光電材料的研究現(xiàn)狀及其未來-文庫吧在線文庫
【正文】 件產(chǎn)業(yè)化質(zhì)量控制技術(shù) (A類 ) 研究目標： 發(fā)展人工晶體與全固態(tài)激光器、 GaN基材料及器件表征評價技術(shù)，解決產(chǎn)業(yè)化質(zhì)量控制關(guān)鍵技術(shù)。 13 光纖制造新技術(shù)及新型光纖 研究目標： 研究開發(fā)并掌握具有自主知識產(chǎn)權(quán)的光纖預(yù)制棒制造技術(shù)；研究開發(fā)新一代通信光纖，推動光纖通信系統(tǒng)在高速、大容量骨干網(wǎng)以及接入網(wǎng)中的應(yīng)用。 16 超高密度光存儲材料與器件技術(shù) 研究目標： 發(fā)展具有自主知識產(chǎn)權(quán)的超高密度、大容量、高速度光存儲材料和技術(shù)，達到國際先進水平，為發(fā)展超高密度光存儲產(chǎn)業(yè)打下基礎(chǔ)。 研究內(nèi)容及主要指標 ： 1) 有機非線性光學(xué)材料及其在全光光開關(guān)中的應(yīng)用 (A類 )。 2) 銻化物半導(dǎo)體材料及室溫?zé)o制冷紅外焦平面探測器技術(shù) (A類 )。 15 超高亮度全色顯示材料與器件應(yīng)用技術(shù) 研究目標： 研究開發(fā)用于場致電子發(fā)射平板顯示器（ FED）材料和器件結(jié)構(gòu)，以及超高亮度冷陰極發(fā)光管制作和應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。低維量子結(jié)構(gòu)材料新型表征評價技術(shù)和設(shè)備。 3) 研究開發(fā)瓦級紅、藍全固態(tài)激光器產(chǎn)業(yè)化技術(shù)(B類 )，高損傷閾值光學(xué)鍍膜關(guān)鍵技術(shù) (B類 )，基于全固態(tài)激光器的全色顯示技術(shù) (A類 )。五 ”863項目申請指南 ? （一）新型光電子材料及相關(guān)基礎(chǔ)材料、關(guān)鍵設(shè)備和特種光電子器件 光電子基礎(chǔ)材料、生長源和關(guān)鍵設(shè)備 研究目標 ：突破新型生長源關(guān)鍵制備技術(shù)，掌握相關(guān)的檢測技術(shù)；突破半導(dǎo)體光電子器件的基礎(chǔ)材料制備技術(shù)，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。光電材料的研究現(xiàn)狀與未來 徐智謀 1 “十一 研究內(nèi)容及主要指標： 1) 高純四氯化硅 (4N)的純化技術(shù)和規(guī)?；a(chǎn)技術(shù) (B類，要求企業(yè)負責(zé)并有配套投入 ) 2) 高純 (6N)三甲基銦規(guī)?；a(chǎn)技術(shù) (B類，要求企業(yè)負責(zé)并有配套投入 ) 4
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