【正文】 蝕方式不同： ? Etching（ mateial=OX， remove=， over=20） ? Etching（ mateial=OX， stop=sigas） 2022/2/14 第 20頁 /共 80頁 離子注入 ? 語句開頭： implant ? 注入雜質(zhì)種類（硼 B、氟化硼 BF磷 P、砷 As、銻 Sb、銦 In） ? 注入能量 ? 注入劑量 ? 硅片傾角 ? 旋轉(zhuǎn)角度 ? 注入模型選擇 （ Table注入模型和 Monte Carlo 注入模型） 工藝仿真 implant dose= energy=2022 imp=phosphorus + tilt=0 rotation=0 =phosphorus 2022/2/14 第 21頁 /共 80頁 Table離子注入模型 ? Antimony ? Arsenic、 、 ? Bf 、 、 ? Boron、 leboron、 chboron、 、 ? Phosphorus、 、 ? 工藝仿真 相同注入雜質(zhì)的 不同注入模型適用的注入劑量和能量的范圍不同。 2022/2/14 第 22頁 /共 80頁 熱擴(kuò)散 模擬氧化、退火等高溫下的工藝步驟。 ? 語句開頭： Diffusion ? 溫度及時間定義 ? 氣體氛圍及各自所占百分比的定義 DRYO2 | WETO2 | STEAM | N2O | INERT| ( [=n] [=n] [=n][=n] [=n] [=n]） 工藝仿真 DIFFUSION TIME=30 TEMP=800 =1000 INERT 2022/2/14 第 23頁 /共 80頁 氧化及擴(kuò)散模型的選擇 ? METHOD [ {ERFC | ERF1 | ERF2 | ERFG | VERTICAL |COMPRESS | VISCOELA | VISCOUS} [ { | | } ] 工藝仿真 dy/dt=B/(A+2y) 2022/2/14 第 24頁 /共 80頁 ERFC | ERF1 | ERF2 | ERFG ? ERFC最簡單、仿真速度最快 ,適用于摻雜對氧化速率的影響可忽略的情況，在結(jié)構(gòu)表面平整或近似平整的條件下也可用于局部氧化。 ? ERF ERF2是 ERFG的子集。 ? ERFG模型適用于在氮化物覆蓋下的硅表面生長氧化層。 ? 氮化物層厚度與襯底表面氧化層厚度相比較，如果氮化物層厚度較小，則選擇 ERF1模型；相反，則選擇 ERF2模型。 工藝仿真 氧化及擴(kuò)散模型的選擇 2022/2/14 第 25頁 /共 80頁 VERTICAL |COMPRESS | VISCOELA | VISCOUS ? VERTICAL模型適用于局部氧化及結(jié)構(gòu)表面平整的氧化，不能用在溝道、多晶硅氧化。 ? COMPRESS把粘性流動及結(jié)構(gòu)表面晶向變化的因素考慮在內(nèi)，但不考慮應(yīng)力的影響。 ? VISCOELA用了與 COMPRESS相同的彈性系數(shù)，與VISCOUS模型相同的粘性系數(shù)與應(yīng)力相關(guān)參數(shù)，能計(jì)算應(yīng)力的粗略值。 ? VISCOUS能夠精確地計(jì)算應(yīng)力，但仿真速度很慢。 工藝仿真 氧化及擴(kuò)散模型的選擇 ? 結(jié)構(gòu)平整 ? 氧化步驟少 ? 對氧化層形狀沒有精確的要求。 2022/2/14 第 26頁 /共 80頁 點(diǎn)缺陷模型 | | ? 、最簡單，既不考慮非平衡態(tài)點(diǎn)缺陷濃度（以下簡稱 A）對雜質(zhì)擴(kuò)散（以下簡稱 B）的影響，也不考慮雜質(zhì)擴(kuò)散（ B）對點(diǎn)缺陷濃度分布 (A)的影響； ? 、擴(kuò)散及再結(jié)合進(jìn)行仿真，它考慮 A對 B的影響，不考慮 B對 A的影響。 ? A對 B的影響，也考慮 B對 A的影響。 ? 如果要考慮大注入效應(yīng)或離子注入對晶格破壞的影響，就必須用 。 工藝仿真 2022/2/14 第 27頁 /共 80頁 結(jié)構(gòu)操作 ? 裁剪、鏡像對稱當(dāng)前結(jié)構(gòu) ? 為當(dāng)前結(jié)構(gòu)添加電極 工藝仿真 2022/2/14 第 28頁 /共 80頁 裁剪、鏡像對稱當(dāng)前結(jié)構(gòu) ? STRUCTURE [TRUNCATE{({RIGHT| LEFT} X=n ) |( {BOTTOM | TOP} Y=n )}] [ REFLECT [ {RIGHT | LEFT} ] ] ? 例： STRUCTURE TRUNCATE RIGHT X= REFLECT 工藝仿真 2022/2/14 第 29頁 /共 80頁 裁剪、鏡像對稱當(dāng)前結(jié)構(gòu) 工藝仿真 ? 例： STRUCTURE LEFT 2022/2/14 第 30頁 /共 80頁 添加電極 ? ELECTRODE [NAME=c] [{(X=n[Y=n]) |BOTTOM}] ? 為 MOS管添加電極的實(shí)例： ELECTRODE X= NAME=Source ELECTROD X= NAME=Gate ELECTROD X= NAME=Drain ELECTROD BOTTOM NAME=Bulk SAVEFILE = + MEDICI 工藝仿真 2022/2/14 第 31頁 /共 80頁 保存及輸出 ? 保存網(wǎng)格及結(jié)果信息 ? 讀入網(wǎng)格及結(jié)果信息 ? 讀取輸出結(jié)果 工藝仿真 2022/2/14 第 32頁 /共 80頁 保存、讀入 ? SAVEFILE =c (TIF [=c]) | (MEDICI [] []]) ? LOADFILE =c{ ( [SCALE=n] [] ) | TIF} 工藝仿真 SAVEFILE =PIOUTSTR MEDICI LOADFILE =savestr 2022/2/14 第 33頁 /共 80頁 輸出 ? 結(jié)深打印及層次信息 （ SELECT、 ） ? 一維濃度分布圖 (SELECT、 ) ? 二維結(jié)構(gòu)圖 (、 COLOR) ? 網(wǎng)格圖 () ? 繪制等濃度線 (SELECT、 、 FOREACH 、 CONTOUR) ? 不同 VBS下的 閾值電壓 仿真 （ ELECTRICAL、 ） ? 結(jié)電容 CV特性 （ ELECTRICAL、 ） ? 低頻或高頻或深耗盡情況下 MOS電容的 CV特性 （ ELECTRICAL、 ） 工藝仿真 2022/2/14 第 34頁 /共 80頁 結(jié)深打印及層次信息 ? 結(jié)深打印： ? SELECT Z=DOPING SPOT=0 ? 打印層次信息： ? SELECT Z=DOPING LAYERS 工藝仿真 ** Printing along =0: Value is 0 at microns. Num Material Top Bottom Thickness Integral 1 oxide +12 2 silicon +15 3 silicon +11 33 2022/2/14 第 35頁 /共 80頁 一維濃度分布圖 工藝仿真 SELECT Z=LOG10(BORON) TI