光電材料的研究現(xiàn)狀及其未來(專業(yè)版)
【正文】 17 光傳感材料與器件技術(shù) 研究目標(biāo)： 以特殊環(huán)境應(yīng)用為目的，實(shí)現(xiàn)傳感元器件的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)開發(fā)；研究開發(fā)新型光電傳感器。 8 光電子材料與器件的微觀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與性能預(yù)測研究 (A類 ) 研究目標(biāo)： 提出光電子新材料、新器件的構(gòu)思，為原始創(chuàng)新提供理論概念與設(shè)計(jì) 研究內(nèi)容： 針對光電子技術(shù)的發(fā)展需求，結(jié)合本主題的研制任務(wù)，采用建立分析模型、進(jìn)行計(jì)算機(jī)模擬，在不同尺度（從原子、分子到納米、介觀及宏觀）范圍內(nèi)，闡明材料性能與微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)系，以利性能、結(jié)構(gòu)及工藝的優(yōu)化。 ? 此次發(fā)布的課題申請指南經(jīng)費(fèi)預(yù)算為 22023萬元。 5) 用于平板顯示的光電子基礎(chǔ)材料與關(guān)鍵設(shè)備技術(shù) (A類 ) 大面積 (對角線 14″)的定向排列碳納米管或納米棒薄膜生長的關(guān)鍵技術(shù) 。 12 研究內(nèi)容及主要指標(biāo)： (1) 速率在 10Gb/s以上的高速光探測器組件 (PINTIA) 目標(biāo)產(chǎn)品和規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)，直接調(diào)制 DFBLD目標(biāo)產(chǎn)品和規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)，光轉(zhuǎn)發(fā)器 (Transponder)目標(biāo)產(chǎn)品和規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)； (均為 B類，要求企業(yè)負(fù)責(zé)并有配套投入) (2) 40通道、 EDFA動態(tài)增益均衡關(guān)鍵技術(shù) (A類 )； (3) InGaNAs高性能激光器研究 (A類 )； (4) 光波長變換器關(guān)鍵技術(shù)和目標(biāo)產(chǎn)品 (B類 )； (5) 可調(diào)諧激光器目標(biāo)產(chǎn)品 (A類 )； (6) 用于無源光網(wǎng)絡(luò) (EPON)的突發(fā)式光收發(fā)模塊關(guān)鍵技術(shù)和目標(biāo)產(chǎn)品 (B類 )。 18 新型有機(jī)光電子材料及器件 研究目標(biāo) ：研究開發(fā)新型有機(jī)半導(dǎo)體材料及其在光顯示等領(lǐng)域的應(yīng)用。 說明：等離子體平板顯示器和高亮度、長壽命有機(jī)發(fā)光器件（ OLED）和 FED的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)將于 平板顯示專項(xiàng) 中考慮。
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