在 MOS管體內(nèi)已存在導(dǎo)電溝道。當 UGS小到夾斷電壓 UP 時，溝道全部夾斷，使得 ID=0。且當 UGS＞ 0時，導(dǎo)電溝道更寬，電流 UD變大； UGS＝ 0時，導(dǎo)電溝道保持原有寬度，電流 ID適中；當 VGS＜ 0時，導(dǎo)電溝道變窄。廣泛運用的是金屬 —氧化物 —半導(dǎo)體場效應(yīng)管 MOSFET（ Metal—Oxide—Semicondoctor type Field Effect Transistor），簡計為 MOS管。二者之間關(guān)系為： ID=gmVGS （柵源間必須反偏） 1 .5 .1 結(jié)型場效應(yīng)管 三 . JFET特性曲線 —輸出特性關(guān)系 由輸出特性曲線可得到轉(zhuǎn)移特性曲線 1 .5 .1 結(jié)型場效應(yīng)管 四 . JFET管工作過程小結(jié) N溝道 JFET 柵源電壓 VGS為 負值 ，漏源電壓 VDS為正值 （ P溝道 JFET與之相反）。分為可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿區(qū)三部分。 1 .5 .1 結(jié)型場效應(yīng)管 二 .工作原理 （柵源電壓 UGS對漏極電流 ID的控制作用） VGS=0時，溝道最寬，溝道電阻最小，加上 VDS可形成最大的 ID； VGS＜ 0時，溝道逐漸變窄，溝道電阻逐漸變大， ID逐漸減??； VGS=VP (夾斷電壓 )時，溝道夾斷，溝道電阻為無限大， ID=0。 1 .5 .1 結(jié)型場效應(yīng)管 二 .工作原理 （柵源電壓 UGS對漏極電流 ID的控制作用） 以 N溝道管為例。 場效應(yīng)管是電壓控制器件，既利用柵源電壓控制漏極電流 （ iD = gmuGS） ——這一點與三級管（電流控制器件 , 基極電流控制集電極電流 ,iC = β iB）不同，而柵極電流 iD為 0（因為輸入電阻很大）。IE=IC=ICEO≈0 發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏時，三極管工作在飽和區(qū) (處于飽和狀態(tài) ) ，無放大作用。 1 .4 .3 三極管內(nèi)部載流子傳輸 下面以共發(fā)射極 NPN管為例分析三極管內(nèi)部載流子的運動規(guī)律，從而得到三極管的放大作用。 門限電壓 （ 死區(qū)電壓 ）Vγ(Si管約為 、 Ge管約為)， 反向擊穿電壓 VBR（ 可高達幾千伏 ） 二極管電壓電流方程： 二 ． 二極管主要參數(shù) 1. 最大整流電流 IF 2. 最高反向工作電壓 UR 3. 反向電流 IR 4. 最高工作頻率 fM 由三塊半
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