光電材料的研究現(xiàn)狀及其未來(存儲版)
【正文】 術(shù)。 研究內(nèi)容及主要指標(biāo)： 1) 光纖光柵溫度、壓力、振動傳感器的產(chǎn)業(yè)化技術(shù) (B類，要求企業(yè)負(fù)責(zé)并有配套投入)。 2) 有機半導(dǎo)體薄膜晶體管材料與器件技術(shù) (A類 )。 研究內(nèi)容及主要指標(biāo)： 1) DVD光頭用光源和非球面透鏡等產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù) (B類 )； 2) 新型近場光存儲材料和器件 (A類 )。 研究內(nèi)容和主要指標(biāo)： 1) 光纖預(yù)制棒制造新技術(shù) (B類，要求企業(yè)負(fù)責(zé)并有配套投入 )； 2) 新型特種光纖 (A類 )。 研究內(nèi)容：重點研究人工晶體與全固態(tài)激光器、 GaN基材料及器件質(zhì)量監(jiān)測新方法與新技術(shù)，相關(guān)產(chǎn)品測試條件與數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)化研究。 5 人工晶體和全固態(tài)激光器技術(shù) 研究目標(biāo)： 研究探索新型人工晶體材料與應(yīng)用技術(shù)，突破人工晶體的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，研制大功率全固態(tài)激光器，解決產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)問題。五 ”863項目重大項目 2 本項目分解為七個研究方向： ? 第三代寬禁帶半導(dǎo)體外延材料生長和器件技術(shù)研究； ? 130lm/W半導(dǎo)體白光照明集成技術(shù)研究； ? 100lm/W功率型 LED 制造技術(shù)開發(fā)； ? MOCVD裝備核心技術(shù)及關(guān)鍵原材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)開發(fā)； ? 半導(dǎo)體照明重大應(yīng)用技術(shù)開發(fā)； ? 半導(dǎo)體照明規(guī)模化系統(tǒng)集成技術(shù)研究； ? 半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)、評價體系與專利戰(zhàn)略研究。 “十一 等離子體平板顯示用的新型高效熒光粉的關(guān)鍵技術(shù)。 研究內(nèi)容及主要指標(biāo)： 1) 研究 ZnO晶體、低維量子結(jié)構(gòu)材料技術(shù)，研制短波長光電子器件 (A類 ) 2) 自組裝量子點激光器技術(shù) (A類 ) 3) Ⅲ Ⅴ 族窄禁帶氮化物材料及器件技術(shù) (A類 ) 4) 光泵浦外腔式面發(fā)射半導(dǎo)體激光器 (A類 ) 7 光電子材料與器
醫(yī)療健康相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1