【正文】 位置如下圖：多晶清洗備料單晶生長(zhǎng)單晶切段坩堝清洗晶錠滾圓檢測(cè)酸性廢氣切割研磨廢水酸性廢水②硅外延片生產(chǎn)工藝襯底面檢外延生長(zhǎng)外延片檢測(cè)外延片清洗出廠包裝外延片面檢廢氣廢氣硅外延片生產(chǎn)工藝及排污位置如下圖：(3)主要生產(chǎn)設(shè)備①單晶硅晶錠生產(chǎn)主要生產(chǎn)設(shè)備如下：序號(hào)名稱(chēng)數(shù)量單位序號(hào)名稱(chēng)數(shù)量單位1單晶爐14臺(tái)6檢測(cè)儀器5臺(tái)2真空泵18臺(tái)7冷卻塔2組3割斷機(jī)3臺(tái)8高純水設(shè)備20t/h1套4滾圓機(jī)2臺(tái)5清洗機(jī)3臺(tái)②硅外延片生產(chǎn)主要設(shè)備其主要生產(chǎn)設(shè)備如下：序號(hào)名稱(chēng)型號(hào)數(shù)量單位序號(hào)名稱(chēng)型號(hào)數(shù)量單位1外延爐PE2061S6臺(tái)74PP測(cè)試儀1臺(tái)2CV測(cè)試儀1臺(tái)8清洗機(jī)1臺(tái)3SRP測(cè)試儀SSM20001臺(tái)9甩干機(jī)1臺(tái)4FTIP測(cè)試儀1臺(tái)10外延爐尾氣處理系統(tǒng)6臺(tái)5LTV測(cè)試儀1臺(tái)6顆粒度測(cè)試儀ADE CR81e1臺(tái)(4)主要原材料消耗①單晶硅晶錠生產(chǎn)主要原材料消耗如下：序號(hào)名稱(chēng)用量序號(hào)名稱(chēng)用量1多晶硅48t/a4鹽酸2硝酸5氫氧化鈉3氫氟酸其用水量為20t/d，其中：工藝用水70t/d；冷卻水補(bǔ)充300t/d；生活用水及其它用水30t/d。②硅外延片生產(chǎn)主要原料消耗如下：序號(hào)名稱(chēng)年用量單位來(lái) 源1拋光片32萬(wàn)片寧波立立半導(dǎo)體2石墨基座8只德國(guó)SGL3石英鐘罩2只意大利LPE4三氯氫硅200kg美國(guó)PRAXAIR，香港特氣公司5氫氧化鈉17460kg6氫氟酸600kg7硝酸2700kg8HCl175kg美國(guó)PRP9PH31kg美國(guó)PRAXAIR，香港特氣公司10B2H61kg美國(guó)PRAXAIR，香港特氣公司11N278840kg寧波MESSER陽(yáng)光公司12包裝袋13500只根據(jù)現(xiàn)有企業(yè)實(shí)際情況，其生產(chǎn)用水8t/d，純水用量1t/d。(5)三廢處理及排放情況①?gòu)U氣酸性廢氣：清洗機(jī)、化腐機(jī)使用氫氟酸、硝酸，由于酸的揮發(fā)及與硅的反應(yīng)產(chǎn)生的酸性廢氣，其生產(chǎn)過(guò)程中集中在密閉槽子內(nèi)進(jìn)行，通過(guò)引風(fēng)機(jī)引入廢氣洗滌吸收塔進(jìn)行處理。外延爐廢氣：硅片在外延過(guò)程中將產(chǎn)生含氯化氫及濃度極低(ppm級(jí))PHB2H6的廢氣，根據(jù)可行性研究報(bào)告，本項(xiàng)目將采用意大利CIR公司進(jìn)口的專(zhuān)用外延爐尾氣處理塔進(jìn)行處理。②廢水切割、滾園研磨廢水：切割機(jī)、滾園研磨機(jī)在對(duì)硅片切割、研磨過(guò)程中，需采用純水進(jìn)行沖洗，將產(chǎn)生含微量硅屑的研磨切割廢水，廢水量6m3/d。酸堿廢水：坩鍋清洗過(guò)程中將產(chǎn)生含硝酸、氫氟酸、氫氧化鈉的酸堿廢水，廢水排放量為1t/d。含HF、HNO3酸廢液：含HF、HNO3酸廢液主要來(lái)自坩鍋清洗工序，該廢液將排入新建回收槽由HF供應(yīng)單位回收處理。③ 噪聲噪聲主要來(lái)自于生產(chǎn)設(shè)備(包括純水制作設(shè)備)運(yùn)行產(chǎn)生的噪聲，產(chǎn)生的噪聲在50～80dB之間；公用動(dòng)力設(shè)備運(yùn)行產(chǎn)生的噪聲，包括空壓機(jī)房、真空機(jī)、水泵等，產(chǎn)生的噪聲在60～85dB之間；廢水、廢氣處理設(shè)備運(yùn)行產(chǎn)生的噪聲，產(chǎn)生的噪聲在50～85dB之間。冷卻水塔運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的噪聲，產(chǎn)生的噪聲在60～85dB之間。④ 固體廢物根據(jù)本項(xiàng)目生產(chǎn)工藝，其固體廢物產(chǎn)生情況如下：生產(chǎn)工序中使用的石墨基座廢料，其主要成份為廢石墨等，年產(chǎn)生量為30t/a；二、在建研發(fā)工程概況2004年根據(jù)發(fā)改辦高技[2004]1196號(hào)《國(guó)家發(fā)展改革委辦公廳關(guān)于開(kāi)展2004年信息產(chǎn)業(yè)企業(yè)技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)專(zhuān)項(xiàng)可行性研究的通知》精神，寧波立立電子有限公司和寧波立立半導(dǎo)體有限公司分別在公司現(xiàn)有超凈廠房和完善的檢測(cè)設(shè)備及處理系統(tǒng)的基礎(chǔ)上，將從國(guó)外引進(jìn)先進(jìn)的線切割機(jī)等機(jī)器設(shè)備，并與浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作，再結(jié)合公司已有的技術(shù)成果和多年的產(chǎn)業(yè)化成功經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)寧波市環(huán)境保護(hù)局審批建設(shè)8英寸拋光硅片技術(shù)改造和812英寸硅外延片生產(chǎn)的二個(gè)研發(fā)項(xiàng)目，目前上述二個(gè)項(xiàng)目正在建設(shè)之中，預(yù)計(jì)2006年底進(jìn)行試生產(chǎn)，為了明確企業(yè)現(xiàn)有情況，本評(píng)價(jià)對(duì)在建項(xiàng)目說(shuō)明如下：8英寸拋光硅片技術(shù)改造研發(fā)項(xiàng)目(1)項(xiàng)目概況該項(xiàng)目總投資6542萬(wàn)元，主要進(jìn)行8英寸拋光硅片的生產(chǎn)，項(xiàng)目建成后公司將生產(chǎn)8英寸拋光硅片10萬(wàn)片/年。(2)生產(chǎn)工藝該項(xiàng)目主要從事拋光硅片的生產(chǎn)，主要將單晶硅錠在專(zhuān)用設(shè)備上進(jìn)行切片、磨片、拋光加工生產(chǎn)，加工成拋光硅片，控制其幾何尺寸和表面質(zhì)量，使之能滿(mǎn)足外延片生產(chǎn)的要求。其生產(chǎn)工藝流程及排污情況如下：廢氣成品晶錠切片切片檢驗(yàn)熱處理清洗倒角烘干革命檢驗(yàn)拋光腐化研磨切割廢水酸性/堿性廢水研磨廢水包裝拋光片產(chǎn)品廢水(3)主要新增設(shè)備根據(jù)生產(chǎn)要求，其主要新增生產(chǎn)設(shè)備如下表： 序號(hào)名稱(chēng)型號(hào)數(shù)量單位備注1線切割機(jī)E400E122臺(tái)瑞士HTC2拋光機(jī)SPEEDFAM594臺(tái)日本SPEEDFAM3磨片機(jī)24B5L1臺(tái)日本SPEEDFAM4倒角機(jī)WGMW4200B1臺(tái)日本ACCRETECH5干燥機(jī)GENEX1日本SET6超聲清洗機(jī)SST2001日本SES7檢測(cè)設(shè)備：(1)表面顆粒測(cè)試儀CR821美國(guó)ADE(2)厚度分選儀ADE72001美國(guó)ADE(3)厚度分選儀ADE70001美國(guó)ADE(4)主要原輔材料及用量主要原輔材料及用量見(jiàn)下表。序號(hào)名稱(chēng)年用量單位來(lái) 源1單晶硅8000kg寧波立立電子公司227英寸內(nèi)園刀片1800片南昌威金、美國(guó)NIFEC3倒角砂輪15片美國(guó)UCC、山東嘉詳碳素廠4研磨砂100kg美國(guó)MICRABRASIVE5行星片100片美國(guó)RODEL6冷卻液5t美國(guó)RODELNALCO7研磨液5t美國(guó)RODELNALCO8拋光液50t美國(guó)RODELNALCO9氫氧化鈉1200kg10鹽酸(MOS純)15000升江蘇江陰潤(rùn)瑪、北京化試11NH4OH(MOS純)20000加侖江蘇江陰潤(rùn)瑪、北京化試12H2O2(MOS純)20000加侖江蘇江陰潤(rùn)瑪、北京化試13氫氟酸(MOS純)1850升江蘇江陰潤(rùn)瑪、北京化試14硝酸(分析純)1120升江蘇江陰潤(rùn)瑪、北京化試15硅片包裝盒80000只美國(guó)EMPAK16高純氣體Ar150升上海寶普17高純氣體N2400升上海寶普(5)三廢排放情況本項(xiàng)目主要在現(xiàn)有生產(chǎn)車(chē)間內(nèi)進(jìn)行重新布局和增添相應(yīng)的8英寸生產(chǎn)設(shè)備，其污染源分析如下：①?gòu)U氣本項(xiàng)目腐化工序在現(xiàn)有生產(chǎn)車(chē)間通風(fēng)柜內(nèi)進(jìn)行，各通風(fēng)柜均配置相應(yīng)的引風(fēng)機(jī)、廢氣水洗吸收塔，從腐化工序所用原料來(lái)看，其廢氣主要為腐化工序產(chǎn)生的酸性/堿性廢氣，其主要成份為HF、HNONaOH等，目前，其廢氣排放量主要通過(guò)引風(fēng)機(jī)，采用水洗吸收塔吸收處理后通過(guò)排氣筒排放。廢氣經(jīng)處理后在正常運(yùn)行情況下可以達(dá)到GB162971996《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。②廢水本項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，其新增工藝廢水如下：拋光廢水產(chǎn)生量3t/d，其廢水水質(zhì)：COD150mg/l，SS1000mg/l，；化腐、清洗廢水產(chǎn)生量3t/d，其廢水水質(zhì)：COD210mg/l，SS100mg/l，PH4～10；③噪聲噪聲主要來(lái)自于生產(chǎn)設(shè)備運(yùn)行產(chǎn)生的噪聲，其噪聲源強(qiáng)如下：切片機(jī)80dB、研磨機(jī)75dB、清洗機(jī)77dB、熱處理機(jī)62dB、空壓機(jī)80dB、純水制備70～80dB之間；公用動(dòng)力設(shè)備運(yùn)行產(chǎn)生的噪聲，包括空壓機(jī)房、真空機(jī)、水泵等，產(chǎn)生的噪聲在60～85dB之間；廢水、廢氣處理設(shè)備運(yùn)行產(chǎn)生的噪聲，產(chǎn)生的噪聲在50～85dB之間。④固體廢物根據(jù)本項(xiàng)目生產(chǎn)工藝，其固體廢物產(chǎn)生情況如下：化學(xué)腐蝕過(guò)程產(chǎn)生的腐化廢液，其主要成份為HNOHF等，；污水處理站混凝沉淀后產(chǎn)生污泥，根據(jù)廢水中SS濃度，確定其污泥排放量為12t/a。812英寸硅外延片生產(chǎn)研發(fā)項(xiàng)目概況(1)項(xiàng)目概況該項(xiàng)目總投資19435萬(wàn)元，主要進(jìn)行硅外延片的生產(chǎn)，項(xiàng)目建成后公司將生產(chǎn)8英寸硅外延片24萬(wàn)片/年((折合6英寸P型/N型單層/)；同時(shí)開(kāi)發(fā)12英寸硅外延片，形成小批量生產(chǎn)能力。(2)生產(chǎn)工藝本項(xiàng)目主要涉及第三步生產(chǎn)工藝，硅外延片生產(chǎn)工藝流程及排污情況如下：襯底面檢外延生長(zhǎng)外延片檢測(cè)外延片清洗出廠包裝外延片面檢廢氣廢氣(3)主要新增設(shè)備根據(jù)生產(chǎn)要求，其主要生產(chǎn)設(shè)備如下表：序號(hào)名稱(chēng)型號(hào)數(shù)量單位序號(hào)名稱(chēng)型號(hào)數(shù)量單位1外延爐HT20005臺(tái)74PP測(cè)試儀1臺(tái)HT30001臺(tái)8清洗機(jī)1臺(tái)2CV測(cè)試儀495CN1臺(tái)9激光打標(biāo)機(jī)1臺(tái)3SRP測(cè)試儀SSM20001臺(tái)10甩干機(jī)1臺(tái)4FTIP測(cè)試儀1臺(tái)外延爐尾氣處理系統(tǒng)8NR206臺(tái)5LTV測(cè)試儀1臺(tái)6顆粒度測(cè)試儀ADE CR81e1臺(tái)(4)主要原輔材料及用量主要原輔材料及用量見(jiàn)下表。序號(hào)名稱(chēng)年用量單位備 注18英寸襯底片24萬(wàn)片立立電子提供2石墨基座6只德國(guó)SGL3石英鐘罩2只意大利LPE4三氯氫硅氣體147kg美國(guó)PRAXAIR，香港特氣公司5鹽酸(試劑級(jí))2瓶(500ml/瓶)6氨水(試劑級(jí))2瓶(500ml/瓶)7雙氧水(試劑級(jí))85瓶(500ml/瓶)8HCl130kg美國(guó)PRP9PH31kg美國(guó)PRAXAIR，香港特氣公司10B2H61kg美國(guó)PRAXAIR，香港特氣公司11N259000m3寧波MESSER陽(yáng)光公司12潔凈包裝袋10000只130柴油2128t定額用量266kg/h(5)三廢排放情況本項(xiàng)目主要為增設(shè)外延爐及其相關(guān)檢測(cè)設(shè)備，其污染源分