光電材料的研究現(xiàn)狀及其未來-免費閱讀
【正文】 4) 基于新概念、新原理的光電探測技術(shù)(A類 )。 研究內(nèi)容及主要指標(biāo)： 1) 超高亮度冷陰極發(fā)光管制作和應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù) (A類 )。 10 研究內(nèi)容及主要指標(biāo)： 1) 光電集成芯片技術(shù) (1)速率在 光發(fā)射機芯片及模塊關(guān)鍵技術(shù) (A類 ) (2) 高速 Si基單片集成光接收機芯片及模塊關(guān)鍵技術(shù) (A類 ) 2) 基于平面集成光波導(dǎo)技術(shù)的 OADM芯片及模塊關(guān)鍵技術(shù) (A類 ) 3) 平面光波導(dǎo)器件的自動化耦合封裝關(guān)鍵技術(shù) (B類 ) 4) 基于微光電機械 (MOEMS)芯片技術(shù)的 8′8以上陣列光開關(guān)關(guān)鍵技術(shù) (A類 ) 5) 光電子芯片與集成系統(tǒng) (Integrated System)的無生產(chǎn)線設(shè)計技術(shù)研究 (A類 ) 11 通信光電子關(guān)鍵器件技術(shù) 研究目標(biāo)： 針對干線高速通信系統(tǒng)和密集波分復(fù)用系統(tǒng)、全光網(wǎng)絡(luò)以及光接入網(wǎng)系統(tǒng)的需要，重點進(jìn)行一批技術(shù)含量高、市場前景廣闊的目標(biāo)產(chǎn)品和單元技術(shù)的研究開發(fā)，迅速促進(jìn)相應(yīng)產(chǎn)品系列的形成和規(guī)?；a(chǎn)，顯著提高我國通信光電子關(guān)鍵器件產(chǎn)業(yè)的綜合競爭能力。 5) Yb系列激光晶體技術(shù) (A類 )。藍(lán)寶石基 GaN器件芯片切割技術(shù)。五 ”國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃（ 863計劃）新材料技術(shù)領(lǐng)域重大項目 “半導(dǎo)體照明工程 ”2023年度課題申請指南 研究開發(fā)高效節(jié)能、長壽命的半導(dǎo)體照明產(chǎn)品是《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（ 20232023年）》工業(yè)節(jié)能優(yōu)先主題的重要內(nèi)容。 3 “十 2) 面向光子 /聲子應(yīng)用的人工微結(jié)構(gòu)晶體材料與器件 (A類 )。解釋材料制備實驗中的新現(xiàn)象和問題，預(yù)測新結(jié)構(gòu)、新性能，預(yù)報新效應(yīng)，以利材料研制的創(chuàng)新。 研究內(nèi)容及主要指標(biāo)： 大面積、高質(zhì)量 GaN體單晶生長技
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