光電材料的研究現(xiàn)狀及其未來-wenkub
2023-02-10 08:43:32 本頁面
【正文】 術，掌握相關的檢測技術；突破半導體光電子器件的基礎材料制備技術，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。 “十一 光電材料的研究現(xiàn)狀與未來 徐智謀 1 “十一 五 ”863項目重大項目 2 本項目分解為七個研究方向： ? 第三代寬禁帶半導體外延材料生長和器件技術研究； ? 130lm/W半導體白光照明集成技術研究； ? 100lm/W功率型 LED 制造技術開發(fā)； ? MOCVD裝備核心技術及關鍵原材料產(chǎn)業(yè)化技術開發(fā)； ? 半導體照明重大應用技術開發(fā)； ? 半導體照明規(guī)?；到y(tǒng)集成技術研究； ? 半導體照明產(chǎn)業(yè)技術標準、評價體系與專利戰(zhàn)略研究。 研究內(nèi)容及主要指標： 1) 高純四氯化硅 (4N)的純化技術和規(guī)模化生產(chǎn)技術 (B類，要求企業(yè)負責并有配套投入 ) 2) 高純 (6N)三甲基銦規(guī)?；a(chǎn)技術 (B類，要求企業(yè)負責并有配套投入 ) 4 3) 可協(xié)變 (Compliant)襯底關鍵技術 (A類 ) 4) 襯底材料制備與加工技術 (B類 ) 重點研究開發(fā)外延用藍寶石、 GaN、 SiC等襯底材料的高標拋光產(chǎn)業(yè)化技術（ Epiready級）；大尺寸（ 2）藍寶石襯底材料制備技術和產(chǎn)業(yè)化關鍵技術。 5 人工晶體和全固態(tài)激光器技術 研究目標： 研究探索新型人工晶體材料與應用技術，突破人工晶體的產(chǎn)業(yè)化關鍵技術，研制大功率全固態(tài)激光器，解決產(chǎn)業(yè)化關鍵技術問題。 4) 研究開發(fā)大功率半導體激光器陣列光纖耦合模塊產(chǎn)業(yè)化技術 (B類 )。 研究內(nèi)容：重點研究人工晶體與全固態(tài)激光器、 GaN基材料及器件質量監(jiān)測新方法與新技術，相關產(chǎn)品測試條件與數(shù)據(jù)標準化研究。 9 ? （二）通信用光電子材料、器件與集成技術 集成光電子芯片和模塊技術 研究目
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