微電子工藝課件1zhang-文庫(kù)吧
2025-04-27 18:36 本頁(yè)面
【正文】 教學(xué)目標(biāo) ? 通過(guò)本課程的學(xué)習(xí)，使學(xué)生在微電子技術(shù)方向上打下深厚的工藝基礎(chǔ) ； ? 了解 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狀況及技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài) ； ? 理解 微電子器件和集成電路 制造先進(jìn) 工藝技術(shù) ； ? 掌握 氧化、光刻、刻蝕、擴(kuò)散、離子注入、沉積等各種單項(xiàng)工藝技術(shù)的基本原理、方法和主要特點(diǎn) ； ? 掌握 工藝集成的特點(diǎn)以及微電子器件和集成電路制造的基本工藝流程 。 課程內(nèi)容安排和要求 ? 緒論： 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹、器件技術(shù)、硅和硅片制備、硅片清洗。了解集成電路產(chǎn)業(yè)狀況及技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài) ； ? 單項(xiàng) 工藝： 氧化原理、 SiO2結(jié)構(gòu)、性質(zhì)和用途、 SiO2－ Si界面及摻氯氧化、擴(kuò)散原理、雜質(zhì)擴(kuò)散機(jī)制、雜質(zhì)的擴(kuò)散分布、磷的液態(tài)源擴(kuò)散、硼的涂源擴(kuò)散以及兩步擴(kuò)散工藝、薄膜的特性、化學(xué)氣相沉積原理、化學(xué)氣相沉積 CVD生長(zhǎng)過(guò)程、化學(xué)氣相沉積工藝、外 延、光刻工藝原理、光刻工藝的 8個(gè)基本步驟、光刻膠、對(duì)準(zhǔn)與曝光、光學(xué)光刻、焦深及套準(zhǔn)精度、干法刻蝕、干法刻蝕過(guò)程、干法刻蝕系統(tǒng)及其刻蝕機(jī)理、干法刻蝕系統(tǒng)、反應(yīng)離子刻蝕（ RIE）機(jī)理、離子注入工藝原理、離子注入濃度分布、離子注入設(shè)備、離子注入效應(yīng)、溝道效應(yīng)、注入損傷、離子注入退火、電子束蒸發(fā)系統(tǒng)的組成、磁控濺射系統(tǒng)的組成、電子束蒸發(fā)的工藝過(guò)程、磁控濺射的工藝過(guò)程、先進(jìn)的金屬化技術(shù)、現(xiàn)代集成電路對(duì)金屬膜的要求、傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)、化學(xué)機(jī)械平坦化、 CMP的機(jī)理、 CMP的優(yōu)點(diǎn)。了解設(shè)備結(jié)構(gòu)及工作原理，掌握各單項(xiàng)工藝技術(shù)的基本原理、方法和主要特點(diǎn)。 課程內(nèi)容安排和要求 ? 工藝集成 ： 4～ 6μm雙極集成電路工藝技術(shù)、典型雙極型 IC工藝流程、早期 ～ CMOS IC工藝技術(shù)、單阱（ P阱）工藝流程、現(xiàn)代 CMOS IC工藝技術(shù)。了解現(xiàn)代先進(jìn)的 CMOS IC工藝技術(shù)及其特點(diǎn)、方法，掌握典型基本的 CMOS IC工藝技術(shù)及工藝流程 。 ? 實(shí)踐性教學(xué)環(huán)節(jié)和 要求： 實(shí)驗(yàn) 微電子器件制造工藝實(shí)驗(yàn)（ 6學(xué)時(shí)）：掌握集成電路工藝中氧化、光刻、擴(kuò)散、蒸發(fā)等基本工序的生產(chǎn)過(guò)程，了解各工藝參數(shù)的選取原則。 實(shí)驗(yàn) 測(cè)試實(shí)驗(yàn)（ 2學(xué)時(shí)）：了解中測(cè)探針臺(tái)的使用方法，掌握四探針測(cè)試儀和晶體管特性圖示儀的使用方法。 實(shí)驗(yàn) 微電子器件版圖設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)（ 8學(xué)時(shí)）：了解微電子器件的版圖設(shè)計(jì)規(guī)則，掌握 LEdit的使用方法，并使用 LEdit完成一個(gè)實(shí)際器件的版圖設(shè)計(jì)。 ? 考核方式：
語(yǔ)文相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1