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正文內(nèi)容

光電材料的研究現(xiàn)狀及其未來-文庫吧

2025-01-12 08:43 本頁面


【正文】 變 (Compliant)襯底關(guān)鍵技術(shù) (A類 ) 4) 襯底材料制備與加工技術(shù) (B類 ) 重點(diǎn)研究開發(fā)外延用藍(lán)寶石、 GaN、 SiC等襯底材料的高標(biāo)拋光產(chǎn)業(yè)化技術(shù)( Epiready級);大尺寸( 2)藍(lán)寶石襯底材料制備技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)。藍(lán)寶石基 GaN器件芯片切割技術(shù)。 5) 用于平板顯示的光電子基礎(chǔ)材料與關(guān)鍵設(shè)備技術(shù) (A類 ) 大面積 (對角線 14″)的定向排列碳納米管或納米棒薄膜生長的關(guān)鍵技術(shù) 。 等離子體平板顯示用的新型高效熒光粉的關(guān)鍵技術(shù)。 5 人工晶體和全固態(tài)激光器技術(shù) 研究目標(biāo): 研究探索新型人工晶體材料與應(yīng)用技術(shù),突破人工晶體的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù),研制大功率全固態(tài)激光器,解決產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)問題。 研究內(nèi)容及主要指標(biāo): 1) 新型深紫外非線性光學(xué)晶體材料和全固態(tài)激光器 (A類 )。 2) 面向光子 /聲子應(yīng)用的人工微結(jié)構(gòu)晶體材料與器件 (A類 )。 3) 研究開發(fā)瓦級紅、藍(lán)全固態(tài)激光器產(chǎn)業(yè)化技術(shù)(B類 ),高損傷閾值光學(xué)鍍膜關(guān)鍵技術(shù) (B類 ),基于全固態(tài)激光器的全色顯示技術(shù) (A類 )。 4) 研究開發(fā)大功率半導(dǎo)體激光器陣列光纖耦合模塊產(chǎn)業(yè)化技術(shù) (B類 )。 5) Yb系列激光晶體技術(shù) (A類 )。 6 新型半導(dǎo)體材料與光電子器件技術(shù) 研究目標(biāo): 重點(diǎn)研究自組裝半導(dǎo)體量子點(diǎn)、ZnO晶體和低維量子結(jié)構(gòu)、窄禁帶氮化物等新型半導(dǎo)體材料及光電子器件技術(shù)。 研究內(nèi)容及主要指標(biāo): 1) 研究 ZnO晶體、低維量子結(jié)構(gòu)材料技術(shù),研制短波長光電子器件 (A類 ) 2) 自組裝量子點(diǎn)激光器技術(shù) (A類 ) 3) Ⅲ Ⅴ 族窄禁帶氮化物材料及器件技術(shù) (A類 ) 4) 光泵浦外腔式面發(fā)射半導(dǎo)體激光器 (A類 ) 7 光電子材料與器件產(chǎn)業(yè)化質(zhì)量控制技術(shù) (
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