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正文內(nèi)容

光電材料的研究現(xiàn)狀及其未來(已修改)

2025-01-30 08:43 本頁面
 

【正文】 光電材料的研究現(xiàn)狀與未來 徐智謀 1 “十一 五 ”國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃( 863計劃)新材料技術(shù)領(lǐng)域重大項目 “半導(dǎo)體照明工程 ”2023年度課題申請指南 研究開發(fā)高效節(jié)能、長壽命的半導(dǎo)體照明產(chǎn)品是《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要( 20232023年)》工業(yè)節(jié)能優(yōu)先主題的重要內(nèi)容。 “ 半導(dǎo)體照明工程 ” 項目在 “ 十一五 ” 的戰(zhàn)略目標(biāo)是:通過自主創(chuàng)新,突破白光照明部分核心專利,解決半導(dǎo)體照明市場急需的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù),建立完善的技術(shù)創(chuàng)新體系與特色產(chǎn)業(yè)集群,完善半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)鏈,形成我國具有國際競爭力的半導(dǎo)體照明新興產(chǎn)業(yè)。 “十一 五 ”863項目重大項目 2 本項目分解為七個研究方向: ? 第三代寬禁帶半導(dǎo)體外延材料生長和器件技術(shù)研究; ? 130lm/W半導(dǎo)體白光照明集成技術(shù)研究; ? 100lm/W功率型 LED 制造技術(shù)開發(fā); ? MOCVD裝備核心技術(shù)及關(guān)鍵原材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)開發(fā); ? 半導(dǎo)體照明重大應(yīng)用技術(shù)開發(fā); ? 半導(dǎo)體照明規(guī)?;到y(tǒng)集成技術(shù)研究; ? 半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)、評價體系與專利戰(zhàn)略研究。 ? 此次發(fā)布的課題申請指南經(jīng)費(fèi)預(yù)算為 22023萬元。 3 “十 五 ”863項目申請指南 ? (一)新型光電子材料及相關(guān)基礎(chǔ)材料、關(guān)鍵設(shè)備和特種光電子器件 光電子基礎(chǔ)材料、生長源和關(guān)鍵設(shè)備 研究目標(biāo) :突破新型生長源關(guān)鍵制備技術(shù),掌握相關(guān)的檢測技術(shù);突破半導(dǎo)體光電子器件的基礎(chǔ)材料制備技術(shù),實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。 研究內(nèi)容及主要指標(biāo): 1) 高純四氯化硅 (4N)的純化技術(shù)和規(guī)?;a(chǎn)技術(shù) (B類,要求企業(yè)負(fù)責(zé)并有配套投入 ) 2) 高純 (6N)三甲基銦規(guī)?;a(chǎn)技術(shù) (B類,要求企業(yè)負(fù)責(zé)并有配套投入 ) 4 3) 可協(xié)
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