光電材料的研究現(xiàn)狀及其未來(lái)-wenkub
2023-02-10 08:43:32 本頁(yè)面
【正文】 術(shù)，掌握相關(guān)的檢測(cè)技術(shù)；突破半導(dǎo)體光電子器件的基礎(chǔ)材料制備技術(shù)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。 “十一 光電材料的研究現(xiàn)狀與未來(lái) 徐智謀 1 “十一 五 ”863項(xiàng)目重大項(xiàng)目 2 本項(xiàng)目分解為七個(gè)研究方向： ? 第三代寬禁帶半導(dǎo)體外延材料生長(zhǎng)和器件技術(shù)研究； ? 130lm/W半導(dǎo)體白光照明集成技術(shù)研究； ? 100lm/W功率型 LED 制造技術(shù)開發(fā)； ? MOCVD裝備核心技術(shù)及關(guān)鍵原材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)開發(fā)； ? 半導(dǎo)體照明重大應(yīng)用技術(shù)開發(fā)； ? 半導(dǎo)體照明規(guī)?；到y(tǒng)集成技術(shù)研究； ? 半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)、評(píng)價(jià)體系與專利戰(zhàn)略研究。 研究?jī)?nèi)容及主要指標(biāo)： 1) 高純四氯化硅 (4N)的純化技術(shù)和規(guī)?；a(chǎn)技術(shù) (B類，要求企業(yè)負(fù)責(zé)并有配套投入 ) 2) 高純 (6N)三甲基銦規(guī)?；a(chǎn)技術(shù) (B類，要求企業(yè)負(fù)責(zé)并有配套投入 ) 4 3) 可協(xié)變 (Compliant)襯底關(guān)鍵技術(shù) (A類 ) 4) 襯底材料制備與加工技術(shù) (B類 ) 重點(diǎn)研究開發(fā)外延用藍(lán)寶石、 GaN、 SiC等襯底材料的高標(biāo)拋光產(chǎn)業(yè)化技術(shù)（ Epiready級(jí)）；大尺寸（ 2）藍(lán)寶石襯底材料制備技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)。 5 人工晶體和全固態(tài)激光器技術(shù) 研究目標(biāo)： 研究探索新型人工晶體材料與應(yīng)用技術(shù)，突破人工晶體的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，研制大功率全固態(tài)激光器，解決產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題。 4) 研究開發(fā)大功率半導(dǎo)體激光器陣列光纖耦合模塊產(chǎn)業(yè)化技術(shù) (B類 )。 研究?jī)?nèi)容：重點(diǎn)研究人工晶體與全固態(tài)激光器、 GaN基材料及器件質(zhì)量監(jiān)測(cè)新方法與新技術(shù)，相關(guān)產(chǎn)品測(cè)試條件與數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)化研究。 9 ? （二）通信用光電子材料、器件與集成技術(shù) 集成光電子芯片和模塊技術(shù) 研究目
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