《微電子器件與》ppt課件-文庫吧
2025-04-14 01:25 本頁面
【正文】 發(fā)射區(qū)的雜質(zhì)總量遠(yuǎn)大于基區(qū)，當(dāng) WE 與 WB 接近時，即要求 NE NB 。 晶體管放大電路有兩種基本類型，即 共基極接法 與 共發(fā)射極接法 。 先討論共基極接法（以 PNP 管為例）： B E C B P N P NE NB NC IE IB IC V ?Jrdndp JJJ ??dpJdnJrJP區(qū) N區(qū) px? nx0 為了理解晶體管中的電流變化情況，先復(fù)習(xí)一下 PN 結(jié)中的電流： 忽略勢壘區(qū)產(chǎn)生復(fù)合電流， 處于放大狀態(tài)的晶體管內(nèi)部的各電流成分如下圖所示： pEI pCInEIprInrInrnEEprpEpCCnrnEBnEpEEIIIIIIIIIIIII??????????, 從 IE 到 IC ，發(fā)生了兩部分虧損： InE 與 In r 。 要減小 InE ，就應(yīng)使 NE NB ； 要減小 In r ，就應(yīng)使 WB LB 。 pEI pCInEIprInrI 定義： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)零偏時的 IC 與 IE 之比，稱為共基極直流短路電流放大系數(shù) ，記為 α，即： 0,0 ??? CBEB VVECII?B E C B P N P NE NB NC IE IB IC 共發(fā)射極接法： 定義： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)零偏時的 IC 與 IB 之比，稱為共發(fā)射極直流短路電流放大系數(shù) ，記為 β，即： 0,0 ??? CBEB VVBCII?E C B N P IE IB IC P E 根據(jù) ，及 的關(guān)系，可得 β與 α之間有如下關(guān)系： ECII?? 對于一般的晶體管， α= ～ ， β = 20～ 200 。 ????? 1CEB III ??? ? ???????? 1ECEECBCIIIIIIIpEnEnEpEpEEpEEpEJJJJJJJII??????11? 定義： 由發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子電流 IpE 與總的發(fā)射極電流IE 之比，稱為 注入效率 （或 發(fā)射效率 ），記為 ，即： ?pEI pCInEIprInrI電流放大系數(shù)中間參數(shù)的定義 定義： 基區(qū)中到達(dá)集電結(jié)的少子電流 IpC 與從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子電流 IpE 之比， 稱為 基區(qū)輸運系數(shù) ，記為 β*，即： pEpCpEpCJJII ???? 由于空穴在基區(qū)的復(fù)合，使 JpC JpE 。 pEI pCInEIprInrI
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