數(shù)字電路講義-第八章-文庫(kù)吧
2025-01-04 02:22 本頁(yè)面
【正文】 1 D0 VCC 譯 碼 器 K: 輸出控制端 給出任意一個(gè)地址碼，譯碼器與之對(duì)應(yīng)的字線變?yōu)?高電平 ，進(jìn)而從位線上便可輸出四位數(shù)字量。 字線 位線 圖中存儲(chǔ)器的內(nèi)容 ROM陣列示意圖 ROM陣列示意圖 ROM陣列示意圖 0和 1的輸出？ 1 0 ROM陣列示意圖 1 0 H L ROM陣列示意圖 0 1 1 0 符號(hào)和定時(shí)圖 A關(guān)聯(lián)的作用 : 當(dāng) Am=1時(shí)，受影響的輸入、輸出端被選通，允許各輸入端上的數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)器中的 m號(hào)區(qū)域，或者允許 m號(hào)區(qū)域的內(nèi)容從輸出端被讀出； Am=0時(shí)，受影響的輸入、輸出端被封鎖，不允許寫(xiě)入也不允許讀出 特點(diǎn) : 出廠時(shí)全部存儲(chǔ) “ 1”，用戶可根據(jù)需要將某些單元改寫(xiě)為 “ 0”, 然而只能改寫(xiě)一次。 字線 位線 熔斷絲 將熔絲燒斷，該單元?jiǎng)t變成“ 0”。 二、可編程 ROM （ PROM） 二、可編程 ROM （ PROM） 編程圖 ▼ EPROM—Erassable PROM 所存儲(chǔ)的信息可以用紫外線照射擦除，重新編程。 三、 可改寫(xiě) PROM（ EPROM和 EEPROM） ROM PROM 高電平 編程后， 柵極閾值變高， 輸出為 0 ▼ EPROM—Erassable PROM 所存儲(chǔ)的信息可以用紫外線照射擦除，重新編程。 三、 可改寫(xiě) PROM（ EPROM和 EEPROM） 2732 ▼ EEPROM(E2PROM) –Electrically EPROM 電可擦除 PROM 三、 可改寫(xiě) PROM（ EPROM和 EEPROM） 優(yōu)點(diǎn)：方便， 主板在線升級(jí)等 ；注意， 案例 38所 ROM PROM EPROM 四、 ROM的擴(kuò)展的與應(yīng)用 ROM的擴(kuò)展 四、 ROM的擴(kuò)展 8位擴(kuò)展： 四、 ROM的擴(kuò)展 將容量為 1K 8的 PROM（ 28L85A）編程為 8K 1的 ROM 地址的不同 考研例題： ROM的連接電路 A19~A15: 11111 CPU與 ROM的連接 ROM的應(yīng)用舉例 a. 用于存儲(chǔ)固定的專用程序 b. 利用 ROM可實(shí)現(xiàn)查表或碼制變換等功能 查表 功能 －－ 查某個(gè)角度的三角函數(shù) 把變量值（角度）作為地址碼，其對(duì)應(yīng)的函數(shù)值作為存放在該地址內(nèi)的數(shù)據(jù)，這稱為 “造表”。使用時(shí)，根據(jù)輸入的地址 (角度 )，就可在輸出端得到所需的函數(shù)值，這就稱為“查表”。 碼制變換 －－ 把欲變換的編碼作為地址，把最終的目的編碼作為相應(yīng)存儲(chǔ)單元中的內(nèi)容即可。 例 83 試用 PROM實(shí)現(xiàn) 8位 B碼至 BCD碼的轉(zhuǎn)換 有不足 200 例 84 用容量為 2K 8 的 ROM，構(gòu)成 14位的數(shù)據(jù)產(chǎn)生可控的奇 /偶校驗(yàn)碼 例 84 用容量為 2K 8 的 ROM，構(gòu)成 14位的數(shù)據(jù)產(chǎn)生可控的奇 /偶校驗(yàn)碼 b14=0，？ b14=1，？ 奇校驗(yàn) 偶校驗(yàn) 奇校驗(yàn) 有誤 利用 ROM存儲(chǔ)字庫(kù)點(diǎn)陣 地址 數(shù)據(jù) 利用 ROM存儲(chǔ)字庫(kù)點(diǎn)陣 公 利用 ROM存儲(chǔ)字庫(kù)點(diǎn)陣 編程一個(gè)漢字就需芯片 16x16 個(gè)存儲(chǔ)單元。 一個(gè)容量為 64Kx16 位的 EPROM ， 可以存儲(chǔ)上述字體的漢字 4 000 個(gè)， 而地址碼需 16 位，輸出數(shù)據(jù)線需 16 條。 ROM D/A 計(jì)數(shù)器 CP 計(jì)數(shù)脈沖 送示波器 3 4 uo A1 A2 A0 D3 D2 D1 D0 D/A 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 4 8 12 9 6 3 t uo 0 3. ROM 在波形發(fā)生器中的應(yīng)用 地址發(fā)生器 很有用 ROM實(shí)現(xiàn)邏輯函數(shù)實(shí)例 d0＝ ∑ m（ 1， 2， 4， 7） d1＝ ∑ m（ 1， 2， 3， 7） ROM實(shí)現(xiàn)組合函數(shù)的不足 芯片的利用率不高 。這是因?yàn)?ROM中的與陣列是一個(gè)固定的全譯碼陣列， 每一個(gè)乘積項(xiàng)都是一個(gè)最小項(xiàng)，只能實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)的最小項(xiàng)表達(dá)式，不能進(jìn)行化簡(jiǎn)，而且實(shí)際上大多數(shù)的組合邏輯函數(shù)也并不需要所有的最小項(xiàng)。因此， ROM在絕大多數(shù)場(chǎng)合還是被作為存儲(chǔ)器使用。 第四節(jié) 可編程邏輯陣列 PLA （ PLA– Programmable Logic Array ） 一、概述 二、 PLA的工作原理及應(yīng)用 “ 與 ”“ 或 ” 都可編程 與 ROM的區(qū)別？ 或的數(shù)量限制 二、 PLA的工作原理及應(yīng)用 Q0=? 編程例子： P1 P2 P3 P4 P5 P2 P4 P5 P3 P6 如果用 ROM完成， 需要多大容量的？ 16X3 例 86試用適當(dāng)?shù)?PLA和觸發(fā)器實(shí)現(xiàn)一可變模分頻器，當(dāng)控制輸入 X＝ 0時(shí)，分頻模 M＝ 5； X＝ 1時(shí)， M＝ 7，且在狀態(tài)Q2Q1Q0＝ 111時(shí)，輸出 Z＝為 1，其余情況均為 0，此外，電路還具有異步置位輸入 SD。 解：首先列功能表進(jìn)行計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì) 選用 D觸發(fā)器 三、 PLA的擴(kuò)展 輸出擴(kuò)展 三、 PLA的擴(kuò)展 乘積項(xiàng)擴(kuò)展 內(nèi)部編程 反碼輸出 線與 三、 PLA的擴(kuò)展 輸入擴(kuò)展 線或 I16 I31 三、 PLA的擴(kuò)展 輸入擴(kuò)展 乘積項(xiàng)擴(kuò)展 輸出擴(kuò)展 三、 PLA的擴(kuò)展 特點(diǎn)：與、或都可編程； 不足： 有點(diǎn)復(fù)雜、成本高 有解決辦法嗎 ？
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