【正文】 ?R IDC ?F IDE ?SF IDC ?SR IDS rB rCS rSS rE CC CE CS CDC CDE CDS 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 13 多結(jié)晶體管 EM模型 （ 5）簡化模型等效電路 （消除有源寄生） rB rCS rE CC CE CS CDC CDE IE IB IC B E C S IDE IDC ?R IDC ?F IDE 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 14 集成 NPN晶體管常用圖形及特點 （ 1）單基極條形 結(jié)構(gòu)簡單、面積小 寄生電容小 電流容量小 基極串聯(lián)電阻大 集電極串聯(lián)電阻大 PSub N–epi P+ P+ P N+ N+ C E B 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 15 集成 NPN晶體管常用圖形及特點 （ 2）雙基極條形 與單基極條形相比： 基極串聯(lián)電阻小 電流容量大 面積大 寄生電容大 N–epi P+ P N+ N+ C E B PSub P+ B N+ 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 16 集成 NPN晶體管常用圖形及特點 （ 3）雙基極雙集電極形 與雙基極條形相比： 集電極串聯(lián)電阻小 面積大 寄生電容大 N–epi P+ P N+ N+ C E B PSub P+ B N+ N+ C 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 17 集成 NPN晶體管常用圖形及特點 （ 4）雙射極雙集電極形 與雙基極雙 集電極形相比： 集電極串聯(lián)電阻小 面積大 寄生電容大 N–epi P+ P N+ N+ C PSub P+ N+ N+ C B N+ E E 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 18 集成 NPN晶體管常用圖形及特點 （ 5）馬蹄形 電流容量大 集電極串聯(lián)電阻小 基極串聯(lián)電阻小 面積大 寄生電容大 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 19 集成 NPN晶體管常用圖形及特點 （ 6）梳狀 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 20 習(xí)題 分別畫出單基極條形和雙基極雙集電極結(jié)構(gòu)的 NPN晶體管的平面圖（版圖）和剖面圖，并說明埋層的作用。 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 21 167。 22 超增益晶體管 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 22 思考題 β 值的途徑有哪些？ BC結(jié)的偏壓為什么要限制在 0伏左右？ ？為什么？ 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 23 提高 NPN管 β 值的途徑 PSub N–epi P+ P+ P N+ N+ C E B ① 提高發(fā)射區(qū)濃度（注意： 重 摻雜理論） ② 降低基區(qū)濃度（同時采用高阻外延） ③ 減薄基區(qū)寬度 （加深發(fā)射結(jié)深度或 減小集電結(jié)的深度） ④ 選擇高壽命材料 , 改善表面態(tài) + P 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 24 擴(kuò)散穿通型超增益管 N–epi P+ P N+ N+ C E B PSub N–epi P+ P+ P N+ N+ C E B N+ N+ 普通 NPN管 超增益 NPN管 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 25 擴(kuò)散穿通型超增益管 N–epi P+ P N+ N+ C E B PSub N–epi P+ P+ P N+ N+ C E B 普通 NPN管 超增益 NPN管 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 26 擴(kuò)散穿通型超增益管 PSub N–epi P+ P+ P N+ N+ C E B P N+ N+ ① 采用圓形發(fā)射區(qū) （周界短 ,受表面態(tài)影響?。? ② 應(yīng)用時 BC結(jié)偏置限制在 0V左右（減小基區(qū)寬度調(diào)制的影響） 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 27 167。 23 橫向 PNP管 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 28 思考題 n+埋層對橫向 PNP管有什么好處？ 2. 可控增益橫向 PNP管的原理是什么？ PNP管的發(fā)射區(qū)為何選用較小的面積？ 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT M